标准解读

《GB/T 6618-2009 硅片厚度和总厚度变化测试方法》与《GB/T 6618-1995 硅片厚度和总厚度变化测试方法》相比，在内容上进行了多方面的更新和完善。首先，新版本增加了对术语定义的详细说明，使得标准中使用的专业词汇更加明确易懂。其次，对于测量设备的要求有所提高，不仅规定了仪器的基本性能参数，还增加了关于校准周期以及环境条件控制的具体要求，以确保测试结果的一致性和准确性。

此外，《GB/T 6618-2009》细化了样品准备过程中的注意事项，包括但不限于硅片表面清洁度、边缘处理等方面的要求，这对于减少外界因素干扰、提高实验数据可靠性具有重要意义。在测试方法方面，新版标准引入了更多现代化的技术手段，并提供了多种可选方案供使用者根据实际情况选择最合适的测量方式。同时，对于数据处理部分也给出了更详尽的指导原则，比如如何计算平均值、标准偏差等统计量，以便于准确评估硅片的厚度均匀性。


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  • 现行
  • 正在执行有效
  • 2009-10-30 颁布
  • 2010-06-01 实施
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文档简介

犐犆犛２９．０４５

犎８０

中华人民共和国国家标准

犌犅／犜６６１８—２００９

代替ＧＢ／Ｔ６６１８—１９９５

硅片厚度和总厚度变化测试方法

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２００９１０３０发布２０１００６０１实施

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局

发布

中国国家标准化管理委员会

书

犌犅／犜６６１８—２００９

前言

本标准代替ＧＢ／Ｔ６６１８—１９９５《硅片厚度和总厚度变化测试方法》。

本标准与ＧＢ／Ｔ６６１８—１９９５相比，主要有如下变化：

———将适用范围扩展到外延片；

———增加了第４章干扰因素；

———增加了１５０ｍｍ和２００ｍｍ两种规格的基准环的尺寸；

———增加了７．２仪器校正的内容。

本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。

本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。

本标准起草单位：北京有研半导体材料股份有限公司。

本标准主要起草人：卢立延、孙燕、杜娟。

本标准所代替标准的历次版本发布情况为：

———ＧＢ６６１８—１９８６、ＧＢ／Ｔ６６１８—１９９５。

Ⅰ

书

犌犅／犜６６１８—２００９

硅片厚度和总厚度变化测试方法

１范围

本标准规定了硅单晶切割片、研磨片、抛光片和外延片（简称硅片）厚度和总厚度变化的分立式和扫

描式测量方法。

本标准适用于符合ＧＢ／Ｔ１２９６４、ＧＢ／Ｔ１２９６５、ＧＢ／Ｔ１４１３９规定的尺寸的硅片的厚度和总厚度变

化的测量。在测试仪器允许的情况下，本标准也可用于其他规格硅片的厚度和总厚度变化的测量。

２规范性引用文件

下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有

的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究

是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。

ＧＢ／Ｔ２８２８．１计数抽样检验程序第１部分：按接收质量限（ＡＱＬ）检索的逐批检验抽样计划

（ＧＢ／Ｔ２８２８．１—２００３，ＩＳＯ２８５９１：１９９９，ＩＤＴ）

ＧＢ／Ｔ１２９６４硅单晶抛光片

ＧＢ／Ｔ１２９６５硅单晶切割片和研磨片

ＧＢ／Ｔ１４１３９硅外延片

３方法概述

３．１分立点式测量

在硅片中心点和距硅片边缘６ｍｍ圆周上的４个对称位置点测量硅片厚度。其中两点位于与硅片

主参考面垂直平分线逆时针方向的夹角为３０°的直径上，另外两点位于与该直径相垂直的另一直径上

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