标准解读

YS/T 719-2009《平面磁控溅射靶材 光学薄膜用硅靶》是中国有色金属工业协会发布的一项行业标准，旨在规范用于光学薄膜制造的硅靶材料的技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输和贮存等方面。该标准适用于通过平面磁控溅射技术沉积薄膜时使用的高纯度硅靶。

在技术要求部分，标准详细规定了硅靶的化学成分、物理性能等关键指标。例如，对于硅靶的纯度有明确的要求，以确保所制备的光学薄膜具有良好的透光性或其他所需特性；同时，也对靶材的密度、电阻率等参数设定了具体数值范围，这些参数直接影响到溅射过程中的效率及最终薄膜的质量。

试验方法章节则涵盖了如何检测硅靶是否符合上述技术规格的具体步骤与条件，包括但不限于采用ICP-AES（电感耦合等离子体原子发射光谱法）来测定元素组成，使用阿基米德原理测量密度等。

关于检验规则，标准明确了出厂前需要进行的检查项目及其合格判定准则，并指出当供需双方对产品质量产生争议时应采取的解决措施。


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  • 现行
  • 正在执行有效
  • 2009-12-04 颁布
  • 2010-06-01 实施
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文档简介

犐犆犛７７．１５０．９９

犎６３

中华人民共和国有色金属行业标准

犢犛／犜７１９—２００９

平面磁控溅射靶材

光学薄膜用硅靶

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２００９１２０４发布２０１００６０１实施

中华人民共和国工业和信息化部发布

书

犢犛／犜７１９—２００９

前言

本标准由全国有色金属标准化技术委员会提出并归口。

本标准负责起草单位：利达光电股份有限公司。

本标准主要起草人：李智超、杨太礼、付勇、段玉玲、张向东、赵伦。

Ⅰ

书

犢犛／犜７１９—２００９

平面磁控溅射靶材

光学薄膜用硅靶

１范围

本标准规定了平面磁控溅射光学薄膜用硅靶材的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存

及订货单（或合同）内容。

本标准适用于平面磁控溅射光学薄膜用硅靶材。

２规范性引用文件

下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有

的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究

是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。

ＧＢ／Ｔ１５５１硅、锗单晶电阻率测定直流两探针法

ＧＢ／Ｔ２０４０铜及铜合金板材

ＧＢ／Ｔ５１２１（所有部分）铜及铜合金化学分析方法

ＧＢ／Ｔ５２３１加工铜及铜合金化学成分和产品形状

ＧＢ／Ｔ１２９６３硅多晶

３术语和定义

下列术语和定义适用于本标准。

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硅板与背板之间的实际接合面积占应接合面积的百分比。

４要求

４．１材质

铜板（背板）和硅板。

４．２化学成分

硅板的化学成分应由供需双方商定；铜板的牌号及化学成分符合ＧＢ／Ｔ５２３１的规定。

４．３靶材的尺寸及其允许偏差

靶材尺寸及其允许偏差由供需双方协商，应符合双方签订的技术图样。

４．４表面状况

靶材表面粗糙度及平面度由供需双方协商。

４．５外观质量

硅板和铜板的外观质量应分别符合ＧＢ／Ｔ１２９６３和ＧＢ／Ｔ２０４０的规定。

４．６

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