标准解读

《GB/T 31351-2014 碳化硅单晶抛光片微管密度无损检测方法》是一项国家标准，主要针对碳化硅单晶抛光片中微管缺陷的无损检测提供了一种标准化的方法。该标准适用于半导体材料领域，尤其是对于高质量碳化硅单晶材料的需求日益增长的情况下，如何有效控制材料内部缺陷成为了一个关键问题。本标准规定了使用X射线形貌技术来测定碳化硅单晶抛光片内微管缺陷密度的具体步骤和技术要求。

按照此标准进行测试时，首先需要准备符合特定规格的样品，并确保其表面清洁度达到一定标准以避免外来杂质干扰检测结果。接下来，通过将样品放置于专用设备中，在特定条件下（如温度、湿度等）利用X射线照射样品，并收集透过样品后的X射线图像。通过对这些图像的分析，可以识别出存在于碳化硅单晶抛光片中的微管缺陷及其分布情况。最后，根据获得的数据计算出单位面积内的微管数量，以此作为评价材料质量的一个重要指标。

整个过程中需要注意的是，除了正确操作实验设备外，还需要严格按照标准所规定的参数设置来进行测量，包括但不限于X射线源的选择、曝光时间以及成像条件等。此外，为了保证测试结果的准确性与可靠性，还应定期对仪器进行校准，并采用适当的方法处理数据。


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....

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  • 现行
  • 正在执行有效
  • 2014-12-31 颁布
  • 2015-09-01 实施
©正版授权
GB/T 31351-2014碳化硅单晶抛光片微管密度无损检测方法_第1页
GB/T 31351-2014碳化硅单晶抛光片微管密度无损检测方法_第2页
GB/T 31351-2014碳化硅单晶抛光片微管密度无损检测方法_第3页
GB/T 31351-2014碳化硅单晶抛光片微管密度无损检测方法_第4页
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文档简介

ICS7704099

H26..

中华人民共和国国家标准

GB/T31351—2014

碳化硅单晶抛光片微管密度无损检测方法

Nondestructivetestmethodformicropipedensityof

polishedmonocrystallinesiliconcarbidewafers

2014-12-31发布2015-09-01实施

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局发布

中国国家标准化管理委员会

中华人民共和国

国家标准

碳化硅单晶抛光片微管密度无损检测方法

GB/T31351—2014

*

中国标准出版社出版发行

北京市朝阳区和平里西街甲号

2(100029)

北京市西城区三里河北街号

16(100045)

网址

:

服务热线

:400-168-0010

年月第一版

20151

*

书号

:155066·1-50709

版权专有侵权必究

GB/T31351—2014

前言

本标准按照给出的规则起草

GB/T1.1—2009。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任

。。

本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会和全国半导体设备和材料标准

(SAC/TC203)

化技术委员会材料分会共同提出并归口

(SAC/TC203/SC2)。

本标准起草单位北京天科合达蓝光半导体有限公司中国科学院物理研究所

:、。

本标准主要起草人陈小龙郑红军张玮郭钰刘振洲

:、、、、。

Ⅰ

GB/T31351—2014

碳化硅单晶抛光片微管密度无损检测方法

1范围

本标准规定了晶型和晶型碳化硅单晶抛光片的微管密度的无损检测方法

4H6H。

本标准适用于晶型和晶型碳化硅单晶抛光片经单面抛光或双面抛光后微管的径向尺寸

4H6H、

在一微米至几十微米范围内的微管密度的测量

。

2术语和定义

下列术语和定义适用于本文件

。

21

.

微管micropipe

或碳化硅单晶抛光片中沿轴方向延伸且径向尺寸在一微米至几十微米范围的中空管道

4H6Hc。

22

.

微管密度micropipedensity

单位面积内微管个数记为单位为个每平方厘米个2

,MPD,(/cm)。

3方法原理

利用入射光线在微管周围处的折射系数差异确定微管从而计算出相应的微管密度测试系统的

,。

光源首先通过偏振光片起偏器自然光改变成为具有一定振动方向的光如果样品的晶格排列均

P1(),;

匀即折射率相同则经过样品的光线仍旧是同一振动方向的光这样经过与成的偏振光片

,,;,P190°P2

检偏器后探测器得到的光强信号将是均匀的如果样品某处存在微管碳化硅微管内部中空且周

(),。,,

围存在一定的应力场其相应的折射系数不一致则经过样品的光线在微管附近振动方向与整体不再平

,,

行结果探测器得到的光强信号就会反应出相应的差别示意图如图

,。1。

图1微管无损检测原理图

当样品表面平行于晶面时微管显示为蝴蝶状亮点当样品表面偏离晶面时微管显

(0001),;(0001),

示为彗星状这种光强信号的差别表示微管的存在用正交偏光显微镜在透射光模式下放大倍

,。50~

倍观察当晶片切割方向垂直于轴时微管的典型形貌为蝴蝶状如图所示当切割方向与

100,

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