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第六章CVD技术简介第一节化学气相沉积技术的发展历史化学气相沉积是利用气态或蒸汽态的物质在气相或气固界面上反应生成固态沉积物的技术．化学气相沉积原意为化学蒸汽沉积(ChemicalVaporDeposition,ForShortCVD)２０世纪６０年代该项技术的另一名称为蒸汽镀根据沉积过程分为PVD和CVDPVD包括：真空蒸发、溅射、离子镀直接依靠气体反应或等离子体放电增强气体反应的称为CVD或PCVDorPECVD(PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition)20世纪50年代注重于刀具涂层的应用。20世纪60~70年代注重于半导体和集成电路技术发展和生产需求，CVD技术成为超纯硅原料的唯一生产方法和Ⅲ~Ⅴ族半导体、Ⅱ~Ⅵ族半导体单晶外延的基本生产方法。20世纪80年代低压CVD金刚石薄膜第二节化学气相沉积的技术原理CVD技术在无机合成和材料制备的特点：淀积反应发生则淀积物按原有固态基底的形状包复薄膜可以得到单一的无机物质，作为原材料制备若采用某种基底材料，在淀积物达到一定厚度并又容易与基底分离，可得到特定形状的器具可以淀积生成晶体或细粉末状物质CVD技术的要求反应原料是气态或易于挥发成蒸汽的液态或固态物质反应易于生成所需要的沉积物而其它副产物保留在气相中排出或易分离整个操作较易于控制化学气相沉淀的反应类型简单热分解和热分解反应沉积氧化还原反应沉积合成反应沉积化学输运反应沉积等离子体增强的反应沉积其他能源（激光）增强的反应沉积第三节化学气相沉积的装置气源控制部分沉积反应室沉积温控部件真空系统压力控制系统其他（增强或激活设备）半导体超纯多晶硅的沉积生产装置常压单晶外延和多晶薄膜沉积装置等离子体增强CVD装置123环状喷口衬底低压系统Plsama微波发生器CoolingWaterMicrowaveO2MFCO2PumpAerosolMFCArAr脉冲式计量泵超声波发生器Precursor超声喷嘴ECR控制面板前驱液多孔阀控温系统电炉Ni-Cr板

第四节CVD技术的理论基础气相生长动力学模

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