清华同方LED产业训练教材

南通同方半导体有限公司

LED产业训练教材本套LED产业训练教材由南通同方半导体有限公司销售中心、外延技术部、芯片部、品质部与技术中心共同主办。本教材共五章，第一章、第二章由童敬文副总监编写，第三章由庄曜励总监编写，第四章由吴东海博士编写，第五张由蔡佩芳总监编写。同时感谢光源与器件项目组副总郭天宇、销售中心马楠副总监的热心指导，在此深致谢忱。前言第一章LED衬底第二章LED外延第四章LED器件封裝第三章LED芯片設計及製作目录第五章LED品控檢測1.1蓝宝石结构1.3晶棒制作1.4晶片制作1.5干法刻蚀制作PSS1.6干法刻蚀制作PSS1.2晶体生长第一章LED衬底

蓝宝石，又称白宝石、刚玉，即单晶氧化铝α-Al2O3。

作为LED衬底，蓝宝石晶体的C面(0001)和GaN的C面(001)结构相近。蓝宝石晶体的C面(0001)蓝宝石晶体的C面(0001)1.1蓝宝石结构晶体生长晶棒制作晶片制作PSS制作SAPMAC法，即冷心放肩微量提拉法。炉内结构剖面图1.2晶体生长晶棒制作晶片制作PSS制作晶体生长

定向：XRD定向C面，确保掏出的晶棒方向正确；

掏棒：利用中空钻刀掏取晶棒(2、4、6inch)；

滚磨：磨削至精确尺寸。1.3晶棒制作晶片制作PSS制作晶体生长晶棒制作

定向：精确定向C面；

切片：将晶棒切成晶片，430µm；

研磨：去除切割损伤层及改善晶片平坦度；

倒角：将晶片边缘修整为圆弧状；

抛光：改善晶片粗糙度。切片机研磨机抛光机1.4晶片制作PSS，即图形化蓝宝石基板，此技术可有效减少位错密度提升出光率。ICP，电感耦合式等离子体刻蚀，又称干法刻蚀。PRcoatingexposureDevelopingHardMaskEtchPhotoEtchingPRRemoveHMRemoveHMEtching干法刻蚀ICPICPEtchHardMaskHMFlatSapphireHMcoatingUVlightHMFlatSapphirePRFlatSapphireFlatSapphireRemovePRPSSRemoveHardMaskPSS1.5干法刻蚀制作PSS1.6湿法刻蚀制作PSS①SiO2在浓硫酸和浓磷酸中被高温腐蚀时是各向同性的；②Al2O3因为其结构的原因被腐蚀时是各向异性的。SiO2removedFlatsapphireSiO2沉积黄光图形BOE刻蚀PR去除SapphireEtchingSiO2加热湿法刻蚀湿法刻蚀实现PSS原理：2.6GaN基LED外延的晶体评测技术2.1Ⅲ/Ⅴ族氮化物概述2.2GaN材料的特性2.3GaN基LED的基本结构2.4GaN基LED外延生长技术及设备简介2.5GaN基LED外延生长工艺流程第二章LED外延ⅢABAlGaInTiVANBiSbAsPⅢ-Nitrides：GaN，InN，AlN，InGaN，AlGaN，AlInGaN

。InN带隙为0.77eV，GaN为3.2eV，AlN为6.2eV，其禁带宽度覆盖了红光到紫外光间的光谱2.1Ⅲ/Ⅴ族氮化物概述常温常压下Ⅲ/Ⅴ族氮化物半导体具有密集堆积的稳态纤锌矿结构六方相和亚稳态闪锌矿结构立方相两种晶体结构形式(如下图)。其中闪锌矿结构的Ⅲ/Ⅴ族氮化物具有更好的P型掺杂效率，同时作为量子阱发光材料时也具有更好的光增益系数，但在高温下容易相变，阻止了材料的制备与器件的发展。因此，目前用于器件的GaN材料都是纤锌矿结构。在直接带隙中的电子跃迁前后只有能量变化，而无位置变化，于是便有更大的几率将能量以光子的形式释放出来。间接带隙半导体中的电子在跃迁时K值会发生变化，会极大的几率将能量释放给晶格，转化为声子，变成热能释放掉。GaN基材料属于直接带隙半导体材料：GaN直接带隙图2.2GaN材料的特性GaN基材料的物理化学特性高的硬度熔点高很高的电子饱和漂移速度高热导率能适用很多恶劣环境十分良好的抗腐蚀性能高的击穿电场具有独特的发光特性2.2.1GaN基材料的物理化学特性典型的GaN基LED通常由蓝宝石衬底、GaN缓冲层、n型GaN、GaN/InGaN多量子阱有源层、p型GaN以及电极构成。2.3GaN基LED基本结构

HVPE(氢化物气相外延)ALE(原子层外延)MOCVD(金属有机化学气相沉积）生长速率快，生长大面积的GaN衬底器件生长MBE(分子束外延)GaN基器件实现了大规模的产业化1.生长速度相对快，外延生长质量高；2.可以获得超薄层结构；3.工艺灵活性大，可以生长出各种复杂的结构；4.不需要超高真空，维护简单；5.反应室规模容易扩展。德国AIXTRON美国VEECO2.4GaN基LED外延生长技术及设备简介2.4.1GaN基半导体材料生长方法介绍名称符号用途TMGa(三甲基镓)(CH3)3Ga提供镓源TMIn(三甲基铟)(CH3)3In提供铟源TMAl(三甲基铝)(CH3)3Al提供铝源Ammonia(氨气)NH3提供氮源硅烷SiH4N型掺杂源二茂镁Cp2MgP型掺杂源氮气N2载体氢气H2载体2.4.2GaN外延生长所需物料在蓝宝石基板上(Al2O3)上生成氮化镓（GaN）薄膜。主要以反应腔体(ReactorChamber)上游进口处以N2(氮气)或H2(氢气)为承载气体(carriergas)，以携带MOSource:(TMGa、TEGa、TMIn、TMAl、CP2Mg、SiH4等)及NH3一起流进装有衬底的告诉旋转石墨底座(susceptor/WaferrCarrier)。并在下方装有可产生高热之加热线圈(filament)反应腔体内进行高温反应，下游处并装有抽气PUMP及控制阀可保持所须之流量大小及压力，可以让气体作一连串连续后顺利排出于厂务端。2.4.3MOCVD生长示意图MOCVD外延设备2.4.4MOCVD设备简介MOCVD外延设备2.4.4MOCVD设备简介VEECOK465IVEECOC4外延生长原理2.4.5外延生长原理2.5GaN基LED外延生长工艺流程2.5GaN基LED外延生长工艺流程2.5GaN基LED外延生长工艺流程2.5GaN基LED外延生长工艺流程2.5GaN基LED外延生长工艺流程2.5GaN基LED外延生长工艺流程2.5GaN基LED外延生长工艺流程2.5GaN基LED外延生长工艺流程2.5GaN基LED外延生长工艺流程2.5GaN基LED外延生长工艺流程外延后p-padn-padMOCVDProcessMOCVD外延生长LaserMark激光打标Photoluminescence光致发光检测X-rayDiffractionXRD检测Activation活化Storage入库Microscope显微镜检测Electroluminescence电致发光检测2.5GaN基LED外延生长工艺流程测量：

组分

周期厚度

半波宽X射线衍射技术2.6GaN基LED外延的晶体评测技术光致发光技术光谱中重要参数：发光强度、峰值波长(WLP)、主波长(WLD)、半峰宽(FWHM)

2.6GaN基LED外延的晶体评测技术电致发光技术电致发光与光致发光类似，不同的是电致发光是在PN结加电压，产生少数载流子而复合发光的。EL主要测试内容：外延片点测波长、电压、亮度的测试。2.6GaN基LED外延的晶体评测技术Electroluminescence电致发光检测2.7外延亮度未來努力方向第三章LED芯片3.1LED芯片材料体系3.2LED芯片总流程3.2.1前制程工艺流程3.2.2中制程工艺流程3.2.3

后制程工艺流程蓝光450~475nm绿光500~530nm红光610~640nm黄光580~597nm橙光595~612nm黄绿光565~580nmInGaN产品（以蓝宝石为衬底）InGaAlP产品（以GaAs为衬底）3.1LED芯片材料体系YellowOrangeRedOrangeRedY=Yellow(InGaAlP)587nmO=Orange(InGaAlP)605nmA=Org.Red(InGaAlP)617nmS=Super-Red(InGaAlP)630nmH=Hyper-Red(GaAlAs)645nmBlueGreenB=Blue(InGaN)470nmV=VerdeGreen505nmT=TrueGreen(InGaN)525nmP=PureGreen(InGaAlP)560nmG=Green(InGaAlP)570nmB=Blue(GaN)466nmInGaAlPInGaN/GaNW=White(x=0.32/y=0.31)3.1LED芯片材料体系3.2LED芯片总流程LED生产外延芯片A前制程清洗站黄光站刻蚀站蒸镀站B中制程研磨站划裂站测试站分选目检C后制程3.2.1前制程工艺流程3.2.1前制程工艺流程目的：去除Wafer表面的金属杂质和有机杂质①.ITO蒸镀前清洗3.2.1前制程工艺流程②.ITO蒸镀ITO蒸镀PSS衬底外延层ITOPSS衬底外延层目的：通过蒸镀作业在GaN芯片上形成透明导电层，镀膜厚度为2400ű120Å。原理：在高真空的作业环境里，让腔体加热到300℃，通过电子束的轰击使ITO源直接升华，并让升华的ITO分子与O2反应后遵照某一规则均匀可控的覆盖到基片的表面。ITO源：呈淡青色圆柱状主要成分：氧化铟锡（90wt%In2O3+10wt%SnO)3.2.1前制程工艺流程③.MesaPhotoITOPSS衬底外延层

PRMesaPhoto(上胶、曝光、显影)剖面图PR：正胶原理：如左图所示，阴影部分为掩膜板上的铬，紫

外光无法透过，而被光照区域的光刻胶被显

影液除去，留下刻蚀区域。3.2.1前制程工艺流程ITOPSS衬底外延层PR

④.ITO蚀刻1将欲刻蚀区域采用ITO腐蚀液进行腐蚀。3.2.1前制程工艺流程ITOPSS衬底外延层PRN-GaN层⑤.GaN干蚀刻利用ICP刻蚀机，主要气体为CL2和BCL3,主要作用离子为氯离子，刻蚀深度1.2微米左右。3.2.1前制程工艺流程ITOPSS衬底外延层⑥.光阻去除去光阻后片上图形，紫红色区域为ITO。3.2.1前制程工艺流程⑦.ITO熔合熔合目的：主要是使ITO材料更加密实，增加透光率，降低电压，使ITO层和GaN衬底形成良好的欧姆接触。熔合条件：温度500℃，20min3.2.1前制程工艺流程

PR

ITOPSS衬底外延层ITOPhoto(上胶、曝光、显影)剖面图PR：正胶将所需P区图形留出，待下一步去除P区ITO。⑧.ITOPhoto3.2.1前制程工艺流程PR

ITOPSS衬底外延层

⑨.ITO蚀刻23.2.1前制程工艺流程ITOPSS衬底外延层⑩.光阻去除3.2.1前制程工艺流程SiO2ITOPSS衬底外延层⑪.沉积SiO2采用设备：PECVD主要气体：SiH4/N2OSiO2作用：形成一层钝化层，保护芯片，增加亮度3.2.1前制程工艺流程⑫.MetalPhotoSiO2ITOPSS衬底外延层PRMetalPhoto(上胶、曝光、显影)剖面图PR：负胶，未光照区域光刻胶被显影液去掉，留下电极蒸镀区域3.2.1前制程工艺流程SiO2ITOPSS衬底外延层PRMetal蒸镀Cr/AuSiO2ITOPSS衬底外延层光阻去除P电极N电极SiO2ITOPSS衬底外延层PR撕金SiO2ITOPSS衬底外延层PRMetal蒸镀蚀刻SiO23.2.1前制程工艺流程ITOSubstrateN-GaNP-GaNCBLPRUVPRCBLITOSubstrateN-GaNP-GaNCBLPRUVPRITOSubstrateN-GaNP-GaNCBLITOSubstrateN-GaNP-GaNCBLITOSubstrateN-GaNP-GaNCBLITOSubstrateN-GaNP-GaNCBL前工藝CBL+ITO蒸鍍MESA+ITOETCHPASSIVATIONMetalPAD3.2.1前制程工艺流程利用蜡将晶片固定于陶瓷盘上。滴蜡放晶片陶瓷盘加压，冷却，固定使用设备:上腊机固定晶片研磨抛光划片裂片点

测3.2.2中制程工艺流程

通过工作盘与研磨砂轮在一定压力下的相对运动对加工表面进行精整加工，将晶圆背部的GaN衬底减薄。使用设备:研磨机固好晶圆的陶瓷盘研磨砂轮3.2.2中制程工艺流程固定晶片研磨抛光划片裂片点

测通过工作盘与铜盘在一定压力下的相对运动及抛光液的作用下对粗磨表面进行细整加工，增加晶圆背部的光洁度和平整度。铜盘陶瓷盘（有晶片一面朝下）压重块使用设备:抛光机3.2.2中制程工艺流程固定晶片研磨抛光划片裂片点

测使用设备:激光划片机激光划片是利用高能激光束照射在晶粒与晶粒之间的切割道表面时释放的能量来达到切割的目的，从而在晶圆上留下一定深度与宽度的划痕。激光切割道3.2.2中制程工艺流程固定晶片研磨抛光划片裂片点

测使用设备:劈裂机

劈裂机是利用劈刀沿晶圆的划痕背面位置适当力度的敲击,使晶粒沿着划痕完全裂开，从而变成单颗的晶粒。劈刀敲击3.2.2中制程工艺流程固定晶片研磨抛光划片裂片点

测抛光可以使背表面更光滑，切割裂片研磨抛光陶瓷盘晶片背面朝上AA0234YBBT18AA0234YBBT18AA0234YBBT18切割研磨研磨是减薄厚度的主要来源抛光从晶片背面劈裂，劈开后晶粒完全分开裂片激光切割后的切割线3.2.2中制程工艺流程切割裂片研磨抛光陶瓷盘晶片背面朝上AA0234YBBT18AA0234YBBT18AA0234YBBT18切割研磨抛光从晶片背面劈裂，劈开后晶粒完全分开通过研磨使衬底厚度从450μm减少至100μm抛光可以使背表面更光滑，并且可以减少内应力裂片激光切割后的切割线3.2.2中制程工艺流程载入晶圆测试扫描取出晶圆得出晶粒总颗数并对每颗晶粒给予坐标定位测试出晶粒的光电特性使用设备:点测机利用高解析CCD、高速影像撷取卡，影像辨识定位软件等功能以达到对晶圆上单颗晶粒精准的对位，从而对其光电性进行测试。3.2.2中制程工艺流程固定晶片研磨抛光划片裂片点

测3.2.2中制程工艺流程電性名詞:VF1(V) Forwardvoltage,OperatedvoltageLED在特定電流操作下所需施加的順向直流電壓V2,3(V) Cut-involtage,Turn-onvoltageLED產生微小初始電流時所需施加的順向直流電壓IR(uA) Reversecurrent,LeakagecurrentLED在特定逆向電壓衝擊下所產生之逆向漏電流值VZ1(V) Reversevoltage,BreakdownvoltageLED在特定逆向電流衝擊下所產生之逆向崩潰電壓值Rs(ohm,VF2)SeriesresistanceLED在符合歐姆定律(V=I/R)操作範圍下之串聯電阻波長:WP1 Peakwavelength LED發光頻譜函數關係中發生最大強度的波長值WD1 Dominatewavelength LED發光頻譜經CIE座標轉換後在特定參考光源下所計算之波長WX1,WY1 Colorcoordinates LED發光頻譜藉由匹配函數轉換成CIEDIAGRAM上的對應座標值Purity(%) Colorpurity LED色座標參考光源座標與主波長座標間的距離比例關係HW1 FWHMBW LED發光頻譜之半高波寬(最大強度一半時之頻潽寬度)光強度:Φe(mW)Radiantflux LED在特定操作電流下所有波長波長範圍下幅射通量總合 Φv(lm) Luminousflux LED在特定操作電流下在可見光波長範圍內光通量總合LOP1(mcd) Luminousintensity LED在特定操作電流下在單位視角內所通過之光通量名詞定義分

选目检3.2.3

后制程工艺流程3.2.3

后制程工艺流程分

选目检第四章LED封装4.6南通半导体封装实验线4.1LED封装概述4.2LED封装工艺流程4.3LED封装元件介绍4.4LED封装关键技术4.5LED电性参数简介1.1LED芯片为什么要封装LED芯片只是一块很小的固体，两个电极也只有在显微镜下才能观察到，我们通过两个电极给LED芯片加入电流之后才会发光。因此需要封装焊线工艺将LED芯片的正、负电极引出，以便于对LED器件的通电操作。在封装制作工艺上，除了要对LED芯片的两个电极进行焊接，从而引出正、负电极之外，同时还需要考虑对LED芯片以及两个电极进行保护。LED封装即是将芯片与电极引线、支架和荧光粉等通过一定工艺技术结合在一起，使之成为可直接使用的发光器件的过程。4.1LED封装概述1.2LED封装的作用（1）实现电信号的输入;（2）保护LED芯片的正常工作;（3）输出可见光的功能;（与普通半导体分离器件封装的最大区别）

其中既有电参数又有光参数的设计及技术要求，是一个涉及到多学科的研究课题，需要对光、电、热、结构等性能统一考虑。4.1LED封装概述1.3LED封装方式的选择

因为LEDPN结区发出的光子是非定向的，即向各个方向发射有相同的几率，因此并不是芯片产生的所有光都可以发射出来。能发射多少光，取决于半导体材料的质量、芯片结构、几何形状、封装内部材料与包装材料。因此，对LED封装，要根据LED芯片的大小、功率大小来选择合适的封装方式。4.1LED封装概述1.3LED封装方式的选择常用的LED芯片封装方式包括：（1）引脚式封装（2）平面式封装（3）表贴封装（SMD）（4）食人鱼封装（5）功率型封装引脚式封装平面式封装表贴式封装食人鱼封装功率型封装集成COB封装4.1LED封装概述1.4LED封装元件的构成金线保护胶荧光粉LED芯片固晶层支架(热沉)芯片——亮度、可靠性支架——亮度、可靠性胶水——亮度、可靠性荧光粉——亮度、光色、可靠性金线——焊线工艺是封装关键工艺材料及影响：芯片支架胶水金线荧光粉4.1LED封装概述LED封装主要工艺流程介绍（以SMDLED为例）固晶焊线点胶包装分光烘烤剥料4.2LED封装工艺流程2.1固晶固晶是先用点胶机在LED支架上点上银胶/绝缘胶，然后用真空吸嘴将LED晶片吸起移动位置，再安置在相应的支架位置上。固晶机支架已扩晶蓝膜点固晶胶吸嘴:吸取晶片支架点固晶胶从蓝膜吸取芯片，放置于固晶胶上。完成固晶动作ChipChip吸嘴吸嘴4.2LED封装工艺流程2.2焊线在压力、热量和超声波能量的共同作用下，使金丝在芯片电极和外引线键合区之间形成良好的欧姆接触，完成内外引线的连接。4.2LED封装工艺流程2.3点胶利用空压、螺杆或喷墨方式将SiliconeorEpoxy胶定量流入胶杯中，点胶前的预烤动作可以降低bublle。4.2LED封装工艺流程2.4烘烤固晶后烘烤、点胶后烘烤开门烤箱阶梯式烤箱4.2LED封装工艺流程2.5分光分色测试LED的光电参数，根据客户要求对LED产品进行分选。分Bin项目亮度（LuminousIntensity，Iv）波长（WaveLength，WL）顺向电压（ForwardVoltage，Vf）光色（CIEx/y）……振动盘分光资料收集满Bin元件光电测试4.2LED封装工艺流程2.6包装将LED封装成品进行计数包装，一般需要防静电包装。4.2LED封装工艺流程3.1LED封装元件—直插式LED（Lamp）钢盔子弹头草帽蝴蝶Lamp圆头内凹平头方形4.3LED封装元件介绍3.1LED封装元件—ChipLED一般统称方法是以组件的长度和宽度来称呼。1.1206(120milLx60milW),>=3.2mmLx1.6mmW2.0805(80milLX50milW),>=2.0mmLx1.25mmW3.0603(60milLx30milW),>=1.6mmLx0.8mmW4.0402(40milLx20milW),>=1.0mmLx0.5mmW4.3LED封装元件介绍3.1LED封装元件—SMDLED

一般SMDLED器件长度、宽度来命名。SMD3528(3.5*2.8*1.9mm)SMD3014(3.0*1.4*0.8mm)SMD4014(4.0*1.4*0.65mm)SMD5050(5.0*5.0*1.6mm)4.3LED封装元件介绍3.1LED封装元件—集成COBCOB是ChipOnBoard(板上芯片直装)的英文缩写，是一种通过粘胶剂或焊料将LED芯片直接粘贴到PCB板上，再通过引线键合实现芯片与PCB板间电互连的封装技术。PCB板材料有以下几种：1.低单价FR42.高导热金属铜基板或铝基板3.烧结银线路陶瓷基板功率：5W-7WRa:80光效：120lm/W用途：球泡灯，蜡烛灯等功率：80W-150WRa:70光效：100m/W用途：投光灯，路灯，工矿灯等功率：10W-30WRa:70光效：90lm/W用途：泛光灯，筒灯4.3LED封装元件介绍3.2LED封装元件主要应用领域4.3LED封装元件介绍3.2LED封装元件主要应用领域——小尺寸背光产品名称产品尺寸图片驱动电流搭配芯片主要用途小尺寸背光LED0603白光1.6*0.8*0.3mm5mA/20mA07*09/8*12工业仪器仪表及黑白家电等背光1.6*0.8*0.7mm010白光3.8*1.0*0.4mm20mA10*16/09*28/

11*32/11*36移动通讯终端机、可视电话、MP3、MP4、掌上电脑、GPS、DVD、照相机、数码相框等背光020白光3.8*1.2*0.6mm20mA10*16/09*28/

11*32/11*364.3LED封装元件介绍3.2LED封装元件主要应用领域——中尺寸背光产品名称产品尺寸图片驱动电流搭配芯片主要用途中尺寸背光LED3014白光3.0*1.4*0.8mm20mA10*16/09*2410*23/9*28笔记本电脑、桌面显示器、中小尺寸液晶电视背光等3020白光3.0*2.0*1.2mm20mA10*16/09*24

09*28/11*324014白光4.0*1.4*0.65mm60mA09*28/11*3212*28/14*284.3LED封装元件介绍3.2LED封装元件主要应用领域——大尺寸背光产品名称产品尺寸图片驱动电流搭配芯片主要用途大尺寸背光LED5630白光5.6*3.0*0.9mm120mA14*28/18*3522*35/23*45大尺寸液晶电视、网络电视等背光7020白光7.0*2.0*0.8mm120mA14*28/18*3522*35/23*457030白光7.0*3.0*0.8mm120mA14*28/18*3522*35/23*454.3LED封装元件介绍3.2LED封装元件主要应用领域——通用照明（1）产品名称产品尺寸图片驱动电流搭配芯片主要用途通用照明3528白光3.5*2.8*1.9mm20-30mA8*12/10*1609*24/09*28室内照明（LED日光灯）、柔性灯带装饰照明3014白光3.0*1.4*0.8mm30mA(带热沉)09*24/09*28室内照明（LED日光灯）、柔性灯带装饰照明5050白光5.0*5.0*1.6mm20mA(三晶)8*12/10*16柔性灯带装饰照明4014白光4.0*1.4*0.65mm60mA11*32/14*28室内照明（LED日光灯）,球泡灯,筒灯4.3LED封装元件介绍3.2LED封装元件主要应用领域——通用照明（2）产品名称产品尺寸图片驱动电流搭配芯片主要用途通用照明2835白光3.5*2.8*0.8mm60mA150mA11*32/14*2818*35/23*45室内照明（LED日光灯）,球泡灯,筒灯5630白光5.6*3.0*0.9mm150mA14*28/18*3522*35/23*45室内照明（LED日光灯）,球泡灯,筒灯1W大功率白光——350mA35*35/45*45路灯,射灯,工矿灯COB白光——30-100mA9*28/11*3214*28/23*45球泡灯、筒灯4.3LED封装元件介绍3.3LED封装元件应用实例（1）—ChipLED系列4.3LED封装元件介绍3.3LED封装元件应用实例（2）—Sideview系列4.3LED封装元件介绍3.3LED封装元件应用实例（3）—TopLED系列4.3LED封装元件介绍4.1应用领域对LED光源的要求（1）更高的发光效率（lm/W）（2）更好的光学特性（光指向性、色温、显色）（3）更高的可靠性（更低的失效率、更长的寿命）（4）更低的光通量成本（lm/￥

）Metric2010201220152020CoolWhiteEfficacy（lm/W）134176224258WarmWhiteEfficacy（lm/W）96141202253Datasource:2011,DOERoadmap