GB/T 42709.5-2023半导体器件微电子机械器件第5部分：射频MEMS开关

ICS31200

CCSL.40

中华人民共和国国家标准

GB/T427095—2023/IEC62047-52011

.:

半导体器件微电子机械器件

第5部分射频MEMS开关

:

Semiconductordevices—Micro-electromechanicaldevices—

Part5RFMEMSswitches

:

IEC62047-52011IDT

(:,)

2023-05-23发布2023-09-01实施

国家市场监督管理总局发布

国家标准化管理委员会

GB/T427095—2023/IEC62047-52011

.:

目次

前言

…………………………Ⅲ

引言

…………………………Ⅳ

范围

1………………………1

规范性引用文件

2…………………………1

术语和定义

3………………1

开关操作术语

3.1………………………2

开关结构术语

3.2………………………2

驱动方式术语

3.3………………………2

开关网络结构术语

3.4…………………2

可靠性术语

3.5…………………………3

电特性术语

3.6…………………………3

基本额定值和特性

4………………………5

标识和类型说明

4.1……………………5

应用和规格说明

4.2……………………5

极限值和工作条件

4.3…………………5

直流和射频特性

4.4……………………6

机械和环境特征

4.5……………………6

附加信息

4.6……………6

测试方法

5…………………6

通则

5.1…………………6

直流特性

5.2……………7

射频特性

5.3……………10

开关特性

5.4……………14

可靠性

6……………………14

通则

6.1…………………14

寿命周期

6.2……………15

温度循环

6.3……………16

高温高湿试验

6.4………………………16

冲击试验

6.5……………17

振动试验

6.6……………17

静电放电敏感度试验

6.7………………17

附录资料性射频开关的一般说明

A()MEMS………18

附录资料性射频开关的几何结构

B()MEMS………19

Ⅰ

GB/T427095—2023/IEC62047-52011

.:

附录资料性射频开关的封装

C()MEMS……………22

附录资料性射频开关的失效机制

D()MEMS………23

附录资料性射频开关的应用

E()MEMS……………24

附录资料性射频开关的测试程序

F()MEMS………25

附录资料性本文件与章条编号对照

NA()IEC62047-5:2011………26

Ⅱ

GB/T427095—2023/IEC62047-52011

.:

前言

本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件是半导体器件微电子机械器件的第部分已经发布了以

GB/T42709《》5。GB/T42709

下部分

:

第部分射频开关

———5:MEMS;

第部分用于射频控制和选择的体声波滤波器和双工器

———7:MEMS;

第部分电子罗盘

———19:。

本文件等同采用半导体器件微电子机械器件第部分射频

IEC62047-5:2011《5:MEMS

开关

》。

本文件做了下列最小限度的编辑性改动

:

纳入了勘误表内容所涉及的条款的外侧页边空白位置用垂直

———IEC62047-5:2011/Cor1:2012

双线进行了标示

(‖)。

增加了附录资料性

———NA()。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任

。。

本文件由中华人民共和国工业和信息化部提出并归口

。

本文件起草单位中国电子技术标准化研究院中国电子信息产业集团有限公司北京大学北京必

:、、、

创科技股份有限公司河北美泰电子科技有限公司

、。

本文件主要起草人刘若冰李博张威陈得民崔波翟晓飞

:、、、、、。

Ⅲ

GB/T427095—2023/IEC62047-52011

.:

引言

本文件适用于射频开关明确了射频开关的基本额定值和特性的术语定义

MEMS,MEMS、、

符号和参数测试方法等有利于更好地指导相关行业从业人员进行产品开发测试使用等工作

,、、。

半导体器件微电子机械器件拟由以下部分组成

GB/T42709《》:

第部分薄膜材料的拉伸试验方法目的在于规定薄膜材料的拉伸试验方法

———2:。MEMS。

第部分拉伸试验用的薄膜标准试验片目的在于规定薄膜材料拉伸试验用试验片

———3:。MEMS

的相关要求

。

第部分射频开关目的在于规定射频开关的术语定义特性要求测试方

———5:MEMS。MEMS、、

法等

。

第部分薄膜材料轴向疲劳试验方法目的在于规定薄膜材料的轴向疲劳试验

———6:。MEMS

方法

。

第部分用于射频控制和选择的体声波滤波器和双工器目的在于规定体

———7:MEMS。MEMS

声波谐振器滤波器和双工器的术语定义特性要求测试方法等

、、、。

第部分薄膜拉伸特性测量的带材弯曲试验方法目的在于规定用于测量薄膜拉伸特性的

———8:。

带材弯曲试验方法

。

第部分晶圆键合强度试验方法目的在于规定晶圆的键合强度试验方法

———9:MEMS。MEMS。

第部分悬空材料的线性热膨胀系数测试方法目的在于规定悬空材料的

———11:MEMS。MEMS

线性热膨胀系数测试方法

。

第部分采用结构谐振法的薄膜材料挠曲疲劳试验方法目的在于规定薄

———12:MEMS。MEMS

膜材料挠曲疲劳试验方法

。

第部分结构粘附强度试验方法目的在于规定结构的粘附强度试验

———13:MEMS。MEMS

方法

。

第部分薄膜残余应力的晶圆曲率和悬臂梁挠度试验方法目的在于规定

———16:MEMS。

薄膜残余应力的晶圆曲率和悬臂梁挠度两种试验方法

MEMS。

第部分电子罗盘目的在于规定电子罗盘的术语定义特性要求测试方法等

———19:。、、。

第部分薄膜材料泊松比测试方法目的在于规定薄膜材料的泊松比测试

———21:MEMS。MEMS

方法

。

第部分柔性衬底导电薄膜的机电拉伸测试方法目的在于规定导电薄膜材料的

———22:。MEMS

机电性能拉伸试验方法

。

第部分微沟槽和针结构的描述和试验方法目的在于规定微沟槽和针结构的描

———26:。MEMS

述和试验方法

。

第部分玻璃熔结结构的粘结强度试验方法目的在于规定玻璃熔结结构的粘结强

———27:MCT。

度的试验方法

MCT。

第部分室温下悬空导电薄膜的机电松弛试验方法目的在于规定器件的悬空导

———29:。MEMS

电薄膜在室温下的机电松弛试验方法

。

第部分谐振器非线性振动测试方法目的在于规定谐振器的非线性振动

———32:MEMS。MEMS

性能测试方法

。

第部分柔性机电器件弯曲变形电特性测试方法目的在于规定柔性机电器件的弯曲变形

———35:。

状态电特性测试方法

。

Ⅳ

GB/T427095—2023/IEC62047-52011

.:

第部分压电薄膜的环境及介电耐受试验方法目的在于规定压电薄膜的

———36:MEMS。MEMS

环境及介电耐受性能试验方法

。

第部分互连中金属粉末膏体粘附强度试验方法目的在于规定互连中金

———38:MEMS。MEMS

属粉末膏体粘附强度的试验方法

。

第部分惯性冲击开关阈值测试方法目的在于规定惯性冲击开关的阈值

———40:MEMS。MEMS

测试方法

。

Ⅴ

GB/T427095—2023/IEC62047-52011

.:

半导体器件微电子机械器件

第5部分射频MEMS开关

:

1范围

本文件界定了用于评估和确定射频开关的基本额定值和特性的术语定义和符号描述了

MEMS、,

参数测试方法

。

本文件适用于各种类型的射频开关射频开关的一般说明见附录按接触方式

MEMS,MEMSA。

分类包括直流触点型开关和电容触点型开关按结构分类包括串联开关和并联开关射频开

,;,,MEMS

关的几何结构说明见附录按开关网络分类包括单刀单掷开关单刀双掷开关和双刀双掷开关等按

B;,、;

驱动方式分类包括静电驱动开关热电驱动开关电磁驱动开关和压电驱动开关等射频开关

,、、。MEMS

在多频带或多模式移动电话智能雷达系统可重构射频器件和系统软件无线电电话测试设

、、、SDR()、

备可调谐器件和系统卫星等方面应用广泛射频开关的应用说明见附录

、、,MEMSE。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款其中注日期的引用文

。,

件仅该日期对应的版本适用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于

,;,()

本文件

。

半导体器件机械和气候试验方法第部分扫频振动

GB/T4937.12—201812:(IEC60749-12:

2002,IDT)

半导体器件机械和气候试验方法第部分静电放电敏感度

GB/T4937.27—2023