标准解读

《GB/T 28274-2012 硅基MEMS制造技术 版图设计基本规则》是中国国家标准之一，该标准规定了硅基微机电系统（MEMS）在版图设计阶段需要遵循的基本原则和技术要求。它旨在为从事MEMS器件开发与生产的工程师提供一套统一的设计指导方针，从而保证产品的质量和可靠性。

根据该标准内容，首先明确了适用范围，即适用于以硅材料为基础的各种类型MEMS器件的版图设计工作。接着对术语和定义进行了详细的说明，确保行业内对于相关概念有一致的理解。

标准中详细列出了版图设计时应考虑的关键因素，包括但不限于尺寸精度、布局合理性、电气隔离、机械强度等方面的要求。例如，在尺寸方面，强调了不同层次间特征尺寸的一致性及其公差控制；而在布局上，则关注如何通过合理安排来优化性能同时避免潜在的干扰问题。此外，还特别提到了关于电学特性的考量，比如如何有效地实现信号传输而减少噪声影响等。

针对特定类型的MEMS结构，《GB/T 28274-2012》也给出了专门的设计指南，如悬臂梁、隔膜等常见元件的具体参数设置建议。这些指南帮助设计师们更好地理解和掌握不同类型MEMS器件的特点及设计要点。

最后，该标准还包括了一些辅助性的附录资料，提供了更多参考信息，比如典型工艺流程介绍、常用材料属性数据表等，为实际操作提供了便利。


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....

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  • 现行
  • 正在执行有效
  • 2012-05-11 颁布
  • 2012-12-01 实施
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GB/T 28274-2012硅基MEMS制造技术版图设计基本规则_第1页
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文档简介

ICS31200

L55.

中华人民共和国国家标准

GB/T28274—2012

硅基MEMS制造技术

版图设计基本规则

Silicon-basedMEMSfabricationtechnology—

Thebasicregulationoflayoutdesign

2012-05-11发布2012-12-01实施

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局发布

中国国家标准化管理委员会

GB/T28274—2012

前言

本标准按照给出的规则起草

GB/T1.1—2009。

本标准由全国微机电技术标准化技术委员会提出并归口

(SAC/TC336)。

本标准起草单位北京大学中机生产力促进中心中国电子科技集团第十三研究所中国科学院上

:、、、

海微系统与信息技术研究所西北工业大学

、。

本标准主要起草人张大成王玮刘伟杨芳姜森林崔波熊斌乔大勇

:、、、、、、、。

Ⅰ

GB/T28274—2012

硅基MEMS制造技术

版图设计基本规则

1范围

本标准规定了微结构加工时光刻版图设计中图形设计应遵循的基本规则

,。

本标准适用于采用接触式单双面光刻氧化扩散化学气相淀积物理气相淀积离

/、、(CVD)、(PVD)、

子注入反应离子刻蚀氢氧化钾腐蚀硅玻璃对准静电结合砂轮划片等基本工艺方法

、(RIE)、(KOH)、-、。

2规范性引用文件

下列文件对于本文件的应用是必不可少的凡是注日期的引用文件仅注日期的版本适用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于本文件

。,()。

微机电系统技术术语

GB/T26111—2010(MEMS)

3术语和定义

界定的以及下列术语和定义适用于本文件

GB/T26111—2010。

31

.

双面光刻doublesidemaskalign

在基片的一面面制备与该基片另一面面已有光刻图形或痕迹的有一定对准关系的图形

(A),(B)

的过程

。

32

.

亮版lightmask

大面积透光的光刻版

。

33

.

暗版darkmask

大面积不透光的光刻版

。

34

.

对准标记alignmark

用于对准不同工序形成的图形的标记

。

4光刻对准和键合对准方法

41单面光刻对准方法

.

通过使用光刻机等工具使光刻版上图形与基片上对应的图形对准其工作过程如图所示

,1。

单面光刻对准是在有图形基片表面涂敷光刻胶使用光刻设备将光刻版图形与基片上已有图形对

,

准后再通过曝光和显影将基片上光刻胶处理成与光刻版图形一致且

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