标准解读
《GB/T 35310-2017 200 mm硅外延片》是一项国家标准,旨在规定了直径为200毫米(约8英寸)的单晶硅外延片的技术要求、试验方法、检验规则以及包装、标志、运输和贮存的要求。该标准适用于制造集成电路和其他半导体器件所使用的200毫米单晶硅外延片。
根据此标准,硅外延片应符合特定的物理尺寸参数,包括但不限于厚度、总厚度变化、翘曲度等,并且对外延层的质量有着明确的规定,比如表面缺陷密度、电阻率均匀性等方面。此外,还定义了一系列测试方法来验证这些参数是否达到指定的标准值,如使用四点探针法测量电阻率,采用X射线衍射技术检测晶体结构完整性等。
对于质量控制方面,《GB/T 35310-2017》提出了详细的抽样计划与接受准则,确保每批次产品都能满足既定的质量水平。同时,在产品的包装上也做了具体指导,以保证在运输过程中不会因为不当处理而损坏产品;并且对如何正确标记信息进行了说明,以便于识别不同规格的产品及其制造商信息。
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- 现行
- 正在执行有效
- 2017-12-29 颁布
- 2018-07-01 实施
![GB/T 35310-2017200 mm硅外延片_第1页](http://file4.renrendoc.com/view/e20026b948b8c80385d4d7459776ef98/e20026b948b8c80385d4d7459776ef981.gif)
![GB/T 35310-2017200 mm硅外延片_第2页](http://file4.renrendoc.com/view/e20026b948b8c80385d4d7459776ef98/e20026b948b8c80385d4d7459776ef982.gif)
![GB/T 35310-2017200 mm硅外延片_第3页](http://file4.renrendoc.com/view/e20026b948b8c80385d4d7459776ef98/e20026b948b8c80385d4d7459776ef983.gif)
文档简介
ICS29045
H82.
中华人民共和国国家标准
GB/T35310—2017
200mm硅外延片
200mmsiliconepitaxialwafer
2017-12-29发布2018-07-01实施
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局发布
中国国家标准化管理委员会
GB/T35310—2017
前言
本标准按照给出的规则起草
GB/T1.1—2009。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会与全国半导体设备和材料标准
(SAC/TC203)
化技术委员会材料分技术委员会共同提出并归口
(SAC/TC203/SC2)。
本标准起草单位南京国盛电子有限公司有色金属技术经济研究院
:、。
本标准主要起草人马林宝骆红杨帆金龙杨素心
:、、、、。
Ⅰ
GB/T35310—2017
200mm硅外延片
1范围
本标准规定了直径硅外延片的术语和定义产品分类要求试验方法检验规则以及标
200mm、、、、
志包装运输贮存质量证明书
、、、、。
本标准适用于在型和型硅抛光衬底片上外延生长的硅外延片产品主要用于制作集成电路
NP。
或半导体器件
。
2规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的凡是注日期的引用文件仅注日期的版本适用于本文
。,
件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于本文件
。,()。
非本征半导体材料导电类型测试方法
GB/T1550
半导体单晶晶向测定方法
GB/T1555
计数抽样检验程序第部分按接收质量限检索的逐批检验抽样计划
GB/T2828.11:(AQL)
硅片电阻率测定扩展电阻探针法
GB/T6617
硅片厚度和总厚度变化测试方法
GB/T6618
硅片弯曲度测试方法
GB/T6619
硅片翘曲度非接触式测试方法
GB/T6620
硅片表面平整度测试方法
GB/T6621
硅抛光片表面质量目测检验方法
GB/T6624
硅单晶抛光片
GB/T12964
硅外延层扩散层和离子注入层薄层电阻的测定直排四探针法
GB/T14141、
硅外延层晶体完整性检测方法腐蚀法
GB/T14142
硅外延层载流子浓度测定汞探针电容电压法
GB/T14146—
半导体材料术语
GB/T14264
重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法
GB/T14847
硅抛光片表面颗粒测试方法
GB/T19921
硅片表面金属沾污的全反射光荧光光谱测试方法
GB/T24578X
硅片平整度厚度及总厚度变化测试自动非接触扫描法
GB/T29507、
硅片翘曲度测试自动非接触扫描法
GB/T32280
硅片包装
YS/T28
3术语和定义
界定的术语和定义适用于本文件
GB/T14264。
4产品分类
41产品按导电类型分为型和型型外延层掺杂元素为磷或砷型外延
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