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文档简介
1第
5
章
存储器系统
第十四讲复习一、微型机的存储系统二、半导体存储器的基本概念三、存储器的分类及其特点四、两类半导体存储器的主要技术指标五、随机存取存储器(一)静态存储器SRAM3(2)部分地址译码特点:用部分高位地址信号(而不是全部)作为译码信号;使被选中存储器芯片占有几组不同的地址范围。
同一物理存储器占用两组地址:A18不参与译码
F0000H~F1FFFHB0000H~B1FFFH
4部分地址译码例两组地址:F0000H——F1FFFHB0000H——B1FFFHA19A17A16A15A14A13&16264CS1111000高位地址:1×110001011000,111100055.SRAM存储器接口设计例将SRAM6264芯片与系统连接,使其地址范围为:38000H~39FFFH。使用74LS138译码器构成译码电路。6存储器接口设计例由题知地址范围:
00111000…
…
…0
00111001…
…
…1高位地址A19A12A07应用举例D0~D7A0A12•••WEOECS1CS2•••A0A12MEMWMEMRD0~D7A19G1G2AG2BCBA&&A18A14A13A17A16A15VCCY08二、动态随机存储器DRAM91.DRAM的特点存储元主要由电容构成;主要特点:存储信息不稳定,需要定时刷新。存储容量高,存取速度较低,价格便宜。DRAM芯片主要用作主内存。102.
典型DRAM芯片2164A2164A:64K×1bit采用行地址和列地址来确定一个单元;行列地址分时传送,共用一组地址信号线;地址信号线的数量仅为同等容量SRAM芯片的一半。11主要引线行地址选通信号。用于锁存行地址;列地址选通信号。地址总线上先送上行地址,后送上列地址,它们分别在#RAS和#CAS有效期间被锁存在锁存器中。DIN:数据输入DOUT:数据输出WE=0WE=1WE:写允许信号RAS:CAS:数据写入数据读出123.2164A在系统中的连接与系统连接图存储体132164A在系统中的连接DRAM2164A与系统连接的几点说明:芯片上的每个单元中只存放1位二进制码,每字节数据分别存放在8片芯片中;系统的每一次访存操作需同时访问8片2164A芯片,该8片芯片必须具有完全相同的地址;芯片的地址选择是按行、列分时传送,由系统的低8位送出行地址,高8位送出列地址。结论:每8片2164A构成一个存储体(单独一片则无意义);每个存储体内的所有芯片具有相同的地址(片内地址),应同时被选中,仅有数据信号由各片分别引出。三、存储器扩展技术
(内存储器设计)151.
存储器扩展用多片存储芯片构成一个需要的内存空间;各存储器芯片在整个内存中占据不同的地址范围;任一时刻仅有一片(或一组)被选中。存储器芯片的存储容量等于:
单元数×每单元的位数字节数字长扩展单元扩展字长162.
存储器扩展方法位扩展字扩展字位扩展扩展字长扩展单元数既扩展字长也扩展单元数17位扩展构成内存的存储器芯片的字长小于内存单元的字长时——需进行位扩展。位扩展:每单元字长的扩展。18位扩展例用8片64k*1位2164A芯片构成64KB存储器。LS158A0~A7A8~A152164A64k*12164A64k*12164A64k*1DBABD0D1D70000HFFFFH.…19位扩展方法:将每片的地址线、控制线并联,数据线分别引出。位扩展特点:存储器的单元数不变,位数增加。20字扩展地址空间的扩展芯片每个单元中的字长满足,但单元数不满足。扩展原则:每个芯片的地址线、数据线、控制线并联。每个芯片必须有不同的地址范围。芯片的片选端必须分别引出21A0~A10DBABD0~D7A0~A10R/WCS2K×8D0~D7A0~A102K×8D0~D7D0~D7A0~A10CS译码器Y0Y1高位地址R/W字扩展示意图22字扩展例用两片64K×8位的SRAM芯片构成容量为128KB的存储器两芯片的地址范围分别为:20000H~2FFFFH30000H~3FFFFH
23字扩展例G1G2AG2BCBAY2Y3&MEMRMEMWA19A18A17A1674LS138高位地址:芯片1:0010芯片2:0011A19A18A17A16芯片1芯片2例:用两片64K×8位的SRAM芯片构成容量为128KB的存储器两片芯片的地址范围分别为:20000H~2FFFFH和30000H~3FFFFH。25字位扩展设计过程:根据内存容量及芯片容量确定所需存储芯片数;进行位扩展以满足字长要求;进行字扩展以满足容量要求。若已有存储芯片的容量为L×K,要构成容量为M×N的存储器,需要的芯片数为:
(M/L)×(N/K)26字位扩展例例:用4K×1位的芯片组成16KB的存储器。位扩展:4KB——8片字扩展:16KB——4*8=32片访问16KB存储空间:地址线需14根(A0-A13),其中12根(A0-A11)用于片内寻址,2根(A12,A13)用于片选译码。
注意:以上的例子中所需的地址线数并未从系统整体上考虑。在实际系统中,总线中的地址线数往往要多于所需的地址线数,这时除片内寻址的低位地址线(即片内地址线)外,剩余的高位地址线一般都要用于片选译码。
27§5.3
只读存储器(ROM)EPROMEEPROM(紫外线擦除)(电擦除)28一、EPROM291.
特点可多次编程写入;掉电后内容不丢失;内容的擦除需用紫外线擦除器。302.EPROM27648K×8bit芯片地址信号:A0
——
A12数据信号:D0
——
D7输出信号:OE片选信号:CE编程脉冲输入:PGM其引脚与SRAM6264完全兼容.312764的工作方式数据读出编程写入擦除标准编程方式快速编程方式编程写入:每出现一个编程负脉冲就写入一个字节数据32§5.4
高速缓存(Cache)了解:Cache的基本概念;基本工作原理;命中率;Cache的分级体系结构33Cache的基本概念设置Cache的理由:CPU与主存之间在执行速度上存在较大差异;高速存储器芯片的价格较高;设置Cache的条件:程序的局部性原理时间局部性:最近的访问项可能在不久的将来再次被访问空间局部性:一个进程所访问的各项,其地址彼此很接近34Cache的工作原理CPUCache主存DBDBDB命中存在不命中35Cache的命中率访问内存时,CPU首先访问Cache,找到则
“命中”,否则为“不命中”。命中率影响系统的平均存取速度。Cache存储器系统的平均存取速度=
Cache存取速度×命中率+RAM存取速度×不命中率Cache与内存的空间比一般为:112836Cache的读写操作读操作写操作贯穿读出式旁路读出式写穿式回写式37贯穿读出式CPUCache主存CPU对主存的所有数据请求都首先送到Cache,
在Cache中查找。若命中,切断CPU对主存的请求,并将数据送出;
如果不命中,则将数据请求传给主存。38旁路读出式CPU向Cache和主存同时发出数据请求。命中,则Cache将数据回送给CPU,并同时中断CPU对主
存的请求;若不命中,则Cache不做任何动作,由CPU直接访问主存CPUCache主存39写穿式从CPU发出的写信号送Cache的同时也写入主存。CPUCache主存40回写式(写更新)数据一般只写到Cache,当Cache中的数据被再次更新时,将原更新的数据写入主存相应单元,并接受新的数据。CPUCache主存更新写入41Cache的分级体系结构一级Cache:容量一般为8KB---64KB一级Cache集成在CPU片内。L1Cache分为指令Cache和数据Cache。使指令和数据的访问互不影响。指令Cache用于存放预取的指令。数据Cache中存放指令的操作数。
二级Cache:容量一般为128KB---2MB在PentiumⅡ之后的微处理器芯片上都配置了二级Cache,其工作频率与CPU内核的频率相同。42Cache的分级体系结构系统中的二级CacheCPUL1CacheL2Cache速度和存储容量兼备提高存取速度主存提供存储容量43IBMPC/XT存储器的空间分配00000H9
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