标准解读
《GB/T 41765-2022 碳化硅单晶位错密度的测试方法》是一项国家标准，旨在规范碳化硅单晶材料中位错密度的测量方法。该标准适用于通过化学气相沉积法生长的n型或p型4H-SiC和6H-SiC单晶片，以及采用其他工艺制备的同类产品。
根据标准内容，测试过程主要包括样品准备、腐蚀处理、显微镜观察与图像分析几个步骤。首先，在样品准备阶段，需确保待测样品表面清洁且无损伤；接着进行特定条件下的腐蚀处理，以使位错在材料表面形成可见的蚀坑；然后利用光学显微镜或扫描电子显微镜等设备对腐蚀后的样品表面进行详细观察，并记录下所有可见的蚀坑数量及其分布情况；最后，基于观察到的数据计算出单位面积内的位错数目，即为所求的位错密度值。
此外，《GB/T 41765-2022》还规定了不同尺寸样本的取样要求及测试报告应包含的信息项目。对于不同规格的碳化硅单晶片，其最小检测区域大小有所区别，但都必须保证能够代表整个晶圆的质量状况。同时，每份正式出具的测试报告至少需要包括样品信息（如型号、批号）、实验条件（如腐蚀液种类、浓度）、测试结果（位错密度的具体数值）等内容。
此标准的制定有利于提高国内碳化硅单晶材料质量控制水平，促进相关产业健康发展。
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- 现行
- 正在执行有效
- 2022-10-12 颁布
- 2023-05-01 实施
文档简介
ICS77040
CCSH.21
中华人民共和国国家标准
GB/T41765—2022
碳化硅单晶位错密度的测试方法
Testmethodfordislocationdensityofmonocrystallinesiliconcarbide
2022-10-12发布2023-05-01实施
国家市场监督管理总局发布
国家标准化管理委员会
GB/T41765—2022
前言
本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定
GB/T1.1—2020《1:》
起草
。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任
。。
本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会与全国半导体设备和材料标准
(SAC/TC203)
化技术委员会材料分技术委员会共同提出并归口
(SAC/TC203/SC2)。
本文件起草单位北京天科合达半导体股份有限公司有色金属技术经济研究院有限责任公司
:、。
本文件主要起草人彭同华佘宗静娄艳芳王大军赵宁王波郭钰杨建李素青
:、、、、、、、、。
Ⅰ
GB/T41765—2022
碳化硅单晶位错密度的测试方法
1范围
本文件规定了碳化硅单晶位错密度的测试方法
。
本文件适用于晶面偏离面偏向方向的碳化硅单晶位错密度的测试
{0001}、<1120>0°~8°。
2规范性引用文件
下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款其中注日期的引用文
。,
件仅该日期对应的版本适用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于
,;,()
本文件
。
半导体材料术语
GB/T14264
碳化硅单晶抛光片
GB/T30656
3术语和定义
和界定的以及下列术语和定义适用于本文件
GB/T14264GB/T30656。
31
.
螺位错threadingscrewdislocationTSD
;
位错线和伯格斯矢量平行的位错
。
32
.
刃位错threadingedgedislocationTED
;
位错线和伯格斯矢量垂直的位错
。
33
.
基平面位错basalplanedislocationBPD
;
位错线与伯格斯矢量均位于面内的位错
{0001}。
4原理
采用择优化学腐蚀技术显示碳化硅单晶中的位错由于碳化硅单晶中位错周围的晶格发生畸变
。,
当用氢氧化钾熔融液腐蚀碳化硅单晶表面时在碳化硅单晶表面的位错露头处腐蚀速度较快因而容
,,,
易形成由某些低指数面组成的具有特定形状的腐蚀坑在显微镜下观察碳化硅单晶硅面并按一定规则
。
统计这些具有特定形状的腐蚀坑单位视场面积内的腐蚀坑个数即为位错密度
,。
5干扰因素
51腐蚀过程中氢氧化钾熔融液温度和腐蚀时间会影响样品的腐蚀效果对测试结果产生影响
.,。
52腐蚀过程中氢氧化钾熔融液使用时长会影响样品的腐蚀效果建议熔融液使用时长不超过
.
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