常用元器件认识课件

实验一常用元器件认识实验目的了解元器件的基本知识，能够识别不同元器件的种类、规格及用途。了解常用低频实验仪器的技术指标、工作原理并掌握其使用方法。常用元器件电阻电容电感半导体器件电阻的分类绕线电阻（RX）:用电阻丝绕成，误差小、精度高、功率大。但分布电感大，不易获得高阻值。薄膜电阻：在陶瓷管表面覆以电阻薄膜。敏感电阻碳膜电阻（RT）：稳定性好；阻值范围宽，造价低。金属膜电阻（RJ）：体积小，稳定性好。电位器误差为±5％时，1～10之间有标称值24个。（E24系列）误差为±10％时，1～10之间有标称值12个。（E12系列）误差为±20％时，1～10之间有标称值6个。（E6系列）阻值标示方法直接法：用数字和单位直接标示阻值的方法，通常Ω可省略。如4.7K。文字符号法：用数字与特殊符号组合，常见符号有M、K、R。如4K7，1R9。数字表示法：常见于贴片电阻，用3～4位整数表示阻值，单位为Ω。（前2～3位表示有效值，末位表示倍率）如102＝1000Ω，1001＝1000Ω色环表示法：用不同颜色的色环在电阻表面上标志出电阻主要参数的方法。4位色环27103

±5％如果只有3条色环，则代表此电阻的允许误差为±20％电位器的识别与检测有三个引出端，其中两个为固定端，另一个是滑动端。检测1、用万用表电阻挡检测电位器两端的总阻值。2、将表笔接于滑动点与一端点之间，反复慢慢旋动，其阻值应在零欧与标称值之间连续变化。3、测量电位器各端子与外壳及旋转轴之间的绝缘。4、测量带电开关电位器的开关是否起作用。热敏电阻的识别与检测热敏电阻的阻值随温度变化有比较明显的改变。主要技术参数标称阻值Rt在25℃时的电阻值。为提高测量精度，测量时间应尽量短。电阻温度系数α指温度每变化1℃时电阻值的变化率。额定功率PN在标准大气压和最高温度下，热敏电阻长期工作所允许承受的最大电功率。时间常数τ表述热敏电阻热惯性的参数，其值越小，热惰性越小，即温度变化后电阻达到稳定值的时间越短。检测方法用手捏住电阻加温，观察其阻值是否变化20%~50%，如果阻值在此范围内，热敏电阻正常；否则，损坏。电容的分类根据介质的不同，分为陶瓷、云母、纸质、薄膜、电解电容几种。陶瓷电容：体积小，自体电感小。云母电容：性能优良，高稳定，高精密。纸质电容：价格低，容量大。薄膜电容：体积小，但损耗大，不稳定。电解电容：容量大，稳定性差。（使用时应注意极性）电容大小的表示方法（一）标有单位的直接表示法：有的电容的表面上直接标志了其特性参数，如在电解电容上经常按如下的方法进行标志：4.7u/16V，表示此电容的标称容量为4.7uF，耐压16V。不标单位的数字表示法：许多电容受体积的限制，其表面经常不标注单位。但都遵循一定的识别规则。当数字小于1时，默认单位为微法,当数字大于等于1时，默认单位为皮法。电容大小的表示方法（二）p、n、u、m法：此时标识在数字中的字母：p、n、u、m即是量纲，又表示小数点位置。如某电容标注为4n7表示此电容标称容量为4.7×10-9F=4700pF。色环(点)表示法：该法同电阻的色环表示法,单位为pF。电容器的检测可用LCR自动测试仪，在一般条件下可用万用表检测电容器的质量和好坏。1、容量大的固定电容器可用万用表的欧姆档（R×100或R×1k档）测量电容器两端，表针应向右摆动，然后回到“∞”附近。2、如果表针最后指示值不为“∞”，表明电容器有漏电现象。3、如果测量时表针指示为“0”，不向回摆，表明该电容短路。4、如果测量时表针根本不动，表明电容器失去容量。5、电解电容极性的判别：先测量电解电容的漏电阻值，在对调红黑表笔测量第二个漏电阻值，最后比较两次测量结果，漏电阻值较大的一次，黑表笔一端为电解电容正极。电感品质因数（Q值）Q值反映了电感线圈损耗的大小，Q值越高，电感的功率损耗越小，电路效率越高，选择也性越好。额定电流指电感线圈允许通过的最大电流。线径粗，额定电流大。电感器的检测精确测量需要Q表、电感电容电桥、LCR测试仪等，也可用万用表R×1档测量电阻大致判断其好坏。一般电感器的直流电阻很小，为零点几欧至几欧。测得电感器电阻无穷大时，表明其内部或引出端断线。电感线圈的局部短路是不易检测出来的。半导体器件半导体器件是电子元器件中功能和品种最为复杂的一类器件。由于历史发展的原因，各国对其功能分类及命名的方法各不相同。我国国家标准（GB249-64）根据我国国家标准（GB249-64），半导体器件的型号由5个部分组成：国际电子联合会（欧共体等一些国家）命名由四部分组成。第一部分：用字母表示器件材料第二部分：用字母表示器件的类型及特性第三部分：表示登记号第四部分：表示分类如：BU508A表示大功率硅开关管美国（EIA电子协会）命名由五部分组成。第一部分：表用途（军用或非军用）第二部分：用数字表示PN结数第三部分：用字母“N”表示在EIA注册第四部分：用多位数字表示注册号第五部分：用字母表示分档日本（日本工业标准JIS）命名由5到7部分组成。第一部分：由数字表示PN结数，1为一个PN结，2为两个PN结。第二部分：字母‘S’表示在JIS注册。第三部分：表示极性类型。如：A（PNP高频）B（PNP低频）C（NPN高频）D（NPN低频）J（P沟道FET）K（N沟道FET）第四部分：在JIS的注册顺序号。第五部分：表示对原产品的改进产品。第六部分：表特殊用途。第七部分：表某参数分档标记。如：2SA1015表示PNP型高频三极管，有时简略为A1015。韩国：9000系列

常用晶体管如下表所示二极管三极管二极管的主要参数和检测方法

主要参数有最大整流电流IF、最高反向工作电压URM、最大反向电流IR、最高工作频率fM。检测方法用指针式万用表判别极性万用表置R×100档或R×1k档，分别测二极管的正反向电阻，所测阻值较小的一次，黑表笔所接的是二极管正极，红表笔所接的是二极管负极。判别硅管与锗管测二极管正向电阻时，如万用表指针在刻度盘中间位置，则被测管是硅管；如指针在刻度盘右侧，则为锗管。三极管的检测方法判别基极将万用表拨至R×1档，用黑表笔接三极管的某一管脚，红表笔分别接触另外两个管脚，直到测出的两个电阻值都很小，黑表笔接的是NPN管的基极。若没有出现上述情况，应将红表笔接三极管的某一管脚，黑表笔分别接触另外两个管脚，直到测出的两个电阻值都很小，红表笔接的是PNP管的基极。判别集电极、发射极将万用表拨至R×1k档，若是NPN管时，用两表笔分别接除基极外的两个管脚，用一支几十千欧电阻接于基极与黑表笔之间，观察表针摆动范围，再次对调表笔，再次观察表针摆动范围，摆动范围大的一次黑表笔所接为管子集电极，红表笔为发射极。判别PNP管的集电极、发射极，情况与上述相反。锗管和硅管的判断硅管正向电阻大约3~10kW，锗管正向电阻大约在500~1000W之间。两个PN结的反向电阻，硅管大于500kW，锗管大于100kW。三极管的主要参数共发射极交流电流放大系数b是集电极电流的变化量与基极电流的变化量之比。特征频率fT是三极管的b值下降到1时的频率值。集电极—基极反向饱和电流ICBO是当发射极开路时，集电极