标准解读

《GB/T 4061-2009 硅多晶断面夹层化学腐蚀检验方法》与《GB 4061-1983》相比，在内容和技术要求上进行了更新和细化，主要体现在以下几个方面：

首先，《GB/T 4061-2009》将标准从强制性国家标准调整为推荐性国家标准，这一变化反映了国家对于该领域技术标准管理方式的调整。其次，在适用范围上，新版本明确了适用于硅多晶材料中非金属夹杂物及缺陷检测的要求，并对样品制备、试验条件等细节做出了更加具体的规定。

此外，《GB/T 4061-2009》还增加了对试验溶液成分的具体要求以及配制方法的描述，确保了不同实验室间结果的一致性和可比性。同时，新版标准也详细规定了腐蚀过程中的温度控制、时间设定等关键参数，以提高检测精度。

在结果评定部分，《GB/T 4061-2009》不仅保留了原标准中关于缺陷分类的基本框架，而且进一步细化了各类缺陷的定义及其识别依据，使得评价体系更为科学合理。另外，新标准还补充了实验报告格式的相关要求，强调了记录保存的重要性，有利于后续的数据分析与质量追溯。


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  • 现行
  • 正在执行有效
  • 2009-10-30 颁布
  • 2010-06-01 实施
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文档简介

犐犆犛２９．０４５

犎８０

中华人民共和国国家标准

犌犅／犜４０６１—２００９

代替ＧＢ４０６１—１９８３

硅多晶断面夹层化学腐蚀检验方法

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２００９１０３０发布２０１００６０１实施

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局

发布

中国国家标准化管理委员会

书

犌犅／犜４０６１—２００９

前言

本标准代替ＧＢ４０６１—１９８３《硅多晶断面夹层化学腐蚀检验方法》。

本标准与原标准相比，主要有如下改动：

———增加了“术语”、“试剂与器材”；

———增加了“检验报告”内容；

———对试样尺寸的切取方向和试样处理内容增加了要求。

本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。

本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。

本标准起草单位：洛阳中硅高科技有限公司。

本标准主要起草人：袁金满。

本标准所代替标准的历次版本发布情况为：

———ＧＢ４０６１—１９８３。

Ⅰ

书

犌犅／犜４０６１—２００９

硅多晶断面夹层化学腐蚀检验方法

１范围

本标准规定了以三氯氢硅和四氯化硅为原料在还原炉内用氢气还原出的硅多晶棒的断面夹层化学

腐蚀检验方法。

本标准关于断面夹层的检验适用于以三氯氢硅和四氯化硅为原料，以细硅芯为发热体，在还原炉内

用氢气还原沉积生长出来的硅多晶棒。

２方法原理

本方法采用化学腐蚀法，根据氢氟酸硝酸混合液对硅多晶断面氧化夹层及温度夹层腐蚀速率的差

别进行检验。

３术语

３．１

氧化夹层狅狓犻犱犲犾犪犿犲犾犾犪

硅多晶横断面上呈同心圆状结构的氧化硅夹杂。

３．２

温度夹层狋犲犿狆犲狉犪狋狌狉犲犾犪犿犲犾犾犪

由于温度起伏，在硅多晶的横断面上引起结晶致密度、晶粒大小或颜色的差异，晶粒呈现出以硅芯

为中心的年轮状结构，也叫温度圈（ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅｃｉｒｃｌｅ）。

４试剂与器材

４．１试剂

４．１．１纯水：大于２ＭΩ·ｃｍ纯水（２５℃）。

４．１．２氢氟酸（ＨＦ）：化学纯。

４．１．３硝酸（ＨＮＯ３）：化学纯。

４．２器材

４．２．１器皿：采用耐氢氟酸腐蚀材料。

４．２．２排风橱：采用耐酸气腐蚀材料。

５试样制备

５．１取样部位

除在桥形硅多晶棒硅芯搭接处或者直的硅多晶棒离石墨卡头１０ｃｍ

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