标准解读
GB/T 4937.12-2018《半导体器件 机械和气候试验方法 第12部分:扫频振动》是中华人民共和国国家标准之一,该标准规定了半导体器件在特定条件下进行扫频振动试验的方法。它旨在评估半导体器件对由于运输、安装或使用过程中可能遇到的振动环境所造成的机械应力的耐受能力。
本标准适用于各种类型的半导体器件,包括但不限于晶体管、二极管、集成电路等。通过执行扫频振动测试,可以模拟实际应用中这些组件可能会遭遇的不同频率范围内的振动情况,从而帮助制造商了解其产品在面对外部机械冲击时的表现如何,并据此作出相应改进以提高产品质量和可靠性。
根据GB/T 4937.12-2018的规定,扫频振动试验通常会在一个可控环境中进行,其中包含了对加速度值、频率范围以及扫描速率的具体要求。此外,还详细描述了样品准备、安装方式、测量设备的选择与校准等方面的内容,确保每次实验都能按照统一的标准来进行,保证结果的一致性和可比性。
对于参与测试的每个半导体器件来说,需要记录下它们在整个振动过程中的性能变化情况,比如是否有物理损伤出现、电气特性是否发生变化等关键指标。基于这些数据,研究人员能够更准确地判断出不同型号或批次间的产品差异,并为后续设计优化提供依据。
此标准作为一套完整的指导方针,不仅有助于提升国内半导体行业的技术水平,同时也促进了国际间的技术交流与合作,对于推动整个电子工业的发展具有重要意义。
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....
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- 现行
- 正在执行有效
- 2018-09-17 颁布
- 2019-01-01 实施




文档简介
ICS3108001
L40..
中华人民共和国国家标准
GB/T493712—2018/IEC60749-122002
.:
半导体器件机械和气候试验方法
第12部分扫频振动
:
Semiconductordevices—Mechanicalandclimatictestmethods—
Part12Vibrationvariablefreuenc
:,qy
(IEC60749-12:2002,IDT)
2018-09-17发布2019-01-01实施
国家市场监督管理总局发布
中国国家标准化管理委员会
GB/T493712—2018/IEC60749-122002
.:
前言
半导体器件机械和气候试验方法由以下部分组成
GB/T4937《》:
第部分总则
———1:;
第部分低气压
———2:;
第部分外部目检
———3:;
第部分强加速稳态湿热试验
———4:(HAST);
第部分稳态温湿度偏置寿命试验
———5:;
第部分高温贮存
———6:;
第部分内部水汽含量测试和其他残余气体分析
———7:;
第部分密封
———8:;
第部分标志耐久性
———9:;
第部分机械冲击
———10:;
第部分快速温度变化双液槽法
———11:;
第部分扫频振动
———12:;
第部分盐雾
———13:;
第部分引出端强度引线牢固性
———14:();
第部分通孔安装器件的耐焊接热
———15:;
第部分粒子碰撞噪声检测
———16:(PIND);
第部分中子辐照
———17:;
第部分电离辐射总剂量
———18:();
第部分芯片剪切强度
———19:;
第部分塑封表面安装器件耐潮湿和焊接热综合影响
———20:;
第部分对潮湿和焊接热综合影响敏感的表面安装器件的操作包装标志和运输
———20-1:、、;
第部分可焊性
———21:;
第部分键合强度
———22:;
第部分高温工作寿命
———23:;
第部分加速耐湿无偏置强加速应力试验
———24:(HSAT);
第部分温度循环
———25:;
第部分静电放电敏感度试验人体模型
———26:(ESD)(HBM);
第部分静电放电敏感度试验机械模型
———27:(ESD)(MM);
第部分静电放电敏感度试验带电器件模型器件级
———28:(ESD)(CDM);
第部分闩锁试验
———29:;
第部分非密封表面安装器件在可靠性试验前的预处理
———30:;
第部分塑封器件的易燃性内部引起的
———31:();
第部分塑封器件的易燃性外部引起的
———32:();
第部分加速耐湿无偏置高压蒸煮
———33:;
第部分功率循环
———34:;
第部分塑封电子元器件的声学扫描显微镜检查
———35:;
第部分恒定加速度
———36:;
Ⅰ
GB/T493712—2018/IEC60749-122002
.:
第部分采用加速度计的板级跌落试验方法
———37:;
第部分半导体存储器件的软错误试验方法
———38:;
第部分半导体元器件原材料的潮气扩散率和水溶解率测量
———39:;
第部分采用张力仪的板级跌落试验方法
———40:;
第部分非易失性存储器件的可靠性试验方法
———41:;
第部分温度和湿度贮存
———42:;
第部分集成电路可靠性鉴定方案指南
———43:(IC);
第部分半导体器件的中子束辐照单粒子效应试验方法
———44:。
本部分为的第部分
GB/T493712。
本部分按照给出的规则起草
GB/T1.1—2009。
本部分使用翻译法等同采用半导体器件机械和气候试验方法第部分
IEC60749-12:2002《12:
扫频振动
》。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任
。。
本部分由中华人民共和国工业和信息化部提出
。
本部分由全国半导体器件标准化技术委员会归口
(SAC/TC78)。
本部分起草单位中国电子科技集团公司第十三研究所
:。
本部分主要起草人迟雷彭浩岳振鹏李树杰崔波高金环裴选张艳杰
:、、、、、、、。
Ⅱ
GB/T493712—2018/IEC60749-122002
.:
半导体器件机械和气候试验方法
第12部分扫频振动
:
1范围
的本部分的目的是测定在规定频率范围内振动对器件的影响本试验是破坏性试
GB/T4937,。
验通常用于有空腔的器件
,。
本试验与基本一致但鉴于半导体器件的特殊要求采用本部分的条款
GB/T2423.10—2008,,。
2规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的凡是注日期的引用文件仅注日期的版本适用于本文
。,
件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于本文件
。,()。
电工电子产品环境试验第部分试验方法试验振动正弦
GB/T2423.10—20082:Fc:()
(IEC60068-2-6:1995,IDT)
3试验设备
本试验所需设备包括能在规定条件下进行扫频振动的振动装置以及试验后进行测量所必需的光
,
学和电气设备
。
4试验程序
样品应刚性地安装在振动台上引出端和电缆也应安全固定以避免引入额外的引线共振应使样
,,。
品做简谐振动其振幅两倍幅值为峰峰值或其峰值加速度为2取较小者振动频
,1.5mm(-),200m/s,。
率在范围内近似对数变化从再回到的整个频率范围的振
20Hz~2000Hz。20Hz~2000Hz20Hz
动时间不应少于在XY和Z个方向上各进行次这样的循环共次
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