乙酸锶还原法制备

报告人：刘畅组员：王云兰、朱莉琼、潘鑫乙酸锶还原法制备Sr2Si5N8:Eu2+荧光粉Sr2Si5N8:Eu2+荧光粉红色荧光粉用于光转换白光LED常用合成方法合成方法优点缺点固相反应法反应物比例可以精确控制需制备前驱体反应温度较高碳热还原法反应原料便宜条件简单碳污染较严重自蔓延高温法产物纯度高含氧量小氮化完全

前驱体的制备过程复杂

工业化大规模生产要求：产物纯度高原料容易获得、便宜反应过程简单条件要求低乙酸锶还原法反应流程图结果反应过程原料SrCO3Sr(CH3COO)2Si3N4Eu2O3混合均匀，放入Mo舟中通入氮气

300℃/min速度升温到1500-1600℃保温6小时产物

产物的SEM照片生成长度为5um的棒状晶体，粒径分布均匀Sr2Si5N8:Eu2+Sr(CH3COO)2CH4&COSrO&Eu2O3N2单质Si3N4SrNx&EuNx混合生成通入生成分解还原生成反应机理红外光谱显示升温速率为300℃/min时生成了还原性气体CO和CH4与其他方法比较与碳热还原法相比，由于反应物主要生成还原气氛，生成物中碳污染较少合成方法原料温度特殊要求固相反应法Si(NH)2/Sr,Eu金属+N2/超临界1650℃/1300-1400℃烧两次1400℃保温24h手套箱，全密闭环境，需制备前驱体碳热还原法Si3N4Eu2O3C、SrCO3

1200℃保温再升温至1500-1550℃两步升温自蔓延高温法Si,Ba,Eu

金属球经多次融化形成合金锭，再制成合金粉末，N21350-1450℃保温8h手套箱，全密闭环境，需制备前驱体乙酸锶还原法SrCO3Sr(CH3COO)2Si3N4Eu2O31500-1600℃保温6h射频炉产物的激发谱、发射谱及漫散射光谱激发谱两个带（320、460nm）对应Sr的两个位置在460nm下的发射谱峰值为619nm强度为同等激发波长下YAG的155%外在量子效率61%，相对与YAG的58%和SSR的51%略有提高。制成LED的光谱CIE色谱图上Sr2Si5N8:Eu2+(2at%)的坐标为(0.638,0.359)用Sr2Si5N8:Eu2+与InGaN芯片和Sr2Si5N8:Eu2+绿粉制成的LED的CRI值为89，CIE坐标为(0.377,0.391)

总结用乙酸锶还原法得到了Sr2Si5N8:Eu2的纯相与其他方法相比产物发射光强度大、量子效率高生成产物粒径分布均匀原料的价格便宜不需要制备前驱体反应一步完成参考文献1.X.Q.Piao,K.Machida,T.Horikawa,B.YunJ.Lumin.8(2010)1302.MartinZeuner,PeterJ.Schmidt,andWolfgangSchnick.Chem.Mater.21(2009)

2467.3.X.Q.Piao,K.Machida,T.Horikawa,andH.Hanzawa.Chem.Mater.

19,

(2007),4592.4.X.Q.Piao,T.Horikawa,H.Hanzawa,andK.Machida,Chem.Lett.35,(2006)334;Appl.Phys.Lett.88,(2006)1619085.Rong-JunXie,NaotoHiro