标准解读

《YS/T 819-2012 电子薄膜用高纯铜溅射靶材》是一项针对用于电子薄膜制造过程中的高纯度铜溅射靶材的技术标准。该标准详细规定了此类材料的化学成分、物理性能以及尺寸精度等方面的要求，旨在确保产品质量符合电子工业对高性能、高可靠性的需求。

根据标准内容，对于高纯铜溅射靶材而言，其主要化学成分为铜（Cu），同时对杂质元素如铅(Pb)、锡(Sn)、锌(Zn)等含量有严格限制，以保证材料的高纯度。此外，还明确了不同牌号高纯铜溅射靶材的具体技术指标，包括但不限于密度、硬度、电阻率等物理性质参数，这些参数直接影响到最终形成的薄膜质量和特性。

在外观质量方面，《YS/T 819-2012》也做了相应要求，指出产品表面应无明显缺陷，如裂纹、气孔等，并且需要保持良好的平整度和光滑度。对于尺寸规格，则根据不同应用场景给出了具体的公差范围，确保能够满足实际使用时的装配要求。

该标准适用于各类采用物理气相沉积法（PVD）制备电子薄膜过程中所使用的高纯铜溅射靶材，不仅为生产厂家提供了明确的质量控制依据，也为用户选择合适的产品提供了参考。通过遵循这一标准，可以有效促进我国电子薄膜产业的发展和技术进步。


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....

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  • 现行
  • 正在执行有效
  • 2012-11-07 颁布
  • 2013-03-01 实施
©正版授权
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文档简介

ICS7715030

H62..

中华人民共和国有色金属行业标准

YS/T819—2012

电子薄膜用高纯铜溅射靶材

High-puritysputteringcoppertargetusedinelectronicfilm

2012-11-07发布2013-03-01实施

中华人民共和国工业和信息化部发布

YS/T819—2012

前言

本标准按照给出的规则起草

GB/T1.1—2009。

本标准由全国有色金属标准化技术委员会归口

(SAC/TC243)。

本标准起草单位宁波江丰电子材料有限公司有研亿金新材料股份有限公司

:、。

本标准主要起草人王学泽宋佳高岩尚再燕赵永善袁洁熊晓东

:、、、、、、。

Ⅰ

YS/T819—2012

电子薄膜用高纯铜溅射靶材

1范围

本标准规定了电子薄膜用高纯铜溅射靶材的要求试验方法检验规则和标志包装运输贮存质

、、、、、、

量证明书及合同或订货单内容

()。

本标准适用于电子薄膜制造用的各类高纯铜溅射靶材以下简称高纯铜靶

()。

2规范性引用文件

下列文件对于本文件的应用是必不可少的凡是注日期的引用文件仅注日期的版本适用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于本文件

。,()。

金属材料中氢氧氮碳和硫分析方法通则

GB/T14265、、、

变形金属超声检验方法

GJB1580A

铜及铜合金平均晶粒度测定方法

YS/T347

溅射靶材背板结合质量超声波检测方法

YS/T837-

3要求

31产品分类

.

高纯铜靶分类按照应用背景分为半导体布线用高纯铜靶半导体封装用高纯铜靶平板显示器用

:、、

高纯铜靶和太阳能电池用高纯铜靶

。

32成分要求

.

根据高纯铜溅射靶材的用途电子薄膜用高纯铜溅射靶材的成分及杂质元素要求应符合表规定

,1。

表1高纯铜靶材化学成分表

牌号

4N4N55N6N

含量

Cu/%

不小于99.9999.99599.99999.9999

Ag—2550.3

Al——0.50.1

As2050.50.02

杂质含量-6

/10,

不大于Bi20110.02

Ca——0.50.02

Cd—10.1—

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