GB/T 4937.22-2018半导体器件机械和气候试验方法第22部分：键合强度

ICS3108001

L40..

中华人民共和国国家标准

GB/T493722—2018/IEC60749-222002

.:

半导体器件机械和气候试验方法

第22部分键合强度

:

Semiconductordevices—Mechanicalandclimatictestmethods—

Part22Bondstrenth

:g

(IEC60749-22:2002,IDT)

2018-09-17发布2019-01-01实施

国家市场监督管理总局发布

中国国家标准化管理委员会

GB/T493722—2018/IEC60749-222002

.:

目次

前言

…………………………Ⅲ

范围和目的

1………………1

试验说明

1.1……………1

试验装置适用于所有方法

1.2()………………………1

方法引线拉力单键合点和方法引线拉力双键合点见附录

2A:()B:()(A)…………1

范围

2.1…………………1

试验的一般描述

2.2……………………1

方法键合拉脱

3C:…………………………2

范围

3.1…………………2

程序

3.2…………………2

施加的力

3.3……………2

失效判据

3.4……………2

失效类别

3.5……………2

方法键合剪切用于倒装焊

4D:()…………3

范围

4.1…………………3

程序

4.2…………………3

施加的力

4.3……………3

失效判据

4.4……………3

失效类别

4.5……………3

方法推开试验和方法拉开试验

5E:F:…………………3

范围

5.1…………………3

方法程序

5.2E…………………………3

方法程序

5.3F…………………………4

方法和方法的失效判据

5.4EF………………………4

施加的力适用于方法和方法

5.5(EF)………………4

方法引线球剪切试验

6G:…………………4

范围

6.1…………………4

概述

6.2…………………4

术语和定义

6.3…………………………5

设备和材料

6.4…………………………7

程序

6.5…………………7

可接受的试验极限值

6.6………………8

相关文件中规定以下细节

7………………10

附录规范性附录指南

A()………………12

Ⅰ

GB/T493722—2018/IEC60749-222002

.:

前言

半导体器件机械和气候试验方法由以下部分组成

GB/T4937《》:

第部分总则

———1:;

第部分低气压

———2:;

第部分外部目检

———3:;

第部分强加速稳态湿热试验

———4:(HAST);

第部分稳态温湿度偏置寿命试验

———5:;

第部分高温贮存

———6:;

第部分内部水汽含量测试和其他残余气体分析

———7:;

第部分密封

———8:;

第部分标志耐久性

———9:;

第部分机械冲击

———10:;

第部分快速温度变化双液槽法

———11:;

第部分扫频振动

———12:;

第部分盐雾

———13:;

第部分引出端强度引线牢固性

———14:();

第部分通孔安装器件的耐焊接热

———15:;

第部分粒子碰撞噪声检测

———16:(PIND);

第部分中子辐照

———17:;

第部分电离辐射总剂量

———18:();

第部分芯片剪切强度

———19:;

第部分塑封表面安装器件耐潮湿和焊接热综合影响

———20:;

第部分对潮湿和焊接热综合影响敏感的表面安装器件的操作包装标志和运输

———20-1:、、;

第部分可焊性

———21:;

第部分键合强度

———22:;

第部分高温工作寿命

———23:;

第部分加速耐湿无偏置强加速应力试验

———24:(HSAT);

第部分温度循环

———25:;

第部分静电放电敏感度试验人体模型

———26:(ESD)(HBM);

第部分静电放电敏感度试验机械模型

———27:(ESD)(MM);

第部分静电放电敏感度试验带电器件模型器件级

———28:(ESD)(CDM);

第部分闩锁试验

———29:;

第部分非密封表面安装器件在可靠性试验前的预处理

———30:;

第部分塑封器件的易燃性内部引起的

———31:();

第部分塑封器件的易燃性外部引起的

———32:();

第部分加速耐湿无偏置高压蒸煮

———33:;

第部分功率循环

———34:;

第部分塑封电子元器件的声学扫描显微镜检查

———35:;

第部分恒定加速度

———36:;

Ⅲ

GB/T493722—2018/IEC60749-222002

.:

第部分采用加速度计的板级跌落试验方法

———37:;

第部分半导体存储器件的软错误试验方法

———38:;

第部分半导体元器件原材料的潮气扩散率和水溶解率测量

———39:;

第部分采用张力仪的板级跌落试验方法

———40:;

第部分非易失性存储器件的可靠性试验方法

———41:;

第部分温度和湿度贮存

———42:;

第部分集成电路可靠性鉴定方案指南

———43:(IC);

第部分半导体器件的中子束辐照单粒子效应试验方法

———44:。

本部分为的第部分

GB/T493722。

本部分按照给出的规则起草

GB/T1.1—2009。

本部分使用翻译法等同采用半导体器件机械和气候试验方法第部分

IEC60749-22:2002《22:

键合强度

》。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任

。。

本部分由中华人民共和国工业和信息化部提出

。

本部分由全国半导体器件标准化技术委员会归口

(SAC/TC78)。

本部分起草单位中国电子科技集团公司第十三研究所深圳市标准技术研究院

:、。

本部分主要起草人裴选彭浩高瑞鑫刘玮高金环马坤

:、、、、、。

Ⅳ

GB/T493722—2018/IEC60749-222002

.:

半导体器件机械和气候试验方法

第22部分键合强度

:

1范围和目的

的本部分适用于半导体器件分立器件和集成电路

GB/T4937()。

本部分的目的是测量键合强度或确定键合强度是否满足规定的要求

。

11试验说明

.

规定了种试验方法每种试验方法目的不同分别如下

7,,:

方法和方法通过对内引线直接施加拉力来测试器件内部的键合强度

———AB:;

方法用于器件外部的键合在引线或引出端与布线板或基底之间施加拉脱应力

———C:,;

方法用于内部键合在芯片和基底之间或对类似的面键合结构施加剪切应力

———D:,;

方法和方法用于外部键合在芯片和基底之间施加推开应力或拉开应力

———EF:,;

方法用于测试引线键合抗剪切力的强度

———G:。

12试验装置适用于所有方法

.()

试验装置应包括按规定的试验方法要求在键合点引线或引出端上施加规定应力的设备该设备

,、。

能对失效时施加的应力以为单位提供经过校准的测量和指示该设备测量以内的力包

(N)。100mN(

括应具有的精度测量到之间的力应具有的精度测量超

100mN)±2.5mN,100mN500mN±5mN,

过的力应具有指示值的的精度

500mN,±2.5%。

2方法A引线拉力单键合点和方法B引线拉力双键合点见附录A

:():()()

21范围

.

本方法适用于采用锡焊热压焊超声焊和其