传感器45章磁敏传感器课件

传感器技术及应用

机械082010～2011第二学期2011年3月5.6磁敏传感器半导体磁敏传感器：可将磁场强度参数转变为电参数的传感器。种类：霍尔传感器、磁敏电阻传感器、磁敏二极管、磁敏晶体管等。特点：可实现非接触检验，寿命长、可靠性高。从直流（0Hz）到高频（数十GHz）其特性完全一样。不仅能够测量运动磁场强度,也能测量静止的磁场。能够使器件小型化和集成化。一、霍尔元件霍尔电压形成的定性说明(a)磁场为0时，电子在半导体中的流动;(b)磁场不为0，电子在劳伦兹力作用下发生偏转;(c)电荷积累达到平衡时,电子在流动2.作用机理外磁场改变了导体载流子迁移的路径，致使与外界电场同方向的电流分量减小，等价于电阻增大磁敏元件载流子迁移率几何形状物理磁阻效应几何磁阻效应电阻率相对变化电阻相对变化（1）物理磁阻效应具有两种载流子的材料通电后，电子和空穴电流密度分别为jn和jp，总电流密度j无外磁场H时，j=jn+jp有外磁场H时，jn与jp背向偏转j<jn+jp相当于增大磁敏电阻材料当材料中仅存在一种载流子时，磁阻效应几乎可以忽略，此时霍尔效应更为强烈。在电子和空穴都存在的材料（如InSb）中，则磁阻效应很强。一般使用N型InSb(锑化铟)和InSb―NiSb半导体材料做成磁阻器件。增大磁阻效应途径：缩短电流路径l，增大电极长度w，减薄磁阻材料d（a）用薄膜技术制作在基片上，典型厚度是20μm,（b）矩形磁阻元件，横向宽度w比纵向长度l大40倍,（c）把W>l的扁平器件串联起来——栅格磁阻器件。科比诺圆盘中心和边缘为两电极不存在横向霍尔电场和电势磁敏电阻变化更加明显栅格磁阻器件在L>W长方形磁阻材料上面制作许多平行等间距的金属条（即短路栅格），相当于许多扁条状磁阻串联。零磁场电阻约100Ω,栅格金属条在100根以上。栅格磁阻器件既增加了零磁场电阻值、又提高了磁阻器件的灵敏度。LBILBIBI磁阻式传感器应用——磁阻效应角度传感器将相间90度布置的四个磁敏电阻接入电桥电路，传感器每相对磁极转动180度，输出电压变化一个周期。UZZ900信号调理芯片KMZ41型传感器：

内含8个MR形成两组电桥两组磁敏电阻相对磁场布置相差45度，磁阻变化相位差90度两组电桥的输出电压相位相差90度KMZ41型传感器：可以实现辨向功能转速传感器传感器与调理电路安装工作原理输出方波——频率信号三、磁敏二极管(SMD)工作原理在高阻半导体芯片（本征型I）两端，分别制作P、N两个电极P、N为重参杂区，I区长度较长I区一侧光滑，一侧打毛粗糙，粗糙表面易于使电子－空穴对复合而消失，成为r面（复合区）外加正向偏压：P区接正，N区接负大量空穴从P区注入I区；大量电子从N区注入I区未加磁场，电子和空穴运行方向不偏转磁敏二极管的伏安特性在给定磁场情况下，磁敏二极管两端正向偏压和通过它的电流的关系曲线。在一定条件下，磁敏二极管的输出电压的变化量U与外加磁场的关系磁敏二极管的磁电特性：磁敏二极管的磁电特性互补使用时，正、反向磁灵敏度曲线对称，且在弱磁场下有较好的线性。磁敏二极管与其它磁敏器件相比，具有以下特点：(1)灵敏度高,磁敏二极管的灵敏度比霍尔元件高几百甚至上千倍，而且线路简单，成本低廉。(2)灵敏度与磁场关系呈线性的范围比较窄，但是