射频电路设计第六章(00002)课件

射频电路设计目录第一章引言第二章传输线分析第三章Smith圆图第四章单端口网络和多端口网络第五章有源射频器件模型第六章匹配网络和偏置网络第七章射频仿真软件ADS概况第八章射频放大器设计第九章射频滤波器设计第十章混频器和振荡器设计第六章有源射频元件6.1半导体基础6.2射频二极管6.3BJT双极结晶体管6.4射频场效应晶体管6.5高电子迁移率晶体管6.1半导体基础带入得本征载流子浓度为：当存在热能(T〉oK)时，电子和空穴穿过半导体晶格作无规运动。如果一电子正好碰到一空穴，两者即结合，荷电互相抵消。在热平衡状态下电子和空六的结合数与产生数是相等的。其浓度遵从费米(Fermi)统计而有：其中

分别是在导带(Nc)和价带(Nv)中的有效载流子浓度。m对应半导体中电子和空穴的有效质量，由于与晶格的相互作用，它们不同于自由电子的静止质量，k是波尔茨曼常数，h是普朗克常数，T是绝对温度(K)。一、本征半导体：由热激发产生的自由电子数等于空穴数，即n=p＝ni，所以电子和空穴的浓度按以下的浓度定律表述：ni是本征浓度，该式对掺杂半导体也适用n和p分别表示与导带和价带相关联的能级；WF是Fermi能级，电子有50％的概率占据该能级。对本征(纯)半导体，在室温下其费米能级非常靠近禁带的中部。6.1半导体基础据宏观电磁理论：材料的电导率为σ＝J／E，J是电流密度，E是外加电场.在宏观模型(Drude模型)下，电导率可通过载流子浓度N，有关元素的荷电量q，漂移速度vd以及电场E给出：在半导体中，电子和空穴两者都对材料的电导率有作用。在低电场下载流子的漂移速度正比于外加电场强度，其比例常数称为迁移率µｄ。则：

其中µn和µp分别为电子和空穴的迁移率。对于本征半导体，由于有n＝p=ni，则：环境温度对半导体的电性能有很大影响。由功率损耗使器件内部加热，可造成超过100—1500c的温升。注：在例题中忽略了带隙能随温度的变化，这将在第7章中讨论。6.1半导体基础二、掺杂半导体：通过引入杂质原子可以引发半导体的电特性作较大的改变。这种过程称为掺杂。1、N型半导体：为获得N型掺杂(提供附加电子到导带)，所引入的原子较之原来在本征半导体晶格上的原子有更多的价电子。如：将磷(P)原子移植到si内，就在中性晶格内提供了弱束缚电子，如右图（b)

由直觉看出：“额外”电子的能级比其余4个价电子的能级更接近导带。当温度上升到高于绝对零度时．这个弱自由电子从原子中分离出，形成自由负电荷，留下固定的磷正离子。这样，当仍保持电中性时，该原子施舍一个电子到导带，而价带中没有产生空穴。由于在导带中有了更多的电子，结果就导致Fermi的增高。成为N型半导体，其中电子浓度nn和少数空穴浓度Pn有如下关系：其中nD为施主浓度代入方程得：当nD>>ni则：6.1半导体基础6.1．2PN结P型和N型半导体的物理接触引出厂与有源半导体器件相关联的最重要的概念之一：PN结。由于这两类半导体之间在载流子浓度上的差别，引起穿过界面的电流。这种电流被称为扩散电流，它由电子和空穴组成。如图所示的一维模型：扩散电流为：称Einstein关系：其中的Indiff和IPdiff分别为扩散电流的电子分量和空穴分量，A是与x轴正交的半导体截面积，Dn和Dp分别是电子和空穴的扩散常数。原来是中性的P型半导体，出现空穴扩散电流后，留下负空间电荷，N型半导体，出现电子扩散电流后，留下正空间电荷，扩散电流发生时，正电荷和负电荷之间产生电场E，从而产生感应电流，它与扩散电流方向相反，使IF+Idiff=0，则得：6.1半导体基础如果再考虑空穴电流从P型半导体到N型半导体的流动以及与之相抵消的场感应电流中的相应部分IPF，可以得到扩散阻挡层电压：以电势的导数代替电场，积分得扩散阻挡层电压（称内建电势）：其中nn和np仍分别是N型半导体和P型半导体中的电子浓度。若：P型半导体中受主浓度NA>>niN型半导体中施主浓度ND>>ni则nn=NDnp=ni2/NA

6.1半导体基础例题6．2确定PN结的扩散阻挡层电压或内建电压对一特定的(硅)PN结，掺杂浓度给定为NA＝5xl018cm-3和N0＝5xl015scm-3，以及其本征浓度ni＝1.5xl010cm-3，求在T＝300K下的阻挡层电压。解：阻挡层电压直接由(6．20)式确定：内建电势依赖于掺杂浓度和温度。对不同半导体材料（本征载流子浓度不同），即使掺杂密度是相同，其内建电压将是不同的。要确定沿X轴上的电势分布，可应用泊松(Poisson)方程，在一维分析下写成设定均匀掺杂和跳变结点近似，如图6.5b所示，而有每一材料中的电荷密度：其中d

p和dn分别是在P型半导体和N型半导体中空间电荷的延伸长度，见图6．5(a)。对上式积分可求出半导体在空间范围—dp≤x≤dn内的电场：其中：ρ(x)是电荷密度，εr是半导体的相对介电常数。电场分布见图d6.1半导体基础正空间电荷区在N型半导体内的延伸长度：正空间电荷区在N型半导体内的延伸长度：总长度：三、结点电容：是射频器件的一个重要参量，因为在高频运行下低电容意味着有快捷的开关速度和适应能力。通过熟知的平扳电容器公式可找出结电容：C=εA/ds把距离代人上式．得到电容的表达式如下如果外电压VA加到结点上：出现如图6．6所示的正反两种情况，说明了二极管的整流器作用。6.1半导体基础反向馈电见图6．6(a)增加空间电荷区并阻断电流流动，只是由少数载流子(N型半导体中的空穴和P半导体中的电子)造成的漏电流。与此相反，正向馈电由于在N型半导体中注入额外的电子和在P型半导体中注入额外的空穴，而使空间电荷区缩小。为表述这些情况，必须对上面给出的方程(6．27)和方程(6．28)加以修改，用Vdiff-VA代替原式中的阻挡层电压Vdiff：可看出：空间电荷区或是增大或是缩小取决于VA的极性。导致空间电荷区或耗尽层的总长度：6.1半导体基础例题6．3计算PN结的结电容和空间电荷区的长度对于硅半导体的一个跳变PN结，在室温下(εr＝11．9，ni＝xl010cm-3其施主和受主浓度分别等于NA＝l015cm-3和N0＝5xl015cm-3。意欲找出空间电荷区dp和dn以及在零偏置电压下的结电容。证明PN结的耗尽层电容表示成下列形式：

其中cJ0是零偏置电压下的结电容。确定cJ0，并描述出耗尽层电容与外电压的函数关系(设PN结的横截面积A＝10-4CM2)。解：把外电压VA引入到电容表达式(6.30)中．得到：令：计算得：CJ0=10.68PF当外加电压接近内建(阻挡层)电势时．结电容趋于无限大。然而在实际上此时开始达到饱和，这将在后面介绍6.1.3肖特基接触肖特基分析了当一金属电极接触一半导体时所涉及的物理现象。如：如果P半导体与铜或铝电极接触，就有电子向金属扩散的趋势，而在半导体中留下空穴，使其中的空穴浓度增加。这种效应的结果是改变界面附近的价带和导带能级。见图6．9(a）所示能带结构中的局域变化。由于有更高的空穴浓度，价带弯向费米(Fermi)能级。由于更低的电子浓度、导带向离开费米(Fermi)能级的方向弯曲。对这样一种组态，不管外加电压的极性，总是得到一低电阻的接触．如图6．9(b)所示。当金属电极与N半导体接触时，出现更类似于PN结的性能：由于电子从半导体向金属迁移，在半导体中产生一小的正电荷密度。因为：当两种材料分开时，半导体(较低的逸出功)相对于金属(较高的逸出功)有较高的费米能级(较低的逸出功)。然而一旦两种材料接触时，费米能级必须是相同的，就产生两者能带的弯曲。电子从N型半导体扩散出去．留下正空间电荷。耗尽层增大．直到空间电荷的静电排斥作用阻止电子进一步扩散为止。图6．10给出两材料在接触前后的情况。与金属逸出功WM＝qVM有关，其中VM记为费米能级与电子逸出成为自由粒子时参考能级之间的差；对某些常用金属的VM值见表6．2。上式中qx电子亲和能势是从导带到该同一参考能级来测定的．电子亲和电势x的值对si为4.05V，对Ge为4.07v有如在州结构p样，建立起内建肖特基阻挡层电压Vd的表达式:其中：导带与费米能级之间的附加电压Vc与掺杂浓度ND和导带中态浓度Nc有关。求解Vc得能量：Wb=qVb虽然实际的金属与半导体界面间通常有一极窄的附加绝缘层，忽略这层的影响，并且只涉及半导体中空间电荷长度：肖特基结点的结电容：例题6．4计算肖特基二极管的阻挡层电压、耗尽层电容和空间电荷区长度金属材料黄金与八型半导体接触的界面可形成肖特基二极管。半导体的掺杂浓度ND=1016cm3，金属逸出功VM是5．1v。还有如上述si的电子亲和电势x＝4.05v。求肖特基阻挡层势Vd，空间电荷长度ds和结电容cj，已知si的相对介电常数εr＝11．9。设二极管截面积A＝10-4cm2，温度为300K这例题表明：在同样截面大小和同样掺杂下金属一半导体二极管的耗尽层电容远比PN结小，使前者可在更高频率下工作。6．2射频二极管

所对应的小信号等效电路模型示于图6．12。其中结电阻RJ与偏置电流有关，串联电阻Rs由外延层电阻和基底电阻合成Rs=Repi+Rsub。连接线的电感是固定的，其近似值的量级为Ls=0.1nH,结电容CJ与前面一样计算(6．40式)。由于有电阻Rs，实际的结电压等于外加电压减去在二极管串联电阻上的电压降，结果成为上式所示的修正的指数表示式肖持基二极管的各电路元件的典型值为：Rs=2-5Ω，Cg=0.1-0.2pF,RJ=200-2kΩ。注意：在低于0.1mA的小偏置电流下，IRs可忽略；但对于某种应用，串联电阻会形成反馈回路，这意味着电阻被乘以一个按指数增长的增值因子。在这种情况下，IRs必须加以考虑。在高频肖特基二极管的实际电路中，即使是很小的金属接触(典型的接触面直径为10μm或更小)也会引起相对大的寄生电容。此时可通过附加一绝缘环减少杂散电容，如图6．13所示。

由电流表达式围绕静态工作点VQ展开，便可求出小信号结电容和结电阻：二极管总电压可写成直流偏置电压VQ和一交流信号载波频率分量Vd：代入得：泰勒展开简化得：结电阻：6．2射频二极管以VQ替换VA代入下式，便可得结电容6.2射频二极管6.2.2PIN二极管用途：PIN二极管可应用于作为高频开关和电阻范围从小于1Ω到1kΩ的可变电阻器(衰减器)，射频工作信号可高达50GHz。结构：像三明治一样，在高掺杂的P＋和N＋层之间夹有一本征的(1层)或低掺杂半导体的中间附加层。中间层的厚度根据应用要求和频率范围取值在1到100µm间。特性：１、电压是正向时，这二极管表现为像是一个受所加电流控制的可变电阻器。２、电压反向时，低掺杂的内层产生空间电荷，其区域达到高掺杂的外层。这种效应即使在小的反向电压下就会发生，直到高电压下基本上保持恒定，其结果使这二极管表现为类似于平行板电容器。如：具有内I层厚度为20µm的硅基PIN二极管，表面积为20µm，其扩散电容的量级为O．2pF。

一般形式的PIN二极管及经台面处理的实用器件如图6．14，与常规的平面结构相比，台面形位的杂散电容大为减少。

I-V特性的数学表述与电流的大小和方向有关。

正向情况并对轻掺杂N型本征层，流过二极管的电流为：其中w是本征层宽度；τP是过剩的少数载流子寿命，它可高到1µs的量级；ND是轻掺杂N半导体中间层中的掺杂浓度。对于纯本征层ND＝ni总电荷：Q=IτP得

扩散电容：反向情况：I层得空间电荷长度对电容起支配作用：6.2射频二极管如右图：用一射频线圈(RFC)在DC下短路而在高频下开路。用隔直流电容(CB)在DC下开路而在高频下短路。这是一典型的衰减器的电路，其中PIN二极管既用于串联又用于并联的情况。A、正DC偏置电压下，对于射频信号．串联PIN二极管表现为一电阻。并联PIN二极管则建立了一个短路条件，只允许有一小到可忽略的RF信号出现在输出端，此时并联驯二极管的作用像是一个具有高插入损耗的高衰减器。B、在负偏置条件下，串联PIN二极管像是一个具有高阻抗或高插入损耗的电容器，而有高并联阻抗的并联二极管对RF信号没有明显的影响。常用的专业术语：转换器损失TL：可用S参量的S21计算

6.2射频二极管图6．17画出了在给定的结电阻范围内正偏置条件下的转换器损失(dB)：例题6．5计算在串联设置下PIN二极管的转换器损失(在正偏置和负偏置条件下）求求找串联下正偏置和负偏置PIN二极管的转换器损失(ZG=ZL=Z0=50Ω)。设结电阻值RJ在正偏置下为1Ω到20Ω范围内。负偏置工作条件造成结电容值取CJ＝0.1，0.3，o.6，1.3，和2.5pF，同时，感兴趣的频率范围从10MHZ扩展到50GHz解：基于(6．51)式和图6.15，借助于电压分压器定则，求出转换器损失为和相反，图6.18是在负偏置条件下．这时PIN二极管基本上反应为一纯电容。6.2射频二极管6.2.4IMPATT二极管（碰撞雪崩渡越二极管）结构：类似于PIN二极管。如图：

与PIN二极管的区别在于高的电场强度，在N+和P层之间的界面上该场强通过碰撞电离造成载流子的雪崩。用途：选择合适的本征长度和适当的掺杂浓度，能产生900的附加时延。电路图：如右：特性：在低于二极管的谐振频率f0时，其电抗为电感性质，总电阻是正的；超过二极管的谐振频率时转为容性电抗，总电阻变为负的。相关的电路参数：谐振频率：6.2射频二极管6.2.5隧道二极管隧道二极管是PN结二极管，它是由极高掺杂产生极窄的空间电荷区。造成电子和空穴超过在导带和价带中有效态浓度。费米能级移到N+层的导带Wcn和P+半导体的价带Wvp上。如图6．24在两种半导体层中容许的电子态只通过一个极窄的势垒而被分开。

根据量子力学，存在一定的概率，在无外供电压作用，电子能够穿过窄隙（克服势垒）而逸出进行交换，这就是隧道效应。在热平衡条件下，从N到P层的隧道效应与从P到N层的相反的隧道效应是平衡的。结果没有纯电流出现。特性：如图6．25(b)至图6．25(e)，以四种不同情况下相应的能带变形，解释了隧道二极管的特定的电流—电压响应。图6．24和图6．25(c)所显示的是平衡条件下无电流；图6，25(b)为外加负偏压VA，在P层中产生高的电子态浓度，这造成比相反情况有更高的概率隧穿到N层。即使是小的负偏压下也能观察到电流的陡峭增长；图6．25(d)为外加小的正电压，自由电子的储存区移到N型半导体，而在P型半导体中引起自由电子态的增加，则作为对电子隧道作用的反应，有正电流自N层流向P层。但当外加电压达到临界值VA=Vdiff，就不发生重迭的能带结构[即能产生隧道效应的条件Wcn<Wvp不再存在，如图6.25(e)。穿过隧道二极管的电流趋于极小值。在临界电压点Vdiff以上，该二极管重新表现如常规PN结二极管那样，电流按指数增长。6.2射频二极管隧道二极管的等效电路：

如图6.２６所示．（类似于图6．23示出的IMPATT二极管的电路）。这里图中Rs和Ls是半导体层的电阻和引线电感。结电容CT与负电导—g＝dI／dV并联，后者是由图6.25(a)给出的I-V曲线的负斜率得出的。如图6.２7所示为含有隧道二极管的一个简单的放大器电路。令功率放大因子Gr为负载RL上的功率与来自源的最大有效功率Ps＝∣VG∣2

／(8RG)的比值，得到在谐振下功率放大因子的表达式：其中Rs的影响被忽略。如果合理选择g值当(g＝1／RL+1／RG)，则上式中分母趋于零，此时放大器变成振荡器。

6.2射频二极管6.2.6TRAPATT,BARRITT和Gunn二极管下面简要介绍另外三种形式的二极管，但不涉及其电路描述及电参量的定量推导。一、TRAPATT：是俘获等离子体雪崩触发渡越的缩语，TRAPATT二极管是IMPATT二极管在效率上的增强，通过利用能带隙的势阱使实现更高的效率(直到75％)。这类势阱是位于能带隙内的能级，并可俘获电子。外电路保证在正半周时产生高的势垒电压，造成电子一空穴等离子体中的载流子倍增。造成在负半周时二极管的整流特性中出现击穿。由于电子—空穴等离子体的建立过程要比在IMPATT二极管中穿过中间层的渡越时间较慢些，故该管的的工作频率稍低于IMPATT二极管。二、BARRITT：是势垒注入渡越时间的英语缩称。它本质上是渡越时间二极管，其P+NP+掺杂分布的作用像是一个无基极接触的晶体三极管。其空间电荷区域从阴极通过中间层扩展到阳极中；其小信号等效电路模型包括一电阻和—并联电容，电容值与DC偏置电流有关。不同于IMPATT二极管，其AC电路产生一负相位(直到-900)，有5％或更小的相对低的效率。ARRITT二极管在雷达的混频器和检波电路中得到应用。三、Gunn二极管(耿氏二极管)是以其发明者命名的。他在1963年发现在某种半导体(GaAs，InP)中，足够高的电场强度能造成电子散射到能带隙分隔增大的区域中；由于带隙能的增加使电子在迁移率μ0受到损失。例如在GaAs中当场强从5kv赠强到7kv／cm时．漂移速度从2x107cm/s降落到小于107cm/s。负的微分迁移率为：它被用于振荡电路中。为开发Gunn效应在RF和Mw中的应用，需要有一特定的掺杂分布，以保证一旦电压超过所要求的阀值时，就产生稳定的、单—载流子的空间电荷区。6．3BJT双极结晶体管双极晶体管的组成是在NPN或PNP配置下三层交替掺杂的半导体。双极是指少数和多数载流子两者造成内部电流。6．3．1结构由于它的低成本结构、相对高的工作频率、低噪音性能和高的可运行功率容量，BJT成为最广泛采用的有源RF器件之一。通过一特殊的发射极—基极结构(它作为平面结构的一部分)可达到高功率容量。图6．28(a)和图6．28(b)分别表示平面结构的剖面图和交叉指发射极—基极连接的顶视图。由于图6．28(b)的交错结构，基极—发射极电阻保持在极小值，而不损害其增益特性。由于降低了通过基极—发射极结的电流密度(散粒噪音)和降低了在基极中的无规热运动(热噪音)，低的基极电阻直接改善了信噪比，再增加掺杂浓度(1020-1021cm-3量级)，这两措施既降低基极电阻又增加电流增益。6．3BJT双极结晶体管但是，要保持电极的牢固度十分困难，并且需要自对准处理。进而，受主和施主浓度很快达到Si或GaAs材料的溶解度极限，从而对电流增益规定了一个物理极限。因此，异质结双极晶体管(HBT)应运而生，且越来越流行。HBT可达到高电流增益，而无需对发射极过度掺杂。它添加了半导体层(例如GaALAs-GaAs三明治结构)．使电子电流注入到基极得到加强，而相反的空穴注入到发射极则得到抑制。结果有极高的发射极效率，这种效率定义为到达基极的电子电流对同一电子电流加上反向到发射极的空穴电流之比。图6．29给出这样一种结构的剖视图。除GaAs外，用InP发射极和InGaAs基极界面已实现了异质结；InP材料有击穿电压高、能带隙较大和热传导较高的优点。已达到工作频率超过100Gh．同时基极和集电极之间载流子的渡越时间o．5PS。6．3BJT双极结晶体管6．3．2功能

种类：有两类BJT：NPN和PNP晶体管。这两类之间的差别在于：用于产生基极、发射极和集电极的半导体的掺杂。对于NPN晶体管，集电极和发射极用N型半导体做成，而基极是P型做成的。BJT是一种电流控制器件．如图6．30示意出其结构、电符号和有相关的电压与电流规定(针对结结构)的二极管模型。以NPN为例。在正常的工作模式(即正向激活模式)下，发射极—基极二极管工作在正向(VBE=0.7V)，而基极—集电极二极管是反向的。这样，发射极注入电子到基极，与此相反，空穴电流从基极到发射极，如果使集电极—发射极电压保持在大于所谓的饱和电压(典型值约为0.1V)，因基极很薄(dB≤lµm量级)并且是经度掺杂的N型层，通过基极电流供给的只有少量电子与空穴复合。大量的多数电子到达基极结，并被外加负电压VBC收集。反向激活模式，集电极—发射极二极管电压是负的(典型值VCE=0.1v)，基极—集电极二极管上是正偏压，同时基极—发射极二极管现在是反向工作。不同于正向激活模式，此时电子流从集电极跨过基极到达发射极。最后，饱和模式包含基极—发射极结和基极—集电极结两者的正向偏置。在开关电路方面有重要作用。6．3BJT双极结晶体管共发射极配置为例图6．31(a)描绘出一类偏置安置，这里通过适当选择偏置电阻RB和电压源VBB使基极电流固定，从而使工作在合适的Q点上。输入特性：图6．31(b)示出，基极电流对基极一发射极电压的关系遵循一条I-V特性曲线而变化，它构成晶体管的输入特性。在负载线和晶体管输入特性曲线的交点上基极电流和基极一发射极电压分别为IB0和VBE0。输出特性：集电极电流对集电极一发射极电压的变化关系作为晶体管输出特性的一部分按更为复杂的方式进行．因为集电极电流必须处理为与基极电流(IB1<IB2…)有关的参量曲线，参见图6．3l(c)。6．3BJT双极结晶体管通过考察三种工作模式，设置对应的工作点和列出不同电流公式，可定量分析BJT的特性。为简单起见，将忽略各个空间电荷区的空间长度，并设置典型的有代表性的电流和电压条件。为记录下在三层半导体中不同的少数／多数载流子和掺杂条件，表6．3概括了这些参量和相应的符号。6．3BJT双极结晶体管性能分析：

设定浓度满足：A、正向激活模式如图6．32所示的配置。这里浓度画成穿过二层半导体的距离函数。对于在对应层中少数载流子的空间浓度，我们依赖短二极管(见附录F)分析，它把指数近似成线性电荷浓度梯度。每层中少数载流子浓度如下：●发射极：●基极：●集电极：得发射极中空穴扩散电流密度：基极中电子扩散电流密度：集电极电流：基极电流正向电流增益：集电极与发射极电流之比为：6．3BJT双极结晶体管6．3BJT双极结晶体管B、反向激活模式图6—33显示出带有相关的空间电荷区的少数载流子浓度(即：基极—发射极二极管是反向偏置的，而基极—集电极二极管是正向偏置)。在每一层中少数载流子的浓度如下：●发射极：●基极：●集电极；由扩散电流密度可求出反向发射极电流：反向基极电流：反向电流增益集电极与发射极电流之比：6．3BJT双极结晶体管C、饱和模式这种模式两个二极管都是正向偏置，因此基极中的扩散电流密度是正向和反向载流子流的组合，得：遵从正发射极电流方向的规定，发射极电流为：因为可把BJT处理成一对称性器件，集电极电流以类似方式可为三种电流的组合：正向集电极电流、反向发射极电流和附加的空穴扩散电流。得出以下方程：

求解得基极电流

注意：内发射极电流的流向表示与习惯上外电路规定的符号相反。6．3BJT双极结晶体管6．3．3频率响应

微波BJT的过渡频率fT(即所知的截止频率)是一个重要的品质因素，它决定着当共发射极、短路电流增益hfe降为1时的工作频率。该过渡频率fT与载流子穿过发射极一集电极结构所需的渡越时间τ有关：其中：τE、

τB、

τC分别是发射极、基极和集电极中的时延。即基极-发射极耗尽区充电时间：基极层充电时间：基极-集电极结的空间电荷区wc的渡越时间：η与掺杂分布有关，其变化范围从对均匀掺杂基极层的η＝2，直到对高度非均匀掺杂层的η=60vs代表饱和漂移速度6．3BJT双极结晶体管BJT工作在RF和MW频率下还存在：在高频下的趋肤效应从物理上限制了电流流向发射极的外周界。为保持充电时间尽可能低，把发射极做成极窄(1μm)带的格栅图样的结构。但是，所替换的是小的表面积上的高电流密度，限制了可运用的功率容量。其他增高截止频率的方法还用高掺杂度以减小基极渡越时间常数τB。由上可见，发射极充电时间反比于集电极电流．因而增大集电极电流使过渡频率更高。然而，当电流达到足够高值时，注入到基极的电荷浓度变得与基极的掺杂浓度可比拟，将造成有效基极宽度的增加、随之降低过渡频率。通常BJT管会提供过渡频率随集电极电流的变化关系指标。如右图为宽频带NPN晶体管BFG403W的过渡频率与集电极电流的函数关系。6．3BJT双极结晶体管6．3．4温度性能在本章，几乎所有用于描述半导体器件静态和动态性能的参量都要受到结温度Tj的影响。例1：如图6．35中正向电流增益βF在一给定的VCE，不同的结温度时与集电极电流Ic的函数关系。例2：图6．36所示，不同的温度条件下，晶体管的输入特性。即基极电流与基极—发射极电压的函数关系。这两个例子强调出在设计射频电路时考虑温度影响的重要性。如：在设计世界各地使用的蜂窝电话时．必须保证其电路达到操作人员所遇到的温度条件的规格要求。标准规格通常覆盖温度范围为—50℃到80℃。管子的最大功率耗散也与温度密切相关。通常制造商提供一条器件的功率变坏曲线，它特定出一温度Ts，在此温度以下晶体管能工作在最大有效功率Ptot下。结温度超过Ts，功率将降低，

Rthjs为结与焊点(或管壳)之间的热阻，Tjmax为最高的结温度，6．3BJT双极结晶体管为简化分析，应用热等效回路，并按以下的对应性：●热功率耗散；电流●温度；电压如图6．37，供给器件的总电功率通过含有热阻的热回路实现平衡。设：结到焊点间的热阻等于Rthje：其值受结和焊点的温度Tj和Ts以及热功率有关。也与热导率γth和BJT的表面积有关。

焊点温度受到管壳和热沉之间过渡的影响。热沉代表下式所表示的热阻：式中δhs是对流系数，它的值变化范困宽广，Ahs是热沉的总表面积。6．3BJT双极结晶体管6．3BJT双极结晶体管6．3．5极限值在一特定温度下总功率耗散能力限制了BJT的安全运行范围。如在共发射极形式的激活模式，此时BJT或工作于饱和或工作于截止模式。对于给定的BJT最高功率额定值，

可改变集电极一发射极电压，测定可允许的集电极电流Jc＝Ptot／Vce(假定在高β值下．与集电极电流相比，基极电流小到可忽略)；或改变集电极电流并测定可允许的集电极一发射极电压。

结果得到最高功率的双曲线。如图6．38必须保证做到Jc≤Icmax和Vce≤Vcmax要地一，如在图6．38。

安全工作区(SOAR，图中的阴影区)被定义为一组偏置点，在这里晶体管能正常工作，不会有对器件构成无法修复的破坏的危险。这比由最大功率双曲线界定的子集更为严格，因为还必须考虑两种击穿机理：

1．第一类击穿：此时集电极电流密度存在一非均匀分布。这将造成局域温度增加．转而降低了部分集电极区域的电阻，建立起一通道。通过这通道的电流密度进一步增加，直到这种正反馈破坏晶体结构为止(雪崩击穿)，最终破坏晶体管本身。

2．第二类击穿：这种击穿机理能独立于第一类机现而发生，主要影响功率BJT。内部过热会导致在恒定Vce下集电极电流的突然增长。当温度升高到使本征浓度等于集电极的掺杂浓度时，通常在基极一集电极结上发生这种击穿机理。这时结电阻突然减小，造成电流剧烈增长，并使结熔化。注意：在短时间内BJT能超出SOAR，甚至超过最大功率双曲线之外，因为与电路时间常数相比，温度响应有大得多的时间常数(微秒量级)。在设计时，另外的重要参量是发射极、基极和集电极断开条件下的最大电压条件，这就是集电极断开下的集电极一基极电压、基极断开下的集电极一发射极电压)和集电极断开下的发射极一基极电压。如：BFG403W有以下值：

不同于BJT，场效应晶体管(FET)是单极性器件,意思是只有一种载流子，或是空八或是电子对穿过通道的电流作贡献。如果是空穴贡献就说成是P沟通道FET，否则就说成是N沟通道FET。FET是电压控制器件，通过改变在栅极上所加电压，产生可变电场来控制从源极到漏极的电流。

6．4射频场效应晶体管6．4．1结构FET按照如何把栅极连接到导电沟道而进行分类的。有以下四种类型：1.金属绝缘栅半导体FET[MISFET]：这里栅极通过一绝缘层与沟道分开。是最为广泛应用的类型之一。金属氧化物半导体(M0SFET)属于此类。2.结型场效应晶体管(JFET)：这种类型依靠一负偏置的PN结把栅极与沟道绝缘。3．金属半导体FET[MESFET]：如果把负偏置PN结换成肖特基接触，沟道能被控制如在JFET中的情况。4.异质FET（HeteroFET)：其结构使用不同半导体层之间的突变过渡。高电子迁移率晶体管（HEMT）属于这类。图6．39给出了前三类的概貌。在这三种情况下，电流从源指向漏极，用栅极控制电流。6．4射频场效应晶体管MISFET和JFET具有较低截止频率，通常工作于1GHz以下的低和中等频率范围内。MESFET可使用于60-70GHz范围内，而HEMT可工作于超过100GHz。射频应用主要是后两种类型。除了上面的物理分类外，习惯上按照增强型或降低型对HP的电性能进行分类。这样意味着沟通或经历载流于的增长(例如用电子注入N型沟道)或经历载流子的降低(例如N型沟道中电子耗尽)。在图6．39(a)中FET是不导电的或常开的，直到一足够高的正栅压建立起导电沟道，常开的FET只能工作在增强模式。常闭的FET能在增强和降低型两种模式中工作。6．4射频场效应晶体管6．4．2功能以MESFET为例分析，图6．40所示，此处晶体管工作在降低(耗尽)模式。肖特基接触建立起一沟道空间电荷区，这将影响从源极到漏极的电流。按照在6．1．3节中的讨论，空间电荷长度ds可通过栅极电压来控制，得：源极到漏极之间的电阻：漏极电流：表明：漏极电流与漏极-源电压线性相关，当漏极-源电压增加时，在漏极接触处附近的空间电荷区同样增长，造成沿沟道耗尽区的不均匀分布；参见图6．40(b)。此时，可用渐变沟道近似法，求得非均匀空间电荷区的漏极电流，则沟道电流：6．4射频场效应晶体管则电荷长度修改为：得：在固定电压VGS下，MESFET的输出特性：当空间电荷扩展到整个沟道深度d时，此时的漏极-源电压称为漏极饱和电压VDsat漏极饱和电流其中Vp=qNDd2/2ε称夹断电压VTO=Vd-Vp称阈电压6．4射频场效应晶体管当VGS=0时，得到最大饱和电流IDsat(VGS=0)=IDSS饱和漏极电流：如图为典型的输入/输出转移特性及输出特性：6．4射频场效应晶体管6．4射频场效应晶体管在给定的VGS下如果VDS到达饱和电压VDsat，空间电荷夹断沟道。这意味着漏极电流达到饱和。但夹断并不是指ID为零，因为没有电荷势垒阻断载流子流动。外加电压VDS产生的电场“拉走”电子越过耗尽空间电荷层。任何额外增加使VDS〉VDsat，将造成沟道长度的缩短，从原来长度L缩短成新长度L’=L-∆L。则漏电饱和电流改变为：作为VDS函数的沟道长度上的变化通过所谓的沟道长度调制参量λ＝∆L/（L‘VDS）自行加以考虑。把在饱和区域中的漏极电流表示成：是特别有用的，测量表明当VDS增加时漏极电流稍有增加。6．4射频场效应晶体管沟道长度调制类似于在BJT中遇见的Early(厄雷)效应，当增高集电极一发射极电压时，在饱和模式下的集电极电流略有增加，这将在第7章中讨论。6．4射频场效应晶体管6．4．4极限值MESFET必须工作在由最大漏极电流IDmax，最大栅极一源电压VGSmax和最大漏极一源极电压VDSmax所局限的区域中。最大功率：同时它与沟道温度Tc和环境温度Ta以及沟道与焊点间的热阻Rthjs有关，关系如下式：6.4.3频率响应高频MESFET性能取决于在源极和漏极间行进的荷电载流子的渡越时间和器件的RC时间常数。关于时间常数以后讨论，这里只分析渡越时间。由于在Si和GaAs中电子比空穴有高得多的迁移率，在RF和MW应用中基本使用N沟道MESFET，且GaAs的电子迁移率比Si的电子迁移率约高5倍，大都选用GaAsMESFET器件。电子穿越栅极长度L的沟道，其渡越时间出下式计算：其中假定固定的饱和速度Vsat，如：栅极长度为1.0μm、饱和速度约为107cm/s时，则过渡频率：fT=1/(2πτ)为15GHz。6．4射频场效应晶体管如图6．44为MESFET典型的最大输出特性。图中还表示出3个可能工作点：偏置点3指出了低的放大和可能削减的输出电流。然而，功率消耗则处于最低值。偏置点2显示出在明显增大功率消耗下可接受的放大。偏置点1显示出在高功率消耗和低输出电流摆动下的高放大。在后续各章中将深入研究对于特定应用，选择合适工作点的问题。6．5高电子迁移率晶体管高电子迁移率晶体管