标准解读
《GB/T 29505-2013 硅片平坦表面的表面粗糙度测量方法》是一项国家标准，专门针对硅片平坦表面上的表面粗糙度提供了详细的测量指南。该标准适用于单晶硅、多晶硅等半导体材料制成的硅片，旨在通过标准化的方法来确保不同实验室或制造商之间获得一致且可比的测量结果。
标准中定义了若干关键术语，包括但不限于“表面粗糙度”、“轮廓算术平均偏差Ra”以及“轮廓最大高度Rz”。其中，“表面粗糙度”是指加工后硅片表面微观几何形状误差的一种量度；“Ra”表示在取样长度内轮廓偏距绝对值的算术平均值；而“Rz”则是在取样长度内从基准线到轮廓峰顶的最大垂直距离与从基准线到轮廓谷底的最大垂直距离之和。
对于实际操作而言，《GB/T 29505-2013》规定了采用接触式和非接触式两种主要类型的仪器进行测量的具体步骤。接触式测量通常使用触针式轮廓仪，而非接触式方法可能涉及到光学干涉法或其他基于光的技术。无论采取哪种方式，都要求测试前对设备进行校准，并按照标准推荐的参数设置来进行实验。此外，还强调了样品准备的重要性，比如清洁处理以去除表面污染物，保证测量区域没有明显的划痕或损伤。
在数据处理方面，本标准给出了如何计算Ra、Rz以及其他相关参数的方法，并建议至少选取三个不同的位置重复测量以提高准确性。最后，报告应包含所有必要的信息，如使用的仪器型号、具体的操作条件及最终得出的结果等。
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....
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- 现行
- 正在执行有效
- 2013-05-09 颁布
- 2014-02-01 实施
文档简介
ICS29045
H80.
中华人民共和国国家标准
GB/T29505—2013
硅片平坦表面的表面粗糙度测量方法
Testmethodformeasuringsurfaceroughnessonplanarsurfacesofsiliconwafer
2013-05-09发布2014-02-01实施
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局发布
中国国家标准化管理委员会
GB/T29505—2013
目次
前言…………………………
Ⅲ
范围………………………
11
规范性引用文件…………………………
21
术语和定义………………
31
方法提要…………………
42
干扰因素…………………
53
仪器设备…………………
63
粗糙度测量步骤…………………………
75
报告………………………
88
附录规范性附录粗糙度测量规范和有关输出的例子……………
A()9
附录资料性附录有关硅片粗糙度分布的试验和模型源于附录…
B()(SEMIM40)11
参考文献……………………
25
Ⅰ
GB/T29505—2013
前言
本标准按照给出的规则起草
GB/T1.1—2009。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出并归口
(SAC/TC203)。
本标准起草单位有研半导体材料股份有限公司中国有色金属工业标准计量质量研究所
:、。
本标准主要起草人孙燕李莉卢立延翟富义向磊
:、、、、。
Ⅲ
GB/T29505—2013
硅片平坦表面的表面粗糙度测量方法
1范围
本标准提供了硅片表面粗糙度测量常用的轮廓仪干涉仪散射仪三类方法的测量原理测量设备
、、、
和程序并规定了硅片表面局部或整个区域的标准扫描位置图形及粗糙度缩写定义
,。
本标准适用于平坦硅片表面的粗糙度测量也可用于其他类型的平坦晶片材料但不适用于晶片边
;,
缘区域的粗糙度测量
。
本标准不适用于带宽空间波长的测量仪器
≤10nm。
2规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的凡是注日期的引用文件仅注日期的版本适用于本文
。,
件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于本文件
。,()。
半导体材料术语
GB/T14264
3术语和定义
界定的以及下列术语和定义适用于本文件
GB/T14264。
31
.
自相关函数autocorrelationfunction
强谱线密度函数的傅立叶转换它表示一个表面轮廓和经滑移或横向移动的同样轮廓之间关于其
。
自身的相似性
。
32
.
自相关长度autocorrelationlength
要求横向滑动以把自相关函数简化为一个等于乘以它的滑动值的值有时使用或者
e-10。10%
值定义替代
0e-1。
33
.
双向反射分布函数bi-directionalreflectancedistributionfunctionBRDF
;
由一个表面来描述光散射的分布以不同的发光度辐照度归一化不同的发光辐射率并且近似
,()(),
于每单位投射的立体角散射功率除以入射功率
。
34
.
尼奎斯特准则Nyquiscriterion
检测到的最短空间波长它是两倍于取样间隔
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