标准解读
《GB/T 6217-1998 半导体器件 分立器件 第7部分:双极型晶体管 第一篇 高低频放大环境额定的双极型晶体管空白详细规范》相较于《GB 6217-1986》,主要在以下几个方面进行了更新和调整:
首先,在标准编号上,《GB 6217-1986》变更为《GB/T 6217-1998》,新增了“T”标识,表明该标准属于推荐性国家标准而非强制性国家标准。这反映了国家对于此类技术文件性质认定的变化。
其次,新版标准对术语定义进行了补充和完善,确保了与国际电工委员会(IEC)相关标准的一致性和兼容性。例如,增加了关于高低频放大环境中使用的双极型晶体管特定要求的描述,使得标准内容更加全面且易于理解。
此外,《GB/T 6217-1998》还针对测试方法、性能参数以及质量保证等方面提出了更具体的要求。比如,在电气特性测量时明确了温度范围及条件设置;细化了长期稳定性试验项目及其评判标准等,从而提高了产品质量控制水平。
最后,新版本加强了对环境保护的关注度,在材料选择、生产工艺等方面加入了更多环保考量因素,并鼓励采用可回收或易处理的材料,以减少电子废物对环境的影响。
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- 现行
- 正在执行有效
- 1998-11-17 颁布
- 1999-06-01 实施
文档简介
ICS31.080.30L42GB中华人民共和国国家标准GB/T6217—1998idtIEC747-7-1:1989QC750102半导体器件分立器件第7部分:双极型品体管第一篇高低频放大环境额定的双极型晶体管空白详细规范Semiconductordevices--Discretedevices一Part7:BipolartransistorsSectionOne--Blankdetailspecificationforambient-ratedbipolartransistorsforlowandhighfrequencyamplification1998-11-17发布1999-06-01实施国家质量技术监督局发布
中华人民共和国国家标准半导体器件分立器件第7部分:双极型晶体管第一篇:高低频放大环境额定的双极型晶体管空白详细规范GB/T6217-1998中国标准出版社出版发行北京西城区复兴门外三里河北街16号邮政编码:100045电话:63787337、637874471999年6月第一版2004年12月电子版制作书号:155066·1-15868版权专有·侵权必究举报电话:(010)68533533
GB/T6217-1998前吉本规范是等同采用国际标准IEC747-7-1:1989《半导体器件分立器件高低频放大环境额定的双极型晶体管空白详细规范》第一版对GB/T6217—1986进行修订的。本规范与前版的主要差别是增加了配对晶体管的技术要求。本规范由中华人民共和国电子工业部提出。本规范由全国半导体器件标准化技术委员会归口。本规范由电子工业部标准化研究所负责起草。本规范主要起草人:王长福、顾振球、邓康、黄世杰。
GB/T6217-1998IEC前言1)IEC(国际电工委员会)在技术问题上的正式决议或协议,是由对这些问题特别关切的国家委员会参加的技术委员会制定的,对所涉及的间题尽可能地代表了国际上的一致意见。2)这些决议或协议,以推荐标准的形式供国际上使用,并在此意义上为各国家委员会所认可。3)为了促进国际间的统一,IEC希望各国家委员会在本国条件许可的情况下,采用IEC标准的文本作为其国家标准,IEC标准与相应国家标准之间的差异,应尽可能在国家标准中指明。本标准由国际电工委员会第47技术委员会(半导体器件)制定本标准是高低频放大环境额定的双极型品体管空白详细规范。本标准文本以下列文件为依据:六个月法表决报告47(C0)956和47(C098347(C0)971和47(C0)1027表决批准本标准的详细资料可在上表所列的表决报告中查阅本标准封面上的QC号是国际电工委员会电子元器件质量评定体系(IECQ)的规范号本标准中引用的其他IEC标准:IEC68-2-17:1978基本环境试验程序第2部分:试验试验Q:密封IEC191-2:1966半导体器件的机械标准化第2部分:尺寸(在修订中)IEC747-2:1983半导体器件分立器件第2部分:整流二极管IEC747-7:1988半导体器件分立器件第7部分:双极型晶体管TEC747-10:1984半导体器件第10部分:分立器件和集成电路总规范IEC747-11:1985半导体器件第11部分:分立器件分规范IEC749:1984半导体器件机械和气候试验方法
中华人民共和国国家标准半导体器件分立器件第7部分:双极型晶体管第一篇高低频放大环境额定的双极型晶体管空白详细规范GB/T6217—1998idtIEc7477-1:1989OC750102Semiconductordevices-Discretedevices代替GB/T6217-1986Part7:BipolartransistorsSectionOne-Blankdetailspecificationforambient-ratedbipolartransistorsforlowandhighfrequencyamplification引言本空白详细规范规定了制定高低频放大环境额定的双极型品体管详细规范的基本原则,制定该范围内的所有详细规范应与本空白详细规范一致。本空白规范是与GB/T4589.1一1989《半导体器件分立器件和集成电路总规范》IEC747-10:1984)和GB/T12560一1990《半导体器件分立器件分规范》IEC747-11:1985)有关的一系列空白详细规范中的一个。要求资料下列所要求的各项内容,应列入规定的相应空栏中。详细规范的识别「1授权起草详细规范的国家标准机构名称。「21IECQ详细规范号L3」总规范号和分规范号以及年代号。【4详细规范号、发布日期和国家体系要求的任何更多的资料器件的识别【57器件型号,【6典型结构和应用资料。如果设计一种器件满足若干应用,则应在详细规范中指出。这些应用的特性、极限值和检验要求均应子以满足。如果器件对静电敏感或含有害物质,例如氧化皱,则应在详细规范中附加注意事项。【7外形图和(或)引用有关的外形标准.【8]质量评定类别。【9]能在各器件型号之间比较的最重
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