工业催化原理第五章半导体催化剂第二讲课件

第五章半导体催化剂第二讲5.2.2不同吸附态的氧与催化反应σ方式O-O距离拉长反应性能加强Back

催化剂表面上氧的吸附态现在人们普遍认为，在催化剂表面上氧化的吸附形式主要有电中性的氧分子O2和带负电荷的氧离子（O-，O2-）。人们已用电导，功函，ESR测定和化学法确定了几种氧化物种。第二类n-型半导体，具有较多的能提供电子给吸附氧的中心，使吸附氧带较多的负电荷，形成O-。例如：ZnO，SnO2，TiO2，第三类是不吸附氧和具有盐特征的混合物，其中氧与具有高氧化态的过渡金属中心离子组成具有确定阴离子例如：MoO3，WO3ReactantM1n-1ProductO2-2eM2m-1晶格氧反应补充O补充晶格氧Reduction–oxidationmechanism

Oxidationofethened

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s;Px,Py,Pz.烯烃多相氧化结果表明，烯烃结构不同直接关系到其与催化剂成键的特性，从而得到不同产物。含αH的烯烃，它的C—H（α）键强比其他烃的C—H键强弱（63~82）kJ/mol。5.2.3丙烯氧化与氨氧化用MoO3系催化剂实验表明，在某些催化剂上该键更容易被氧化而得到相应的部分氧化产物。丙烯含αH，它易氧化成丙烯醛，丙烯酸，氨氧化成丙烯腈。所用的催化剂有Bi2O3—MoO3，CoO—MoO3，SnO2—MoO3，TcO2—MoO3等体系，其中以Bi2O3—MoO3效果最好，工业上广泛采用。V2O5系催化剂用于许多氧化反应上，例如丁烯氧化合苯氧化制顺酐，邻二甲苯氧化合萘氧化制苯酐等。SO2氧化制SO3是生产硫酸的主反应，其活性组分都是V2O55.2.4SO2氧化制SO3用V2O5催化剂二、选择性氧化比较复杂三、键能类型与催化活性的关系金属-氧键能越高，催化活性越低氧化物表面的M=O键性质与催化剂活性、选择性的关联1.晶格氧（O=）起催化作用的发现：萘在V2O5上氧化制苯酐的催化循环：Mn十－O(催化剂)+R→RO++M(n-1)+(还原态)2M(n-1)+(还原态)+O2→2Mn十–O＝(催化剂)根据众多的复合氧化物催化氧化概括出：①选择性氧化涉及有效的晶格氧；②无选择性完全氧化反应，吸附氧和晶格氧都参加反应，③对于有两种不同阳离子参与的复合氧化物催化剂，一种阳离子Mn+承担对烃分子的活化与氧化功能，它们再氧化靠沿晶格传递的O＝离子；使另一种金属阳离子处于还原态，承担接受气相氧。这种双还原氧化(dual-redox)机理，完全类似于均相催化的Wacker氧化反应。2.金属与氧的键合和M=O键的类型Co2+的氧化键合Co2++O2+Co2+→Co3+

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―Co3+可以有三种不同的成健方式形成M=O的σ-π双键结合：①为金属钴的eg轨道与O2的孤对电子形成σ键；②为金属钴的tg轨道与O2的π分子轨道形成σ键；③为金属钴的t2g轨道（即dxy，dyz，dxz）与O2的π*分子轨道形成π键。图3-39M=O键合的形式(M．O.是分子轨道的符号表示)Боресков利用在真空下测出金属氧化物表面氧的蒸气压与温度的关系，再以 与1／T作图，可以求出相应M=O键的键能。用B(kJ／mol)表示表面键能，S％表示表面单层氧原子脱除的百分数。B与S％的对画线在S=O处即M=O键的键能值。

图3-40金属氧化物表面M=O键键能与S％关系对于选择性氧化,金属氧化物表面键能B值大一些可能有利，因从M=O键脱除氧较难些，可防止深度氧化的可能。

Баландин认为，如果以下述过程MOn(固)→MOn-1+½02(气)-Q0之热效应Q0作为M=O键能衡量的标准，