第1章半导体器件(8学时)

模拟电子技术基础第一章半导体器件1.2半导体二极管1.3双极结型三极管1.4场效应三极管（总学时：8）1.1半导体的特性

导体：电阻率

<10-4物质。如铜、银、铝等金属材料。绝缘体：电阻率

>109物质。如橡胶、塑料等。半导体：导电性能介于导体和绝缘体之间的物质。大多数半导体器件所用的主要材料是硅(Si)和锗(Ge)。半导体导电性能是由其原子结构决定的。1.1半导体特性(a)硅的原子结构图最外层电子又称价电子价电子4价元素的原子常常用+4电荷的正离子和周围4个价电子表示。+4(b)简化模型硅的原子序数14，锗的原子序数32，它们的最外层都是四个电子，所以称之为四价元素。1.1.1本征半导体

+4+4+4+4+4+4+4+4+4

完全纯净的、不含其他杂质且具有晶体结构的半导体称为本征半导体。将硅或锗材料提纯便形成单晶体，它的原子结构为共价键结构。价电子共价键单晶体中的共价键结构当温度T=0

K时(相当于)，半导体不导电，如同绝缘体。+4+4+4+4+4+4+4+4+4本征半导体中的自由电子和空穴自由电子空穴若T

，将有少数价电子克服共价键的束缚成为自由电子，在原来的共价键中留下一个空位——空穴。T

自由电子和空穴使本征半导体具有导电能力，但很微弱。空穴可看成带正电的载流子。1.半导体中两种载流子带负电的自由电子带正电的空穴

2.本征半导体中，自由电子和空穴总是成对出现，称为电子-空穴对。3.本征半导体中自由电子和空穴的浓度相等。由于物质的运动，自由电子和空穴不断的产生又不断的复合。在一定的温度下，产生与复合运动会达到平衡，载流子的浓度就一定了。4.本征半导体基本不导电。5.载流子的浓度与温度密切相关，它随着温度的升高，基本按指数规律增加。小结：（播放Flash课件1-1）1.1.2.杂质半导体杂质半导体有两种N型半导体P型半导体N型半导体在硅或锗的晶体中掺入少量的5价杂质元素，如磷、锑、砷等，即构成N型半导体(或称电子型半导体)。常用的5价杂质元素有磷、锑、砷等。本征半导体掺入5价元素后，原来晶体中的某些硅原子将被杂质原子代替。杂质原子最外层有5个价电子，其中4个与硅构成共价键，多余一个电子只受自身原子核吸引，在室温下即可成为自由电子。5价杂质原子称施主原子。自由电子浓度远大于空穴的浓度。电子称为多数载流子(简称多子)，空穴称为少数载流子(简称少子)。N型半导体中多数载流子的浓度与参杂的浓度有关，而少数载流子的浓度与温度有关。+4+4+4+4+4+4+4+4+4+5自由电子施主原子N型半导体的晶体结构P型半导体+4+4+4+4+4+4+4+4+4在硅或锗的晶体中掺入少量的3价杂质元素，如硼、镓、铟等，即构成P型半导体。+3

空穴浓度多于电子浓度，空穴为多数载流子，电子为少数载流子。同样多数载流子的浓度与参杂的浓度有关，而少数载流子的浓度与温度有关。3价杂质原子称为受主原子。受主原子空穴P型半导体的晶体结构说明：1.掺入杂质的浓度决定多数载流子浓度；温度决定少数载流子的浓度。3.杂质半导体总体上保持电中性。4.杂质半导体的表示方法如下图所示。2.杂质半导体载流子的数目要远远高于本征半导体，因而其导电能力大大改善。(a)N型半导体(b)P型半导体1.2.1PN结及其单向导电性在一块半导体单晶上一侧掺杂成为P型半导体，另一侧掺杂成为N型半导体，两个区域的交界处就形成了一个特殊的薄层，称为PN结。PNPN结下面介绍PN结的形成过程：1.2半导体二极管一、PN结中载流子的运动耗尽层空间电荷区PN1.扩散运动2.扩散运动形成空间电荷区电子和空穴浓度差形成多数载流子的扩散运动。——PN结，耗尽层。PN3.空间电荷区产生内电场PN空间电荷区内电场UD空间电荷区正负离子之间电位差UD

——电位壁垒；——

内电场；内电场阻止多子的扩散——

阻挡层。4.漂移运动内电场有利于少子运动—漂移。少子的运动与多子运动方向相反阻挡层5.扩散与漂移的动态平衡扩散运动使空间电荷区增大，扩散电流逐渐减小；随着内电场的增强，漂移运动逐渐增加；当扩散电流与漂移电流相等时，PN结总的电流空间电荷区的宽度约为几微米~几十微米；等于零，空间电荷区的宽度达到稳定。即扩散运动与漂移运动达到动态平衡。电压壁垒UD，硅材料约为(0.6~0.8)V,锗材料约为(0.2~0.3)V。（播放Flash课件1-2）二、PN结的单向导电性1.PN外加正向电压又称正向偏置，简称正偏。外电场方向内电场方向空间电荷区VRI空间电荷区变窄，有利于扩散运动，电路中有较大的正向电流。PN在PN结加上一个很小的正向电压，即可得到较大的正向电流，为防止电流过大烧毁PN结，接入限流电阻R。2.PN结外加反向电压(反偏)反向接法时，外电场与内电场的方向一致，增强了内电场的作用；外电场使空间电荷区变宽；不利于扩散运动，有利于漂移运动，漂移电流大于扩散电流，电路中产生反向电流I；由于少数载流子浓度很低，反向电流数值非常小。空间电荷区反相偏置的PN结反向电流是由少数载流子产生又称反向饱和电流。对温度十分敏感，随着温度升高，IS将急剧增大。PN外电场方向内电场方向VRIS综上所述：当PN结正向偏置时，回路中将产生一个较大的正向电流，PN结处于导通状态；当PN结反向偏置时，回路中反向电流非常小，几乎等于零，PN结处于截止状态。

可见，PN结具有单向导电性。（播放Flash课件1-3）1.2.2二极管伏安特性将PN结封装在塑料、玻璃或金属外壳里，再从P区和N区分别焊出两根引线作正、负极。1、二极管的结构：(a)外形图半导体二极管又称晶体二极管，简称二极管。(b)符号二极管的外形和符号半导体二极管的类型：按PN结结构分：有点接触型和面接触型二极管。点接触型管子中不允许通过较大的电流，因结电容小，可在高频下工作。面接触型二极管

PN结的面积大，允许流过的电流大，但只能在较低频率下工作。按用途划分：有整流二极管、检波二极管、稳压二极管、开关二极管、发光二极管、变容二极管等。按半导体材料分：有硅二极管、锗二极管等。2、二极管的伏安特性在二极管的两端加上电压，测量流过管子的电流，I=f

(U

)之间的关系曲线。604020–0.002–0.00400.51.0–25–50I/mAU/V正向特性硅二极管的伏安特性死区电压击穿电压U(BR)反向特性–50I/mAU

/V0.20.4–2551015–0.01–0.02锗二极管的伏安特性0二极管的伏安特性①正向特性当正向电压比较小时，正向电流很小，几乎为零。相应的电压叫死区电压。范围称死区。死区电压与材料和温度有关，硅管约0.5V左右，锗管约0.1V左右。死区与导通区临界电压称开启电压。正向特性死区电压60402000.40.8I/mAU/V当正向电压超过死区电压后，随着电压的升高，正向电流迅速增大。其正向导通压降硅管为0.6-0.8V,锗管为0.2-0.3V。②反向特性–0.02–0.040–25–50I/mAU/V反向特性当电压超过零点几伏后，反向电流不随电压增加而增大，即饱和；二极管加反向电压，反向电流很小；如果反向电压继续升高，大到一定数值时，反向电流会突然增大；反向饱和电流这种现象称击穿，对应电压叫反向击穿电压。击穿电压U(BR)电击穿并不意味管子损坏，若控制击穿电流，电压降低后，还可恢复正常。热击穿意味着PN结彻底损坏，不可恢复。击穿分两种：电击穿热击穿③伏安特性表达式(二极管方程)IS：反向饱和电流UT：温度的电压当量二极管加反向电压，即U<0，且|U|

>>UT，则I

-IS。二极管加正向电压，即U>0，且U>>UT

，则，可得，说明电流I与电压U基本上成指数关系。在常温(300K)下，UT

26mV结论：二极管具有单向导电性。加正向电压时导通，呈现很小的正向电阻，如同开关闭合；加反向电压时截止，呈现很大的反向电阻，如同开关断开。从二极管伏安特性曲线可以看出，二极管的电压与电流变化不呈线性关系，其内阻不是常数，所以二极管属于非线性器件。1.2.3、二极管的主要参数①最大整流电流IF二极管长期运行时，允许通过的最大正向平均电流。②最高反向工作电压UR工作时允许加在二极管两端的反向电压值。通常将击穿电压UBR的一半定义为UR。③反向电流IR通常希望IR值愈小愈好。④最高工作频率fMfM值主要决定于PN结结电容的大小。结电容愈大，二极管允许的最高工作频率愈低。理想二极管：

因二极管在实际使用时，其导通电压与电路中的工作电压相比可以忽略，称此时的二极管为理想状态.1.2.4特殊二极管稳压管工作于反向击穿区。

I/mAU/VO+正向+反向U(b)稳压管符号(a)稳压管伏安特性+I稳压管的伏安特性和符号1.稳压管稳压管的参数主要有以下几项：1.稳定电压UZ3.动态电阻rZ2.稳定电流IZ稳压管工作在反向击穿区时的稳定工作电压。正常工作的参考电流。I<IZ时，管子的稳压性能差；I>IZ，只要不超过额定功耗即可。rZ愈小愈好。对于同一个稳压管，工作电流愈大，rZ值愈小。4.电压温度系数U稳压管电流不变时，环境温度每变化1℃引起稳定电压变化的百分比。

如：2CW17：UZ=9~10.5V，U=0.09

%/℃2CW11：UZ=3.2~4.5V，U=-(0.05~0.03)%/℃5.额定功耗PZ额定功率决定于稳压管允许的温升。PZ=UZIZPZ会转化为热能，使稳压管发热。电工手册中给出IZM与PZ之间的关系为：

IZM=PZ/UZVDZR使用稳压管需要注意的几个问题：稳压管电路UOIO+IZIRUI+

1.外加电源的正极接管子的负极，电源的负极接管子的正极，保证管子工作在反向击穿区；RL2.稳压管应与负载电阻RL

并联；3.必须限制流过稳压管的电流IZ，不能超过规定值，以免因过热而烧毁管子。IZVDZ+20VR=1k+

UZ=12V-

[例]电路如图：求通过稳压管的电流IZ等于多少？限流电阻选的是否合适？

(已知IZmin=5mAIZmax=18mA)[解]IZ<

IZ

<IZM

，电阻值合适。2.发光二极管3.光敏二极管对发光二极管施加1.1~1.5正向电压时会发光，颜色与参杂的材料有关。其电路符号为：光电二极管的反向电流会随着光照强度加大，在外壳上开有窗口便于接受光照，主要特点是反向电流与照度成正比。其电路符号为：例1：理想二极管电路如图（a）所示，当输入电压为图（b）所示的正弦波时，输出电压应为（）（A）(B)(C)(D)解：B例2：电路如图所示，二极管D1、D2为同一型号的理想元件，电位VA=1V，VB=3V，请分析两只二极管的工作状态并计算VO=?

解：D1导通D2截止V0=1V例3：如图所示电路中二极管的工作情况为（）解：D1、D2均截止

例4：两稳压管DZ1、DZ2的稳定电压为UZ1=3V，UZ2=6V，正向导通电压0.7V，当输入电压为10V时，则输出电压UO（）解：9V

作业：第一章习题（1）1.3双极结型三极管(BJT)三极管的外形如下图所示。三极管由两个PN结组成，所以就有两种类型：NPN和PNP型。（NPN型）ecb符号集电区集电结基区发射结发射区集电极c基极b发射极eNNP1.3.1三极管的结构集电区集电结基区发射结发射区集电极c发射极e基极b

cbe符号NNPPN（PNP型）平面型(NPN)三极管制作工艺NcSiO2b硼杂质扩散ePN

在N型硅片(集电区)氧化膜上刻一个窗口，将3价硼杂质进行扩散形成P型(基区)，再在P型区上刻窗口，将磷杂质进行扩散形成N型的发射区。引出三个电极即可。

基区薄而且掺杂浓度很低，发射区面积虽小但掺杂浓度最高，集电区面积最大掺杂浓度中等。1.3.2三极管中载流子运动和电流分配关系以NPN型三极管为例讨论三极管中的两个PN结cNNPebbec表面看

三极管若实现放大，必须满足两个条件：内因和外因条件不具备放大作用内因条件：三极管内部结构要求NNPebc1.发射区高掺杂。2.基区做得很薄。通常只有几微米到几十微米，而且掺杂较少。

三极管放大的外部条件是外加电源的极性应使发射结处于正向偏置状态，而集电结处于反向偏置状态。3.集电区面积大。外因条件：becRcRb三极管中载流子运动过程IEIB1.发射发射区的电子越过发射结扩散到基区，基区的空穴扩散到发射区—形成发射极电流

IE

(基区多子数目较少，空穴电流可忽略)。2.复合和扩散电子到达基区，少数与空穴复合形成基极电流Ibn，复合掉的空穴由VBB补充。多数电子在基区继续扩散，到达集电结的一侧。三极管中载流子的运动becIEIBRcRb三极管中载流子运动过程3.收集集电结反偏，有利于收集基区扩散过来的电子而形成集电极电流

Icn。其能量来自外接电源VCC。IC

另外，集电区和基区的少子在外电场的作用下将进行漂移运动而形成反向饱和电流，用ICBO表示。ICBO三极管中载流子的运动beceRcRbIEpICBOIEICIBIEnIBnICnICBO称CB间反向饱和电流ICEO称CE间穿透电流IC称集电极电流IB称基极电流IE称发射极电流下面根据KCL定律，总结三极管的电流分配关系：模拟电路课件flash\1-04.swf1、三极管的电流分配关系：三个极的电流之间满足KCL电流定律，即2、三极管的电流放大系数一般要求ICn在IE中占的比例尽量大。而二者之比称共基极直流电流放大系数，用表示一般可达0.95~0.99①共基极直流电流放大系数

而IC与IB的比值称共发射极直流电流放大系数，用表示,当ICEO<<IC时，忽略ICEO，可得②共发射极直流电流放大系数共射直流电流放大系数近似等于IC与IB之比。一般值约为几十~几百。③交流电流放大系数共射交流电流放大系数共基交流电流放大系数三极管的电流分配关系任何一列电流关系符合IE=IC+IB，IB<IC<IE,ICIE

当IB有微小变化时，IC有较大变化。说明三极管具有电流放大作用。根据和

的定义，以及三极管中三个电流的关系，与两个参数之间满足以下关系：直流参数与交流参数、的含义是不同的，但是，对于大多数三极管来说，与，与的数值却差别不大，计算中，可不将它们严格区分。输出回路输入回路+UCE-1.3.3三极管的特性曲线特性曲线是选用三极管的主要依据，可从半导体器件手册查得。IBUCEICVCCRbVBBcebRcV+V+A++mA输入特性：以NPN型为例输出特性：+UCE-+UCE-IBIBIBUBE三极管特性曲线测试电路一、输入特性

(1)UCE=0时的输入特性曲线RbVBBcebIB+UBE_VBBIB+UBE_bceOIB/A当UCE=0时，基极和发射极之间相当于两个PN结并联。所以，当b、e之间加正向电压时，应为两个二极管并联后的正向伏安特性。(此时三极管没有放大作用)(2)

UCE>0时的输入特性曲线

当UCE>0时，这个电压有利于将发射区扩散到基区的电子收集到集电极。UCE>UBE，三极管处于放大状态。

*特性右移(因集电结开始吸引电子)OIB/AUCE≥1时的输入特性具有实用意义。IBUCEICVCCRbVBBcebRCV+V+A++mAUBE*UCE

≥1V，特性曲线重合。三极管共射特性曲线测试电路（见14页中）二、输出特性NPN三极管的输出特性曲线IC

/mAUCE

/V100µA80µA60µA40µA20µAIB=0O510154321分三个区：截止区、放大区、饱和区。截止区放大区饱和区放大区

IB≤0的区域。两个PN结都处于反向偏置。IB=0时，IC=ICEO硅管约等于1A，锗管约为几十~几百微安。截止区截止区1.截止区可靠截止条件：（播放Flash课件5）2.放大区：条件：发射结正偏集电结反偏

特点：各条输出特性曲线比较平坦，近似为水平线，且等间隔。二、输出特性IC

/mAUCE

/V100µA80µA60µA40µA20µAIB=0O510154321放大区集电极电流和基极电流体现放大作用，即放大区放大区对NPN管UBE>0，UBC<0NPN三极管的输出特性曲线对PNP管UBE

<

0，UBC>

03.饱和区：条件：两个结均正偏IC

/mAUCE

/V100µA80µA60µA40µA20µAIB=0O510154321对NPN型管，UBE>0UBC>0。

特点：IC基本上不随IB而变化，在饱和区三极管失去放大作用。IC

IB。当UCE=UBE，即UCB=0时，称临界饱和，UCE

<

UBE时称为过饱和。饱和管压降UCES<0.4V(硅管)，UCES<

0.2V(锗管)饱和区饱和区1.3.4三极管的主要参数三极管的连接方式ICIE+C2+C1VEEReVCCRc(b)共基极接法VCCRb+VBBC1TICIBC2Rc+(a)共发射极接法一、电流放大系数是表征管子放大作用的参数。有以下几个：1.共射交流电流放大系数

2.共射直流电流放大系数3.共基交流电流放大系数

4.共基直流电流放大系数和

这两个参数不是独立的，而是互相联系，关系为：二、反向饱和电流1.集电极和基极之间的反向饱和电流ICBO2.集电极和发射极之间的反向饱和电流ICEO（穿透电流）小功率锗管ICBO约为几微安；硅管的ICBO小，有的为纳安数量级。当b开路时，c和e之间的电流。值愈大，则该管的ICEO也愈大。三、极限参数1.集电极最大允许电流ICM当IC过大时，三极管的值要减小。在IC=ICM时，值下降到额定值的三分之二。2.集电极最大允许耗散功率PCM过损耗区安全工作区将IC与UCE乘积等于规定的PCM值各点连接起来，可得一条双曲线。ICUCE<PCM为安全工作区ICUCE>PCM为过损耗区ICUCEOPCM=ICUCE安全工作区安全工作区过损耗区过损耗区3.极间反向击穿电压外加在三极管各电极之间的最大允许反向电压。

U(BR)CEO：基极开路时，集电极和发射极之间的反向击穿电压。

U(BR)CBO：发射极开路时，集电极和基极之间的反向击穿电压。

安全工作区同时要受PCM、ICM和U(BR)CEO限制。过电压ICU(BR)CEOUCEO过损耗区安全工作区ICM过流区三极管的安全工作区例题：判断下面各三极管的工作状态放大截止放大饱和上面一排是NPN硅管下面一排是PNP锗管截止饱和放大放大1.4场效应三极管

只有一种载流子参与导电，称单极型三极管,利用电场效应来控制电流的三极管，也称场效应三极管，简称场效应管。场效应管分类结型场效应管绝缘栅场效应管特点单极型器件(一种载流子导电)；输入电阻很高，功耗极低。工艺简单、容易集成、体积小、成本低。（FieldEffectTransistor英文缩写FET）DSGNN沟道结型场效应管结构图N型沟道N型硅棒栅极源极漏极P+P+P型区耗尽层(PN结)在漏极和源极之间加上一个正向电压，N型半导体中多数载流子电子可以导电。导电沟道是N型的，称N沟道结型场效应管。1.4.1结型场效应管符号N沟道结型场效应管JunctionFieldEffeetTransistor(JFET)P沟道结型场效应管P沟道结型场效应管结构图N+N+P型沟道GSDP沟道场效应管是在P型硅棒的两侧做成高掺杂的N型区(N+)，导电沟道为P型，多数载流子为空穴。导电沟道是P型的，称P沟道结型场效应管。符号GDS1.4.2绝缘栅型场效应管由金属、氧化物和半导体制成，称为金属-氧化物-半导体场效应管，（Metal-Oxide-Semiconductor

FieldEffeetTransistor）英文缩写MOSFET或简称MOS场效应管。特点：输入电阻可达109以上。类型N沟道P沟道增强型耗尽型增强型耗尽型一、N沟道增强型MOS场效应管1.结构P型衬底N+N+BGSDSiO2源极S漏极D衬底引线B栅极G（播放Flash课件1-6）SGDB符号由金属、氧化物、半导体三种材料组成，英文缩写MOS。铝膜二氧化硅2.工作原理绝缘栅场效应管利用UGS来控制“感应电荷”的多少，改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况，以控制漏极电流ID。工作原理分析(1)UGS=0漏源之间相当于两个面对面的PN结，无论漏源之间加何种极性电压，总是不导电。SBD(2)

UDS=0，0<UGS<UTP型衬底N+N+BGSDP型衬底中的电子被吸引靠近SiO2与空穴复合，产生由负离子组成的耗尽层。增大UGS耗尽层变宽。VGG---------(3)

UDS=0，UGS≥UT由于吸引了足够多的电子，会在耗尽层和SiO2之间形成可移动的表面电荷层——---N型沟道反型层、N型导电沟道。UGS升高，N沟道变宽。因为UDS=0，所以ID=0。UT为开始形成反型层所需的UGS，称开启电压。(4)

UDS对导电沟道的影响(UGS>UT)导电沟道呈现一个楔形。漏极形成电流ID。b.UDS=UGS–UT，

UGD=UT靠近漏极沟道达到临界开启程度，出现预夹断。c.UDS>UGS–UT，

UGD<UT由于夹断区的沟道电阻很大，UDS逐渐增大时，导电沟道两端电压基本不变，ID因而基本不变。a.UDS<UGS–UT，即UGD=UGS–UDS>UTP型衬底N+N+BGSDVGGVDDP型衬底N+N+BGSDVGGVDDP型衬底N+N+BGSDVGGVDD夹断区DP型衬底N+N+BGSVGGVDDP型衬底N+N+BGSDVGGVDDP型衬底N+N+BGSDVGGVDD夹断区

UDS对导电沟道的影响(a)

UGD>UT(b)

UGD=UT(c)

UGD<UT3.特性曲线(a)转移特性(b)漏极特性ID/mAUDS/VO预夹断轨迹恒流区击穿区可变电阻区UGS<UT，ID=0；UGS

≥

UT，形成导电沟道，随着UGS的增加，ID

逐渐增大。(当UGS>UT时)三个区：可变电阻区、恒流区(或饱和区)、击穿区。UT2UTIDOUGS/VID/mAO（播课件7）二、N沟道耗尽型MOS场效应管P型衬底N+N+BGSD++++++制造过程中预先在二氧化硅的绝缘层中掺入正离子，这些正离子电场在P型衬底中“感应”负电荷，形成“反型层”。即使UGS=0也会形成N型导电沟道。++++++++++++UGS=0，UDS>0，产生较大的漏极电流；UGS