GB/T 26071-2018太阳能电池用硅单晶片

ICS29045

H82.

中华人民共和国国家标准

GB/T26071—2018

代替

GB/T26071—2010

太阳能电池用硅单晶片

Monocrystallinesiliconwafersforsolarcells

2018-09-17发布2019-06-01实施

国家市场监督管理总局发布

中国国家标准化管理委员会

GB/T26071—2018

前言

本标准按照给出的规则起草

GB/T1.1—2009。

本标准代替太阳能电池用硅单晶切割片与相比主要

GB/T26071—2010《》。GB/T26071—2010,

技术变化如下

:

将标准名称太阳能电池用硅单晶切割片修改为太阳能电池用硅单晶片见封面年

———《》《》(,2010

版的封面

);

修改了范围中本标准适用性的描述见第章年版的第章

———(1,20101);

修改了电阻率测定引用标准替代了见第章年版的第章

———,GB/T1551GB/T1552(2,20102);

增加引用标准和

———GB/T6619、GB/T14844、GB/T30859、GB/T30860、GB/T30869YS/T28

见第章年版的第章

(2,20102);

删除了线痕的定义见年版

———(20103.1);

增加了产品牌号的表示方法见

———(4.1);

将产品分类中按外形可分为准方形和圆形两种修改为按外形可分为准方形和方形两种

———“”“”,

标准中删除了圆形分类及其要求增加了方形见年版的

,(4.2.2,20104.1);

产品尺寸由准方形硅片按其边长分为修改为准方形

———“125mm×125mm、156mm×156mm”“

硅片按其边长分为见

100.75mm、125.75mm、156Ⅰ、156Ⅱ、156Ⅲ、161.75mm、210.75mm”(

年版的

4.2.2,20104.2);

删除了圆形硅片的尺寸增加了方形硅片按其尺寸可分为

———,“100.75mm、125.75mm、

的要求见年版的

156.75mm、210.75mm”(4.2.2,20104.2);

增加了理化性能即硅片的晶体完整性氧含量和碳含量应符合的规定如有

———,“、GB/T25076。

需要由供方提供各项检验结果见

,”(5.1);

增加了硅片厚度相对应的要求删除了硅片厚度

———“130±15、140±15、150±15、170±20”;“220±

相对应的要求修改了翘曲度指标要求见年版的

20、240±20”;(5.2.1,20104.3.1);

修改了准方形硅片尺寸的要求见年版的

———(5.2.2,20104.3.2);

增加了方形硅片尺寸的要求见

———(5.2.3);

删除了硅片的导电类型掺杂剂少数载流子寿命和晶体完整性应符合的规定

———“、、GB/T25076”

见年版的

(20104.3.3.1);

电学性能参数中的电阻率范围下限由改为型型见

———0.5Ω·cmP0.2Ω·cm,N0.1Ω·cm(

年版的

5.3.2,20104.3.3.2);

修改了晶向偏离度的要求见年版的

———(5.4,20104.3.4);

修改了硅片线痕深度崩边缺口的要求见年版的

———、、(5.5,20104.3.5);

修改了导电类型和晶向的检查水平见表年版的表

———(6,20106)。

本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会与全国半导体设备和材料标准

(SAC/TC203)

化技术委员会材料分会共同提出并归口

(SAC/TC203/SC2)。

本标准起草单位浙江省硅材料质量检验中心有研半导体材料有限公司泰州隆基乐叶光伏科技

:、、

有限公司苏州协鑫光伏科技有限公司隆基绿能科技股份有限公司内蒙古中环光伏材料有限公司宜

、、、、

昌南玻硅材料有限公司有色金属技术经济研究院

、。

本标准主要起草人楼春兰毛卫中邹剑秋汪新华孙燕杨素心刘培东宫龙飞邓浩李建弘

:、、、、、、、、、、

徐博许国华张军

、、。

本标准所代替标准的历次版本发布情况为

:

———GB/T26071—2010。

Ⅰ

GB/T26071—2018

太阳能电池用硅单晶片

1范围

本标准规定了太阳能电池用硅单晶片简称硅片的牌号及分类要求试验方法检验规则标志

()、、、、、

包装运输贮存质量证明书和订货单或合同内容等

、、、()。

本标准适用于由直拉法制备的硅单晶加工成的准方形或方形硅片产品用于制作太阳能电池的衬

,

底片

。

2规范性引用文件

下列文件对于本文件的应用是必不可少的凡是注日期的引用文件仅注日期的版本适用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于本文件

。,()。

非本征半导体材料导电类型测试方法

GB/T1550

硅单晶电阻率测定方法

GB/T1551

半导体单晶晶向测定方法

GB/T1555

计数抽样检验程序第部分按接收质量限检索的逐批检验抽样

GB/T2828.1—20121:(AQL)

计划

半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法非接触涡流法

GB/T6616

硅片厚度和总厚度变化测试方法

GB/T6618

硅片弯曲度测试方法

GB/T6619

硅片翘曲度非接触式测试方法

GB/T6