数字电路第8章课件

由十进制计数器74160和8选1数据选择器74LS251组成的逻辑电路如图所示，试画出在CLK信号连续作用下输出端Z的波形，并求输出信号的频率与时钟脉冲的关系。图6.22电路和输入波形CP、A如题4图所示，设起始状态Q0Q1=00，试画出Q0、Q1、B、C的波形。第8章半导体存储器与可编程器件8.1概述8.2随机存取存储器RAM8.3只读存储器8.4低密度可编程逻辑器件8.1概述存储器是计算机硬件系统的重要组成部分，有了存储器，计算机才具有“记忆”功能，才能把程序及数据的代码保存起来，才能使计算机系统脱离人的干预，而自动完成信息处理的功能。

存储器容量是存储器系统的首要性能指标，因为存储容量越大，则系统能够保存的信息量就越多，相应计算机系统的功能就越强；存储器的存取速度直接决定了整个微机系统的运行速度，因此，存取速度也是存储器系统的重要的性能指标；存储器的成本也是存储器系统的重要性能指标。显然，计算机对存储器的要求是容量大、速度快、成本低。目前在计算机系统中，通常采用多级存储器体系结构，即使用主存储器、高速缓冲存储器和外存储器。1.存储器概述2.存储器的分类存储器按构成的器件和存储介质主要可分为：磁介质存储器、半导体存储器、光电存储器、光盘存储器等。按存取方式分类又可分为随机存取存储器、只读存储器两种形式。随机存储器RAM又称读写存储器，是能够通过指令随机地、个别地对其中各个单元进行读/写操作的一类存储器。只读存储器ROM在计算机系统的在线运行过程中，是只能对其进行读操作，而不能进行写操作的一类存储器。ROM通常用来存放固定不变的程序、汉字字型库、字符及图形符号等。2.存储器的分类计算机系统中，CPU可以直接对其中的单元进行读/写操作，因此被称作系统的主存或者内存。内存一般由半导体存储器构成，通常装在计算机主板上，存取速度快，但容量有限；辅存存储器位于系统主机的外部，广泛采用的是磁介质，CPU对其进行的存/取操作时，必须通过内存才能进行，因此称作外存。由于CPU不能直接对外存访问，因此外存的信息必须调入内存后才能被CPU访问并进行处理。外存是为了弥补内存容量的不足而配置的，外存所储信息既可修改也可长期保存，但存取速度较慢；缓冲存储器简称缓存，位于主存与CPU之间，其存取速度非常快，但存储容量更小，一般用来暂时解决存取速度与存储容量之间的矛盾，缓存提高了整个系统的运行速度。（2）外存储器外存储器一般用来存放需要永久保存的或是暂时不用的程序和数据信息。外存储器不直接与CPU交换信息。当需要时可以调入内存和CPU交换信息。磁盘存储器分有软盘和硬盘。目前计算机中广泛采用了价格较低、存储容量大、可靠性高的磁介质作为外存储器。外存储器设备种类很多，微型计算机常用的外存储器是磁盘存储器、光盘存储器和优盘存储器等。光盘直径为12cm，中心有一个定位孔。光盘分为三层，最上面一层是保护层，一般涂漆并注明光盘的有关说明信息；中间一层是反射金属薄膜层；底层是聚碳酸酯透明层。记录信息时，使用激光在金属薄膜层上打出一系列的凹坑和凸起，将它们按螺旋形排列在光盘的表面上，称为光道。目前广泛应用的主要是只读型光盘CD-ROM。读取光盘上的信息是利用激光头发射的激光束对光道上的凹坑和凸起进行扫描，并使用光学探测器接收反射信号。当激光束扫描至凹坑的边缘时，表示二进制数字“1”；当激光束扫描至凹坑内和凸起时，均表示二进制数字“0”。光盘的主要优点是结构原理简单、存储信息容量大，十分方便于大量生产，且价格低廉。优盘采用了FlashMemory存储技术，它通过二氧化硅形状的变化来记忆数据。由于二氧化硅稳定性大大强于磁存储介质，使得优盘存储数据的可靠性大大提高。同时二氧化硅还可以通过增加微小的电压来改变形状，从而达到反复擦写的目的。优盘又称为快闪存储器，其工作原理和磁盘、光盘完全不同。如果使用的FlashMemory材质品质优良，一个优盘甚至能够达到擦写百万次的寿命。从优盘的外部来看，轻便小巧，便于携带；从内部来说，由于无机械装置，其结构坚固、抗震性极强。优盘还有一个最突出的特点，就是它不需要驱动器。使用优盘只需用一个USB接口，就可以十分方便地做到文件共享与交流，即插即用，热插拔也没问题。作为新一代的存储设备，优盘具有很好地发展前景。计算机内存的存取速度取决于内存的具体结构及工作机制。存取速度通常用存储器的存取时间或存取周期来描述。所谓存取时间，就是指启动一次存储器从操作到完成操作所需要的时间；存取周期是指两次存储器访问所需的最小时间间隔。存取速度是存储器的一项重要参数。一般情况下，存取速度越快，计算机运行的速度才能越快。（2）存取速度半导体存储器属于大规模集成电路，集成度高，体积小，因此散热不容易。在保证速度的前提下，应尽量减小功耗。由于MOS型存储器的功耗小于相同容量的双极型存储器，所以MOS型存储器的应用比较广泛。（3）功耗存储器对电磁场、温度变化等因素造成干扰的抵抗能力称其可靠性，也叫电磁兼容性。半导体存储器采用大规模集成电路工艺制造，内部连线少，体积小，易于采取保护措施。与相同容量的其他类型存储器相比，半导体存储器抗干扰能力较强，兼容性较好。（4）可靠性存储器芯片的集成度越高，构成相同容量的存储器芯片数就越少。MOS型存储器的集成度高于双极型存储器，动态存储器的集成度高于静态存储器。因此，微型计算机的主存储器大多采用动态存储器。除上述指标外，还有性能价格比、输入、输出电平及成本价格等指标。（5）集成度目前使用的半导体存储器，主要类型是什么？按其存储信息的功能又可分为哪两大类。

存储器内存的最大容量是由什么来决定的？

多看多练多做何谓计算机的存储容量？存储容量的大小通常用什么来表示？

检验学习结果多级结构的存储器是由哪三级存储器组成的？每一级存储器使用什么类型的存储介质？

存储矩阵读写控制器行地址译码器列地址译码器2nRAM电路结构框图

mn位地址码输出控制m位数据片选控制读/写控制存储矩阵：

存储矩阵是存储器的主体，含有大量的基本存储单元。通常数据和指令是用一定位数的二进制数来表示的，这个二进制数称为字，字的位数称为字长。存储器以字为单位进行存储，为了存入和取出的方便，必须给每个字单元以确定的标号，这个标号称为地址，不同的字单元具有不同的地址。存储器的容量由地址码的位数m决定，当地址码的位数为n，字长的位数为m时，存储器内含2n×m个存储单元。1.RAM的功能与结构存储矩阵读写控制器行地址译码器列地址译码器2nRAM电路结构框图

mn位地址码1.RAM的功能与结构输出控制m位数据片选控制读/写控制地址译码器：RAM中的每个寄存器都有一个编号，称为地址。每次读/写信息时，只能和某一个指定地址的寄存器之间进行取出或是存入，此过程称为访问存储器。编址方式有：单译码编址、双译码编码存储矩阵读写控制器行地址译码器列地址译码器2nRAM电路结构框图

mn位地址码输出控制m位数据片选控制读/写控制读写控制器：

读/写控制线（R/W

）可对RAM的读出和写入进行控制。如R/W＝0时，执行写操作，R/W＝1时，执行读操作；由地址输入端输入的n位地址码经地址译码器译码后选中一组(信息长度m位)存储单元，m位的二进制代码经I/O

接口被写入或被读出。1.RAM的功能与结构存储矩阵读写控制器行地址译码器列地址译码器2nRAM电路结构框图

mn位地址码输出控制m位数据片选控制读/写控制片选控制：

由于集成度的限制，通常要把许多片RAM组装在一起构成一台计算机的存储器。当CPU访问存储器时，存储器中只允许一片RAM中的一个地址与CPU交换信息，其它片RAM不能与CPU发生联系，所谓片选就是实现这种控制。通常一片RAM有1根或几根片选线，当某一片的片选线为有效电平时，则该片被选中，地址译码器的输出信号控制该片某个地址与CPU接通；片选线为无效电平时，与CPU之间呈断开状态。例如片选信号CS＝“1”时，RAM禁止读写，处于保持状态，I/O口的三态门处于高阻抗状态；CS＝“0”时，RAM可在读/写控制输入R/W的作用下作读出或写入操作。2.RAM的存储单元电路存储单元是RAM的核心部分，RAM字中所含的位数是由具体的RAM器件决定的，可以是4位、8位、16位和32位等。每个字是按地址存取的。一般操作顺序是：先按地址选中要进行读或写操作的字，再对找到的字进行读或写操作。打一比方：存储器好比一座宿舍楼，地址对应着房间号，字对应着房间内住的人，位对应床位。存储器按功能的不同可分为静态和动态两类，按所用元件的类型又可分为双极型和单极型两种。双极型存储单元速度高，单极型存储单元功耗低、容量大。在要求存取速度快的场合常用双极型RAM电路，对速度要求不高场合下，常用单极型存储器。我们主要以单极型存储器为例介绍RAM的工作原理。存储数据输出T1QQ+UDD1位线(1)静态RAM存储单元0位线行选择线T2T3T4T6T5图中T1和T2、T3和T4分别构成两个反相器。两个反相器交叉耦合又构成了基本触发器，作为储存信号的单元，当Q＝１时为“1”态，Q＝0时为“0”态。T5和T6是门控管，其导通和截止均受行选择线控制。当行选择线为高电平时，T5T6导通，触发器输出端与位线接通1当行选择线为低电平时，T5T6截止，存储单元和位线断开。导通导通0截止截止保持原态不变103.RAM的容量扩展

RAM的容量由地址码的位数n和字的位数m共同决定。因此常用的容量扩展法有位扩展、字扩展和字位扩展三种形式。16片1024字×1位的RAM构成1024字×16位的RAM。地址码A0~A9CSI/O16••••••••••••••••••片1片16片2I/O2I/O1

如果一片RAM中的字数已经够用，而每个字的位数不够用时，可采用位扩展连接方式解决。其数据位的扩展方法是：将各个RAM的地址码并联片选端并联即可。RAM的字扩展下图所示为RAM字扩展的典型实例:利用两片1024字×4位的RAM器件构成2048字×4位的RAM。A0~A9A10片1片2I/O1~4CS1CS利用地址码的最高位A10控制RAM器件的片选CS端，以决定哪一片RAM工作。地址码的低A0~A9并联接到两片RAM的地址输入端。两片RAM的数据输入/输出端（I/O1~4）按位对应地并联使用。RAM有几种类型的存储单元？各适用于什么场合？什么是随机存储器？随机存储器有何特点？多看多练多做存储器的容量由什么来决定？在工作过程中，既可方便地读出所存信息，又能随时写入新的数据的存储器称为随机存储器，随机存储器。其特点是在系统工作时，可以很方便地随机地对各个存储单元进行读/写操作，但发生掉电时数据易丢失。检验学习结果按功能不同可分为静态和动态两类，按所用元件可分为双极型和单极型双极型存储器适用于存取速度要求高的场合，单极型的存储器适用于容量大、低功耗，对速度要求不高的场合。存储器的容量是由地址码的位数n和字长的位数m共同决定的。

只读存储器ROM存入数据的过程称为“编程”。根据编程方式的不同，可分为掩膜ROM，一次性编程的PROM、可多次编程的EPROM和电改写的E2PROM。早期制造的PROM可编程逻辑器件的存储单元利用其内部熔丝是否被烧断来写入数据的，因此只能写入一次，使其应用受到很大限制。2、可编程逻辑器件的存储单元PROM是一种可编程逻辑器件，它的地址译码器是一个固定的“与”阵列，它的“存储矩阵”是一个可编程的“或”阵列。一个83PROM的阵列图如图8.3.1所示。O0A2

A1A0O2O1图8.3.1PROM阵列图••••••••••••••••••••••••3、PROM的阵列结构与阵列：全译码阵列，n输入变量有2n个地址，对应2n根字线。或阵列：一组或门，输出端输出数据，输入端是位线，字线与位线的2n×m个交叉点都是可编程接点。用一个译码器框代替固定的与阵列,得 到PROM的简化阵列

地址译码器O2O1O0A2A1A0【举例】试用ROM实现两个两位二进制数的乘法运算。解：设这两个乘数为A1A0和B1B0，积为L3L2L1L0，列出乘法表，画出实现两位二进制数乘法的简化阵列图A1A0B1B0L3

L2L1

L000000001001000110100010101100111100010011010101111001101111011110000000000000000000000010010001100000010010001100000001101101001译码器A3A2A1A0W0W15L3L2L1L0••••••••••••••A1A0B1B08.4低密度可编程逻辑器件可编程逻辑器件按编程方式可分为掩膜编程和现场编程。掩膜编程是由生产厂家采用掩模工艺专门为用户制作；现场编程则是由用户在工作现场进行编程，以实现所需要的逻辑功能。任意一个逻辑函数都可以写成与—或表达形式，所以可编程逻辑器件的基本结构是一个与阵列和一个或阵列。与门阵列乘积项或门阵列和项PLD主体示意图PLD有较大的与或阵列，其逻辑图的画法也与传统的画法有较大的区别。&ABCDF1F1=ABD固定连接逻辑连接与阵列≥1ABCDF2或阵列F2=A+C可编程逻辑阵列PLA在存储器中的主要应用是构成组合逻辑电路，下面我们举例进行说明。(1)可编程逻辑阵列PLAPLA的特点：

与阵列和或阵列都可以编程。

PLA中的与阵列被编程产生所需的全部与项；PLA中的或阵列被编程完成相应与项间的或运算并产生输出。由此大大提高了芯片面积的有效利用率。例由图可得Y1=ABC+ABC+ABCY2=ABC+ABCY3=ABC+ABCABC与阵列Y3Y2Y1或阵列例

用PLA

实现逻辑函数L0=ABC+ABC+ABC+ABCL1=BC+BCL2=BC+BCL0L1L2(2)可编程阵列逻辑PALPAL结构示意图可编程阵列逻辑PAL的速度高且价格低，电路输出结构形式有多种，因可以方便地进行现场编程，所以受到用户欢迎。为实现时序逻辑电路的功能，可编程阵列逻辑PAL又设计制造了在或门和三态门之间加入D触发器，并且将D触