标准解读
《GB/T 41751-2022 氮化镓单晶衬底片晶面曲率半径测试方法》是一项国家标准,规定了氮化镓(GaN)单晶衬底片表面晶面曲率半径的测量方法。该标准适用于通过不同生长技术制备的氮化镓单晶材料,旨在提供一种统一、准确的方法来测定其晶面弯曲程度。
在本标准中,首先明确了术语和定义,确保对“曲率半径”、“衬底片”等关键概念有共同的理解基础。接着详细描述了测试原理:基于光学干涉或衍射效应,利用特定仪器如原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)等工具进行非接触式测量,从而获得样品表面形貌信息,并据此计算出曲率半径值。
对于实际操作流程,标准给出了详细的步骤指导,包括但不限于样品准备、仪器校准、数据采集及处理等方面的要求。其中特别强调了实验条件控制的重要性,比如温度、湿度等因素可能会影响测量结果的准确性,因此需要严格遵守相关规范以保证测试的一致性和可靠性。
此外,《GB/T 41751-2022》还提供了质量控制与验证指南,建议定期使用已知参数的标准样品来进行系统性能检查;同时,也提出了关于不确定度分析的具体要求,帮助使用者更好地理解并报告测量结果中的潜在误差范围。
最后,该文件列出了报告格式示例,要求最终提交的技术文档应包含所有必要的实验细节以及完整的数据分析过程,以便第三方能够复现整个实验过程并对结论进行独立评估。
如需获取更多详尽信息,请直接参考下方经官方授权发布的权威标准文档。
....
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- 现行
- 正在执行有效
- 2022-10-12 颁布
- 2023-02-01 实施



文档简介
ICS77040
CCSH.21
中华人民共和国国家标准
GB/T41751—2022
氮化镓单晶衬底片晶面曲率半径测试方法
TestmethodforradiusofcurvatureofcrystalplaneinGaNsingle
crystalsubstratewafers
2022-10-12发布2023-02-01实施
国家市场监督管理总局发布
国家标准化管理委员会
GB/T41751—2022
前言
本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定
GB/T1.1—2020《1:》
起草
。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任
。。
本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会与全国半导体设备和材料标准
(SAC/TC203)
化技术委员会材料分技术委员会共同提出并归口
(SAC/TC203/SC2)。
本文件起草单位中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所苏州纳维科技有限公司中国电子
:、、
科技集团公司第四十六研究所哈尔滨奥瑞德光电技术有限公司厦门柯誉尔科技有限公司山西华晶
、、、
恒基新材料有限公司福建兆元光电有限公司
、。
本文件主要起草人邱永鑫徐科王建峰任国强李腾坤左洪波郑树楠刘立娜杨鑫宏
:、、、、、、、、、
邝光宁丁崇灯陈友勇
、、。
Ⅰ
GB/T41751—2022
氮化镓单晶衬底片晶面曲率半径测试方法
1范围
本文件规定了利用高分辨射线衍射仪测试氮化镓单晶衬底片晶面曲率半径的方法
X。
本文件适用于化学气相沉积及其他方法制备的氮化镓单晶衬底片晶面曲率半径的测试氮化镓外
,
延片晶面曲率半径的测试可参照本文件进行
。
2规范性引用文件
下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款其中注日期的引用文
。,
件仅该日期对应的版本适用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于
,;,()
本文件
。
半导体材料术语
GB/T14264
3术语和定义
界定的以及下列术语和定义适用于本文件
GB/T14264。
31
.
衍射平面diffractionplane
射线入射束衍射束构成的平面
X、。
32
.
晶面曲率半径curvatureradiusofcrystalplane
R
衬底片名义晶面与通过衬底片中心点垂面的交线可近似的看作一段圆弧该圆弧对应的半径
,。
注1在本文件中晶面曲率半径带有符号正号表示样品名义晶面相对于测试表面为凸起状负号表示样品名义
:,,,
晶面相对于测试表面为凹状
。
注2晶面曲率是晶面曲率半径的倒数
:。
33
.
入射角incidentangle
ω角ω
angle
射线衍射仪入射射线与样品台表面的夹角
XX。
34
.
摇摆曲线rockingcurve
固定衍射仪探测器位置连续改变ω角并记录衍射强度得到的测量曲线
,。
4方法原理
41单晶的原子以三维周期性结构排列其晶体可以看作是由垂直距离为d的一系列平行原子平面所
.,
构成当一束平行的单色射线射入该平面上若入射光与原子平面间的
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