GB/T 26068-2018硅片和硅锭载流子复合寿命的测试非接触微波反射光电导衰减法

ICS77040

H21.

中华人民共和国国家标准

GB/T26068—2018

代替

GB/T26068—2010

硅片和硅锭载流子复合寿命的测试

非接触微波反射光电导衰减法

Testmethodforcarrierrecombinationlifetimeinsiliconwafersand

siliconingots—Non-contactmeasurementofphotoconductivitydecay

bymicrowavereflectancemethod

2018-12-28发布2019-11-01实施

国家市场监督管理总局发布

中国国家标准化管理委员会

GB/T26068—2018

目次

前言

…………………………Ⅲ

范围

1………………………1

规范性引用文件

2…………………………1

术语和定义

3………………1

方法原理

4…………………2

干扰因素

5…………………2

仪器设备

6…………………4

试剂

7………………………6

样品

8………………………6

测试步骤

9…………………7

精密度

10……………………9

试验报告

11…………………9

附录资料性附录注入水平的修正

A()…………………10

附录资料性附录注入水平的相关探讨

B()……………11

附录资料性附录载流子复合寿命与温度的关系

C()…………………14

附录资料性附录少数载流子复合寿命

D()……………17

附录资料性附录测试体复合寿命少数载流子寿命和铁含量的进一步说明

E()、…19

附录资料性附录中的测试方法目的和精密度

F()SEMIMF1535-1015……………23

参考文献

……………………24

Ⅰ

GB/T26068—2018

前言

本标准按照给出的规则起草

GB/T1.1—2009。

本标准代替硅片载流子复合寿命的无接触微波反射光电导衰减测试方法

GB/T26068—2010《》。

本标准与相比除编辑性修改外主要技术变化如下

GB/T26068—2010,,:

将标准名称硅片载流子复合寿命的无接触微波反射光电导衰减测试方法改为硅片和硅锭

———《》《

载流子复合寿命的测试非接触微波反射光电导衰减法

》;

增加了使用微波反射光电导衰减法测试单晶硅锭和铸造多晶硅片硅锭载流子复合寿命的内

———、

容见第章

(1、9.2);

将范围中测试样品的室温电阻率下限由改为

———“0.05Ω·cm~1Ω·cm”“0.05Ω·cm~10Ω·

载流子复合寿命的测试范围由到改为删除了年版的

cm”,“0.25μs>1ms”“>0.1μs”,2010

见第章年版的

1.3(1,20101.2、1.3);

规范性引用文件中增加了删除了删

———GB/T1551,GB/T1552、SEMIMF1388、SEMIMF1530,

除了中的年代号增加了的年代号

GB/T1553—2009、YS/T679—2008,GB/T11446.12013

见第章年版的第章

(2,20102);

修改了术语注入水平复合寿命表面复合速率体复合寿命和寿命的定义见第章

———、、、1/e(3,

年版的第章

20103);

将年版寿命定义的部分内容调整到干扰因素寿命定义的注调整为干扰因

———20101/e5.16,1/e

素见年版的

5.13(5.10、5.17,20103.6);

增加了载流子的扩散长度小于硅片厚度的倍时可以考虑不处理样品表面直接检测

———“0.1,,”,

表面处理方法增加了表面持续电晕充电见

“”(5.1);

增加了推荐的测试温度以及湿度小信号条件载流子陷阱或耗尽区测试点距边缘距离对测

———、、、

试结果的影响见

(5.5、5.6、5.9、5.18、5.20);

将年版的部分调整到见年版的

———20107.15.19(5.19,20107.1);

增加了薄膜薄层薄硅片或者其他材料的波长段的使用需经相关部门或组织测试认定见

———“、、”(

6.2);

增加了如果硅片厚度小于宜使用非金属硅片支架托见

———“150μm,”(6.5);

修改水的要求为满足中级或更优级别要求见年版的

———“GB/T11446.1—2013EW-Ⅲ(7.1,2010

7.2);

明确了碘无水乙醇氢氟酸硝酸的纯度级别见

———、、、(7.2、7.3、7.4、7.5);

删除了关于取样的内容见年版的

———(20108.1);

样品制备增加了需要通过机械研磨和化学机械抛光或只通过化学抛光去除样品表面的残留

———“

损伤后见

”(8.2);

明确了硅片氧化处理的具体操作方式见年版

———[8.2a),20108.4.1];

样品制备中增加了硅片表面持续电晕充电的表面处理方法见

———“”[8.2c)];

删除了关于钝化之前用氢氟酸腐蚀掉样品表面氧化物的腐蚀时间的内容见年版的

———(2010

8.4.2.1);

硅片测试步骤中增加了如果需要记录并使用中正背面的状态和使用合适的波长

———“,9.1.1、”“,

记录所使用的激光波长和脉冲光斑大小见

”(9.1.3,9.1.5);

根据试验情况修订了精密度见第章年版第章

———(10,201011);

Ⅲ

GB/T26068—2018

增加了资料性附录并将年版部分调整为附录的见附录年版的

———E,20108.3EE.3(E,20108.3)。

本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会与全国半导体设备和材料标准

(SAC/TC203)

化技术委员会材料分会共同提出并归口

(SAC/TC203/SC2)。

本标准起草单位有研半导体材料有限公司瑟米莱伯贸易上海有限公司中国计量科学研究院

:、()、、

浙江省硅材料质量检验中心广州市昆德科技有限公司江苏协鑫硅材料科技发展有限公司天津市环

、、、

欧半导体材料技术有限公司北京合能阳光新能源技术有限公司

、。

本标准主要起草人曹孜孙燕黄黎赵而敬徐红骞高英石宇楼春兰王昕张雪囡林清香

:、、、、、、、、、、、

刘卓肖宗杰

、。

本标准所代替标准的历次版本发布情况为

:

———GB/T26068—2010。

Ⅳ

GB/T26068—2018

硅片和硅锭载流子复合寿命的测试

非接触微波反射光电导衰减法

1范围

本标准规定了单晶和铸造多晶的硅片及硅锭的载流子复合寿命的非接触微波反射光电导衰减测试

方法

。

本标准适用于硅锭和经过抛光处理的型或型硅片当硅片厚度大于时通常称为硅块

np(1mm,)

载流子复合寿命的测试在电导率检测系统灵敏度足够的条件下本标准也可用于测试切割或经过研

。,

磨腐蚀的硅片的载流子复合寿命通常被测样品的室温电阻率下限在之

、。,0.05Ω·cm~10Ω·cm

间由检测系统灵敏度的极限确定载流子复合寿命的测试范围为大于可测的最短寿命值取决

,。0.1μs,

于光源的关断特性及衰减信号测定器的采样频率最长可测值取决于样品的几何条件及其表面的钝化

,

程度

。

2规范性引用文件

下列文件对于本文件的应用是必不可少的凡是注日期的引用文件仅注日期的版本适用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于本文件

。,()。

非本征半导体材料导电类型测试方法

GB/T1550