• 现行
  • 正在执行有效
  • 2013-05-09 颁布
  • 2014-02-01 实施
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GB/T 29505-2013硅片平坦表面的表面粗糙度测量方法_第1页
GB/T 29505-2013硅片平坦表面的表面粗糙度测量方法_第2页
GB/T 29505-2013硅片平坦表面的表面粗糙度测量方法_第3页
GB/T 29505-2013硅片平坦表面的表面粗糙度测量方法_第4页
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文档简介

ICS29045

H80.

中华人民共和国国家标准

GB/T29505—2013

硅片平坦表面的表面粗糙度测量方法

Testmethodformeasuringsurfaceroughnessonplanarsurfacesofsiliconwafer

2013-05-09发布2014-02-01实施

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局发布

中国国家标准化管理委员会

GB/T29505—2013

目次

前言…………………………

Ⅲ

范围………………………

11

规范性引用文件…………………………

21

术语和定义………………

31

方法提要…………………

42

干扰因素…………………

53

仪器设备…………………

63

粗糙度测量步骤…………………………

75

报告………………………

88

附录规范性附录粗糙度测量规范和有关输出的例子……………

A()9

附录资料性附录有关硅片粗糙度分布的试验和模型源于附录…

B()(SEMIM40)11

参考文献……………………

25

Ⅰ

GB/T29505—2013

前言

本标准按照给出的规则起草

GB/T1.1—2009。

本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出并归口

(SAC/TC203)。

本标准起草单位有研半导体材料股份有限公司中国有色金属工业标准计量质量研究所

:、。

本标准主要起草人孙燕李莉卢立延翟富义向磊

:、、、、。

Ⅲ

GB/T29505—2013

硅片平坦表面的表面粗糙度测量方法

1范围

本标准提供了硅片表面粗糙度测量常用的轮廓仪干涉仪散射仪三类方法的测量原理测量设备

、、、

和程序并规定了硅片表面局部或整个区域的标准扫描位置图形及粗糙度缩写定义

,。

本标准适用于平坦硅片表面的粗糙度测量也可用于其他类型的平坦晶片材料但不适用于晶片边

;,

缘区域的粗糙度测量

。

本标准不适用于带宽空间波长的测量仪器

≤10nm。

2规范性引用文件

下列文件对于本文件的应用是必不可少的凡是注日期的引用文件仅注日期的版本适用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于本文件

。,()。

半导体材料术语

GB/T14264

3术语和定义

界定的以及下列术语和定义适用于本文件

GB/T14264。

31

.

自相关函数autocorrelationfunction

强谱线密度函数的傅立叶转换它表示一个表面轮廓和经滑移或横向移动的同样轮廓之间关于其

。

自身的相似性

。

32

.

自相关长度autocorrelationlength

要求横向滑动以把自相关函数简化为一个等于乘以它的滑动值的值有时使用或者

e-10。10%

值定义替代

0e-1。

33

.

双向反射分布函数bi-directionalreflectancedistributionfunctionBRDF

;

由一个表面来描述光散射的分布以不同的发光度辐照度归一化不同的发光辐射率并且近似

,()(),

于每单位投射的立体角散射功率除以入射功率

。

34

.

尼奎斯特准则Nyquiscriterion

检测到的最短空间波长它是两倍于取样间隔

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