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文档简介
CMOS 现代CMOSgate-
p- n- p-
双阱 CMOS工
光氧 掩去光(沙洗
涂光刻
光刻光刻过程的典型操(from
显工 旋 烘 酸刻步 SiO2Afteroxidationanddepositionofnegativephotoresist
Chemicalor Afterdevelopmentandetchingofresist,chemicalor smaetchofSiO2Exposed
After
Stepper
CMOS定义有源腐蚀出和填 离子注入形成淀积形成多离子注入形成漏和接触区域淀积和金属,并成 CMOS
(a)Basematerial:p+substratewithp-epilayer
32 sacrificialnitride(actsasa2buffer(c)After smaetchofinsulatingtrenchesusingtheinverseof theactivearea CMOSSi2
Aftertrenchfilling,CMPsacrificialnAftern-wellandVTpadjustim n VTnadjust CMOSandetch Aftern+source/drainandp+source/drainim nts.TheseSi2
22 CMOSAfterdeposition
2AfterdepositionofSiOinsulator,etchingofvia’s,secondlayerofAl.2
CMOS WellActiveArea(n+,p+)Select(p+,n+)ContactToPoly
Same0
Different292 633232
orVia
233234 43 11325 (Via)(25 5 Metal Active
MetaltoPolyContact 222 2
321
CMOSA np- Cross-SectionalongA-
poly_not_fetpoly_not_fettoall_diffminimumspacing=0.14 (stick
1
DimensionlesslayoutOnlytopologyisFinallayoutgeneratedby“compaction”programStickdiagramof
D电学:低寄 WireLead 压焊(TapeAutomatic
Film+
Solder(b)Die entusingsolderPolymer(a)PolymerTapewithimprin
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