标准解读

GB/T 6352-1998《半导体器件 分立器件 第6部分:闸流晶体管 第一篇 100A以下环境或管壳额定反向阻断三极闸流晶体管空白详细规范》相较于GB 6352-1986版本,在多个方面进行了更新与调整。这些变化主要体现在以下几个方面:

首先,标准编号从GB变更为GB/T,意味着该标准由强制性国家标准转变为推荐性国家标准,反映了国家对于此类技术文件管理方式的变化。

其次,在结构上,新版标准采用了国际电工委员会(IEC)的相应标准框架,使得内容更加系统化、国际化,便于与其他国家和地区的技术文档进行对接。

再者,针对产品规格和技术要求,新标准增加了对某些特定性能参数的规定,并提高了部分原有指标的要求,如反向阻断电压、正向平均电流等关键电气特性。此外,还细化了测试条件及方法,以确保检测结果的一致性和准确性。


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  • 现行
  • 正在执行有效
  • 1998-11-17 颁布
  • 1999-06-01 实施
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文档简介

ICS31.080.20L43中华人民共和国国家标准GB/T6352.1998idttIEC747-6-1:1989QC750110半导体器件分立器件第6部分:闸流晶体管第一篇100A以下环境或管壳额定反向阻断三极闸流晶体管空白详细规范SemiconductordevicesDiscretedevicesPart6:ThyristorsSection0neBlankdetailspecificationforeblockingreversetriodeethyristorsambient,uptoorcase-rated,100A1998-11-17发布1999-06-01实施国家质量技术监督局发布

GB/T6352—1998前本规范等同采用IEC747-6-1:1989《半导体器件分立器件100A以下环境或管壳额定的反向阻断三极闸流品体管空白详细规范》。本规范是GB/T6352—1986的修订版本规范与GB/T6352—1986的主要差别是;在第4章中增加了电流与温度的降额曲线;调整了引用总规范及分规范的标准号。徐除非另有规定,本规范第8章中引用的条号对应于GB/T4589.1一1989《半导体器件分立器件和集成电路总规范》(IEC747-10:1984)的条号,测试方法引自GB/T15291—1994《半导体分立器件和集成电路第6部分:闸流晶体管》(IEC747-6:1983);试验方法引自GB/T4937-—1995《半导体器件机械和气候试验方法》(IEC749:1984)。本规范由中华人民共和国电子工业部提出。本规范由全国半导体器件标准化技术委员会归口本规范由电子工业部标准化研究所负责起草本规范主要起草人:于志贤、杨志丹、顾康麟

GB/T6352--1998IEC前言1)IEC(国际电工委员会)在技术问题上的正式决议或协议,是由对这些问题特别关切的国家委员会参加的技术委员会制定的,对所涉及的问题尽可能地代表了国际上的一致意见。2)这些决议或协议,以推荐标准的形式供国际上使用.并在此意义上为各国家委员会所认可。3)为了促进国际上的统一,IEC希望各国家委员会在本国条件许可的情况下,采用IEC标准的文本作为其国家标准,IEC标准与相应国家标准之间的差异,应尽可能在国家标准中指明。本标准由IEC第47技术委员会(半导体器件)制订。本标准是100A以下环境或管壳额定的反向阻断三极闸流晶体管空白详细规范本标准文本以下列文件为依据:六个月法表决报告47(C096047(C0)1010表决批准本标准的所有资料均可在上表所列的表决报告中查阅。本标准封面上的QC号是IEC电子元器件质量评定体系(IECQ)的规范号。本标准中引用的其他IEC标准:IEC68-2-17:1978基本环境试验程序第2部分:试验,试验Q:密封IEC191-2:1966半导体器件的机械标准化第2部分:尺寸(在修订中)IEC747-6:1983半导体器件分立器件第6部分:闸流品体管IEC747-10:1984半导体器件第10部分:分立器件和集成电路总规范JEC747-11:1985半导体器件第11部分:分立器件分规范IEC749:1984华导体器件机械和气候试验方法

中华人民共和国国家标准半导体器件分立器件第6部分:闸流晶体管第一篇_100A以下环境或管壳额定反向阻断三极闸流晶体管空白详细规范idiIEc7476-1:1985SemiconductordevicesQC.750110代替GB/T6352-1986DiscretedevicesPart6:ThyristorsSectionOne-Blankdetailspecificationforreverseblockingtriodethyristorsambientorcase-rated.upto100A引言本空白详细规范规定了制定100A以下(含100A)环境或管壳额定的反向阻断三极闸流晶体管(包括快速型)详细规范的基本原则,制定该范围内的所有详细规范应尽可能与本空白详细规范相一致.本空白详细规范是与GB/T4589.1-1989《半导体器件分立器件和集成电路总规范》IEC747-10:1984)和GB/T12560一1990《半导体器件分立器件分规范》IEC747-11:1985)有关的一系列空白详细规范中的一个。要求资料下列所要求的各项内容,应列入规定的相应的空栏内。详细规范的识别:「1授权起草详细规范的国家标准机构的名称L2JIECQ详细规范号。L37总规范号和分规范号以及年代号【41详细规范号、发布日期和国家体系要求的更多的资料。器件的识别:L57器件型号、「6典型结构和应用资料。如果设计一种器件满足若干应用,则应在详细规范中指出。这些应用的特性、极限值和检验要求均应予以满足。如果器件对静电敏感.或含有害物质,例如氧化皱.则应在详细规范中附加注意事项。L7外形图和(或)引用有关的外形标准。【87质量评定类别。L9能在各器件型号之间比较的最重要特性的

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