电子行业化合物半导体5G推动射频行业飞速增长分析

电子化合物半导体5G推动射频行业飞速增长分析目录目录.3一、化合物半导体.3TOC\o"1-5"\h\z什么是化合物半导体？ 3超越摩尔：光学、射频、功率等模拟IC持续发展 4砷化镓（GaAs）:无线通信核心材料，受益5G大趋势8氮化镓&碳化硅：高压高频优势显著 10\o"CurrentDocument"二、5G加速推进，射频市场有望高速成长 .16海外率先商用，5G提速预期强烈 16氮化镓将占射频器件市场半壁江山 185G时代，射频元件是化合物半导体的天下 19\o"CurrentDocument"三、相关标的 22风险提示 风险提示 .23一、化合物半导体什么是化合物半导体？半导体材料可分为单质半导体及化合物半导体两类，前者如硅（Six锗（Ge）等所形成的半导体，后者为砷化镓（GaAs）、氮化镓（GaNI碳化硅（SiC）等化合物形成。半导体在过去主要经历了三代变化，。砷化镓（GaAsX氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）半导体分别作为第二代和第三代半导体的代表，相比第一代半导体高频性能、高温性能优异很多，制造成本更为高昂，可谓是半导体中的新贵。舛A工^论工典*£&?2户处疗费 aw 琳1 曲用修过三大化合物半导体材料中，GaAs占大头，主要用于通讯领域，全球市场容量接近百亿美元，主要受益通信射频芯片尤其是PA升级驱动；GaN大功率、高频性能更出色，主要应用于军事领域，目前市场容量不到10亿美元，随着成本下降有望迎来广泛应用；SiC主要作为高功率半导体材料应用于汽车以及工业电力电子，在大功率转换应用中具有巨大的优势。理展2:牝合转自护审料卷■性翁史券比界材料SIGaAsGaN高场性能芸好好高温性旌星好好发质阶段成熟更限申初期制造成本怅奇很高应用领域理大觇模集成电路与器件微薄枭贰电路与器件大功率器件带郭袤鑫:yofe-dev^apnien!：.国袭法讲阡范师圭理超越摩尔：光学、射频、功率等模拟IC持续发展摩尔定律放缓，集成电路发展分化。现在集成电路的发展主要有两个反向：MoreMoore （深度摩尔）和MorethanMoore（超越摩尔）。摩尔定律是指集成电路大概18个月的时间里，在同样的面积上，晶体管数量会增加一倍，但是价格下降一半。但是在28nm时遇到了阻碍，其晶体管数量虽然增加一倍，但是价格没有下降一半。MoreMoore（深度摩尔）是指继续提升制程节点技术，进入后摩尔时期。与此同时，MorethanMoore （超越摩尔）被人们提出，此方案以实现更多应用为导向，专注于在单片IC上加入越来越多的功能。

过上1>均摩出叶汽J过上1>均摩出叶汽J年代住匕懵止5D%30%代理用将1群2匕国上修图生产奴工下滑比千瓦有5郭卓仕品目/七里过50%10-2IM龙2tMi志3因身■产）30^65-1D%由石片卡逃产症CopEx5・亿£七L口也是小令万片折遗产熊2忆£比坤尺.1比式〕ORAM梅4健J国太灵雪耳炉，最后模拟IC更适合在MorethanMoore（超越摩尔）道路。先进制程与高集成度可以使数字IC具有更好的性能和更低的成本，但是这不适用于模拟IC。射频电路等模拟电路往往需要使用大尺寸电感，先进制程的集成度影响并不大，同时还会使得成本升高；先进制程往往用于低功耗环境，但是射频、电源等模拟IC会用于高频、高功耗领域，先进制程对性能甚至有负面影响；低电源和电压下模拟电路的线性度也难以保证。PA主要技术是GaAs，而开关主要技术是SOI，MorethanMoore（超越摩尔）可以实现使用不同技术和工艺的组合，为模拟IC的进一步发展提供了道路。第三代半导体适应更多应用场景。硅基半导体具有耐高温、抗辐射性能好、制作方便、稳定性好。可靠度高等特点，使得99%以上集成电路都是以硅为材料制作的。但是硅基半导体不适合在高频、高功率领域使用。2G、3G和4G等时代PA主要材料是GaAs，但是进入5G时代以后，主要材料是GaN。5G的频率较高，其跳跃式的反射特性使其传输距离较短。由于毫米波对于功率的要求非常高，而GaN具有体积小功率大的特性，是目前最适合5G时代的PA材料。SiC和GaN等第三代半导体将更能适应未来的应用需求。Athigherfrequenciesmndhigherpowerranges([Sin^nSiCandGaNhaveadvantagescomparedtoSiPower[W]FrEqineniRf|Hi]Power[W]FrEqineniRf|Hi]1阴ATV,IRCardWMhaveleadingtechnologiesandnr^duttetoadd代拈thsexistingandupcomingQpportJdniti€soFwide-bandgspsemicanductoraSiCandGa-M卡丹袋.#：Infineon.西受谑券蚪氧项模拟IC关注电压电流控制、失真率、功耗、可靠性和稳定性，设计者需要考虑各种元器件对模拟电路性能的影响，设计难度较高。数字电路追求运算速度与成本，多采用CMOS工艺，多年来一直沿着摩尔定律发展，不断采用地更高效率的算法来处理数字信号，或者利用新工艺提高集成度降低成本。而过高的工艺节点技术往往不利于实现模拟IC实现低失真和高信噪比或者输出高电压或者大电流来驱动其他元件的要求，因此模拟IC对节点演进需求相对较低远大于数字IC。模拟芯片的生命周期也较长，一般长达10年及以上，如仙童公司在1968年推出的运放UA741卖了近五十年还有客户在用。

IC种蔡模拇IC数字IU处理信中连续昌救帮或模拟信号（如声音.光线.温度等）弟散的敕字信号技术难度设计门楼高，学习曲线1口T5年迪院辅助保计+学习曲线325年设计难点非理想敢应过多，需要4L实的甚地知谟和丰富的短脸.例如，小信号分析，时战斯域分折.芯片筑模大，工具运行时间长，工艺要求盘杂.需要多团队共同环祚工艺制卷目前业界仍丈量使用0A3urn/a.l3d段照摩尔定律的窿晨,便阳最先进的m,敲先道工艺达28nm-工之一日前已&达到lOnm产品应用放大黑、信号捱口.数楣转换,比较器等CPU.在肥理蕊、微粒制器，数字等号处理单元，存健器等产品转点数让少，种类多数量机种类少生舒周期1。年.甚至几*年1-2年ASP价格低，捷£初期高：后期假替代性低高（多盘为标准产品十可替代）梦■科东第二百历.海叁法亲硬算稣目前数字IC多采用CMOS工艺，而模拟IC采用的工艺种类较多，不受摩尔定律束缚。模拟IC的制造工艺有Bipolar工艺、CMOS工艺和BiCMOS工艺。在高频领域，SiGe工艺、GaAs工艺和SOI工艺还可以与Bipolar和BiCMOS工艺结合，实现更优异的性能。而在功率领域，SOI工艺和BCD（BiCMOS基础上集成DMOS等功率器件）工艺也有更好的表现。模拟IC应用广泛，使用环节也各不相同，因此制造工艺也会相应变化。

，墨RZ/苏,AT工工#当工艺优点软点、应用领域应用IC奂成度低.不能满足也赤管理芯片.Bipolar场率高.功奉大，无刷也机罪动、LED但动机驰动名模拟IC果动能力强堂动拉制手芯片的要片、RF,高精度、求高旺等成同领域CMOS功托然.度集成高.噪声惧、抗干扰能力强用奉假.里动佳能星，品能滞是敕牛集成相路和小功率模拟渠成归路的需覆.CPU,MCU,低动耗模拟1C,惬也就运放等数字叼小功军模标IC无刷出机兜■玷.RF电路、LED拄BiCMOS驱动能力强、功我低i,度奥:成i度品制甑动.IGBTT荏制驱动、A/D,D/A,RF髭合信号芯片等模拟I。盘模通会IC谱炉上感：/塞匹代称三鳍砷化镓（GaAs）:无线通信核心材料，受益5G大趋势相较于第一代硅半导体，砷化镓具有高频、抗辐射、耐高温的特性，因此广泛应用在主流的商用无线通信、光通讯以及国防军工用途上。无线通信的普及与硅在高频特性上的限制共同催生砷化镓材料脱颖而出，在无线通讯领域得到大规模应用。基带和射频模块是完成3/4/5G蜂窝通讯功能的核心部件。射频模块一般由收发器和前端模组（PA、Switch、Filter）组成。其中砷化镓目前已经成为PA和Switch的主流材料。4G/5G频段持续提升，驱动PA用量增长。由于单颗PA芯片仅能处理固定频段的信号，所以蜂窝通讯频段的增加会显著提升智能手机单机PA消耗量。随着4G通讯的普及，移动通讯的频段由2010年的6个急速扩张到43个，5G时代更有有望提升至60以上。目前主流4G通信采用5频13模，平均使用7颗PA，4个射频开关器。

fillerGonifint轴必—型MSwft嘀IMWdn口5Q.EH1Iffl.ZSHR(=th*erAmpirflera(D30Jit.15通4€i兽鸥Oth01r轴.00即.时时空|TtKsIRFcontenlMg|A«l•1551+J|H1nmMo+JoDevitdRFT/iHTE2*£»«EG“业；il2TvplE^ilLK国口"I

3JE1nmMo+JoDevitdRFT/iHTE2*£»«EG“业；il2TvplE^ilLK国口"I

3JEhull9Qorvo、Broadcom/Avago、Cree、德国Infineon等。同时我们也注意到产业发展模式开始逐渐由IDM模式转为设计+代工生产，典型事件为代工比例持续提升、avago去年将科罗拉多厂出售给稳懋等。我们认为GaAs衬底和器件技术不断成熟和标准化，产品多样化、器件设计的价值显著，设计+制造的分工模式开始增加。从YoleDevelopment等第三方研究机构估算来看，2017年全球用于PA的GaAs器件市场规模达到80-90亿美元，大部分的市场份额集中于Skyworks、Qorvo、Avago三大巨头。预计随着通信升级未来两年有望正式超过100亿美元。6*5.HZ轲*I产，5AELZ&-W履g.XMwrauipAPaftxJ-^tt可由便X♦产的期吐1怙代£步工耳上戏入$注卷评工小PA・面皿白吐3E1!.>'Qwva.cmpAPaftxJ-^tt可由便X♦产的期吐1怙代£步工耳上戏入$注卷评工小PA・面皿白吐3E1!.>'Qwva.cm同时应用市场决定无需60nm线宽以下先进制程工艺，不追求最先进制程工艺是另外一个特点。化合物半导体面向射频、高电压大功率、光电子等领域，无需先进工艺。GaAs和GaN器件以0.13、0.18pm以上工艺为主。Qorvo正在进行90nm工艺研发。此外由于受GaAs和SiC衬底尺寸限制目前生产线基本全为4英寸和6英寸。以Qorvo为例我们统计下来氮化镓制程基本线宽在0.25-0.50um，生产线以4英寸为主。区员11. 4化体感嘉各不工t的,QG1N25QGaM25HVQG1N15。/加mGaNon3c(LZSprnGeNcnSiC□.15ym3Non'汇U.XJpEUaNcp比沟.蝌4W46V2W65U附附川可仔叮.叩用网毕眸7工柞粉□C-lflGH?DOI福卜BrJC-4DGHTDCrH咯也功率射扪如停>6G%^10GHz*7g%^S.SGHz»5倏@J0GHz^70%@3.5GHe的▼幼羽eW/liirnOfilOCjHz4.^W/fTlTi<&.34XjHzW/miTl资肝&#二海M凶票斗意球式福氮化镓&碳化硅：高压高频优势显著氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)并称为第三代半导体材料的双雄，由于性能不同，二者的应用领域也不相同。由于氮化镓具有禁带宽度大、击穿电场高、饱和电子速率大、热导率高、化学性质稳定和抗辐射能力强等优点，成为高温、高频、大功率微波器件的首选材料之一。FewConpttinglechnologie&瑞EOOMJJaMf10Fr&ojancv(GHFewConpttinglechnologie&瑞EOOMJJaMf10Fr&ojancv(GH：i理代GaNHEEf禁带代建乱现挖异「Multple3GHiComp靠g1tJ-*Tecnnakigies:1PW-贵精求法:黄飞谈.四魏汪春确无丽氮化镓：5G时代来临，射频应用前景广阔目前氮化镓器件有三分之二应用于军工电子，如军事通讯、电子干扰、雷达等领域；在民用领域，氮化镓主要被应用于通讯基站、功率器件等领域。氮化镓基站PA的功放效率较其他材料更高，因而能节省大量电能，且其可以几乎覆盖无线通讯的所有频段，功率密度大，能够减少基站体积和质量。出K&川-崔函5点榜就•廉松6.5WKi*bandG.aAaP«jwerAmplHifrr2DWKwband06.5WKi*bandG.aAaP«jwerAmplHifrr2DWKwband0PcwerAmpIMber诙并式戒：r印itr西盛迎茬醺富碑SiGaAs4H71CGANBdrbdgopEgeV1.121423.263侬BreakdawnelectriciieldEgMVJtm0.30.4333Intrinsiccarrierconcaenlrallcinnlcnrs9.«X1伊1.5X106S.2X10-S1.SKIQ-1*FEtedronnwtilllly七mW陪1500(bulk)300finv)B5D0100012&0i：buik)12000(2DEG)^Saturallonvelocityvsalx10Tcm?s1252心Re-lallvieperm-lttrvltycr11.B13.1W&ThenriHlconduotrvrtyAW*K/cm1.50.434,91.3 'Maximumwuiklr*glemperaiur^口E市X1507008M瞽护k更阳颂前兀吞来谑聚横算政特色工艺代工厂崛起，分工大势所趋。全球半导体分为IDM（IntegratedDeviceManufacture，集成电路制造）模式和垂直分工模式两种商业模式，老牌大厂由于历史原因，多为IDM模式。随着集成电路技术演进，摩尔定律逼近极限，各环节技术、资金壁垒日渐提高，传统IDM模式弊端凸显，新锐厂商多选择Fabless（无晶圆厂）模式，轻装追赶。同时英飞凌、TI、AMD等老牌大厂也逐渐将全部或部分制造、封测环节外包，转向Fab-Lite（轻晶圆厂）甚至Fabless模式。出员15:左北锋尉垓骂生产出热梅熏化2012011Camznalafpracm+Mj™f>Eiun.ngjrield

令IDMma|onty2023ehggjywEiirt+PrediieciM/毕iticy

TFoundryincreuc氮化镓射频器件高速成长，复合增速23%，下游市场结构整体保持稳定。研究机构YoleDevelopment数据显示，2017年氮化镓射频市场规模为3.8亿美元，将于2023年增长至13亿美元，复合增速为22.9%。下游应用结构整体保持稳定，以通讯与军工为主，二者合计占比约为80%。湾表16:啦优挣旗爽苏『湾表16:啦优挣旗爽苏『下善赳桧押17好招送赤：¥泰,国芸舒泼阡心游碳化硅：功率器件核心材料，新能源汽车驱动成长SiC主要用于大功率高频功率器件。以SiC为材料的二极管、MOSFET、IGBT等器件未来有望在汽车电子领域取代Si。目前SiC半导体仍处于发展初期，晶圆生长过程中易出现材料的基面位错，以致SiC器件可靠性下降。另一方面，晶圆生长难度导致SiC材料价格昂贵，预计想要大规模得到应用仍需一段时期的技术改进。肆：1ffOft肆：1ffOft脚.卬Jf世尊擀史脾DieSize和成本是碳化硅技术产业化的核心变量。我们比较目前市场主流1200V硅基IGBT及碳化硅基MOSFET，可以发现SiC基MOSFET产品较Si基产品能够大幅减少DieSize，且表现性能更好。但是目前最大阻碍仍在于WaferCost，根据yoledevelopment测算，单片成本SiC比Si基产品高出7-8倍。日19.SC皎孚4/M能博支,M'p西士如rT*wwrrrrHvtviaT*wwrrrrHvtviaZksnigFA♦rIOurnmAlb1|C.WMT'LIIK"IDN3-MA1rP'jrfi■avt3CAa.■*WmrnaMiMftrFiira!in<Minj.g?lARiffl'CJHWFKILaCC3.C|i^«，Qw-■♦CA3.U*XBaXWmn1B5WUI4D12FS00a?1Uhra2.?IU.±rrma修-岸总源：PD庙曲修-岸总源：PD庙曲V国军bE自理；喷良送书疏电N小拜餐迷:居1国维他值；如枭玄啰典忘沔过上21-也基过上21-也基IGST勺蜀北我盎MOSFETwafercost片度界U」上尊：比的g卿用印A国K：工参睛更唠研究机构IHS预测到2025年SiC功率半导体的市场规模有望达到30亿美元。在未来的10年内，SiC器件将开始大范围地应用于工业及电动汽车领域。纵观全球SiC主要市场，电力电子占据了2016-2017年最大的市场份额。该市场增长的主要驱动因素是由于电源供应和逆变器应用越来越多地使用SiC器件。母袅22:做七世F*至"5母袅22:做七世F*至"5f0.下4•七/TheSICs«mlcorbduclormarkei产界木思二打赳依而新旧士田也淮*趣史趣理事上?.与七班产业任SiC近期产业化进度加速，上游产业链开始扩大规模和锁定货源。我们根据整理CREE公告可以发现近期碳化硅产业化进度开始加速，ST、英飞凌等中游厂商开始锁定上游晶圆货源： 2019年1月公告：CREE与ST签署一项为期多年的2.5亿美元规模的生产供应协议，Wolfspeed将会向ST供应150咂SiC晶圆。》2018年10月公告：CREE宣布了一项价值8,500万美元的长期协议，将为一家未公布名称的〃领先电力设备公司”生产和供应SiC晶圆。»2018年2月公告Cree与英飞凌签订了1亿美元的长期供应协议，为其光伏逆变器、机器人、充电基础设施、工业电源、牵引和变速驱动器等产品提供SiC晶圆。二、5G加速推进，射频市场有望高速成长海外率先商用，5G提速预期强烈海外5G率先商用，国内5G推进有望加速！4月3日，美国运营商Verizon宣布在部分地区推出5G服务；4月5日，韩国三大运营商宣布开始针对普通消费者的5G商用服务；4月10日，日本政府向四大运营商分配5G频段，预计明年春正式商用；我们认为，在海外5G积极推进商用的节奏下，国内5G有望加速。■■Launched(limitedabtlityj■Launched(no<i>3GPP)■2018■20192020■2021■2022随着5G的推广，从5G的建设需求来看，5G将会采取"宏站加小站”组网覆盖的模式，历次基站的升级，都会带来一轮原有基站改造和新基站建设潮。2017年我国4G广覆盖阶段基本结束，4G宏基站达到328万个。根据赛迪顾问预测，5G宏基站总数量将会是4G宏基站1.1~1.5倍，对应360万至492万5G宏基站。鸿毅近黄最立;隼建过直至■藐涮梦野露津：茂荫收卸.国欧叠旌.卷瞳直航于此同时在小站方面，毫米波高频段的小站覆盖范围是10~20m，应用于热点区域或更高容量业务场景其数量保守估计将是宏站的2倍，由此我们预计5G小站将达到950万个。5G产业或用卡 他钵住居（京站4T5万个、小站号50万个）近站我我山猫左助与空向寺却通“吉河冷位步近站我我山猫左助与空向寺却通“吉河冷位步■SDR/NFVM^本案J光轩比蜿I"；错现虹运抵用洸某虚闻应用限弄在向声.套和工易小基拈3钥五酱，宏毡现制北域他计3000~5砒0元,小站等M无鳍SW-IOOO通寿今冬砧3科丸铝时庭三小外型催乳.宏沾席任书就攒止翁升20M-500D死，小妹很舞由我史比预由500-1MCI比一•卜滋基曲整懦华格利计为5皿口“。口。口七，五林至95。石；空西分吓冷烧才力上也喊表车龙妣.很讣北.国5G企业飒野:用俞*恚此为E.：充.想竞皇林守佶讣冷1000♦斤左寄.在空降揩500-1000汽色仿眄喀诂降主变包括比跳.传蜕.惶T可瓦亚弁禾林文淳芋系统设能一一可运营商炖计.在4G系蜒中通信冏站i£谷曲短吊■艇过300口化无，寂们筐计5G&于SDMfNFVi：眄的网络更用桥取鼠蛇伸世备科疏件定朵化解决矛案眄两大上分.技计受会救得将对出均长30%.a■于匚一iwn部署》人一RJRU蓟BBU及算剖汇聚点眄前能耐林网势，技计平均等小沙站所需花杆2KH.每小时痂需先挣。3KM.能用九芯数光猊（144芯），宏站见甯区站意拧或用军力50%.戏站：475万117KM*50%=6&4忙号击亶.小玷：用0万T.5KM*1的=0驯化曰4里.近13.&E化芯公里，光纤折悟力H150-1DO元与心里京传：毋不在站掩枭二伊扇区，每牛岛国一+0BU和RRLL善、或站常堂6年北理法一舐自传所需：（475万+95。再■*6-85SQ万外.峭耕：盍站BBJ可转常第1个元喔法、芨于C-RAN-每个BBU叶皮3个RRU,每个基片需■第1个时神光模块.笈斫嘴:475万+。54万=14=5万个.总计所需光程比；9975万十一255100G光槎炎量产后।延到正常有昭承受现樵普陵的部将I500-100C匕/个比他粮.修过好工娶色挣题.别近丑.可佗和:应挑一身运驾而创艮一投费现以为为12D0尼元-5G阿络呈雪毛忖如头中化运姓，用恁必沾总敕命多，也齐史杂厘很高-也头中比，智七亿的垃普明定一变让名统”用心哎行小研用长达剂1MOO加元.5G面的物座碑、茎夜医疗.工址网互联笨珏势的笔现系废与度用眼普.料不同于相国辂.包括行业审次方案.统映附邛内.大5US庄川平.一句运言商的浏复-友阳诔守生什本5GM培上更没时期.先投堂•登领行:化元_制同蚂心E-停没独与工程过：七川朝密云1350送元.捏苴法等J 5G的用比博行15%玉30%,超升追1.6001二元W556;11.25ID5O2600ssg.2997.513001M01600氮化镓将占射频器件市场半壁江山基站建设将是氮化镓市场成长的主要驱动力之一。Yoledevelopment数据显示，2018年，基站端氮化镓射频器件市场规模不足2亿美元，预计到2023年，基站端氮化镓市场规模将超5亿美元。氮化镓射频器件市场整体将保持23%的复合增速，2023年市场规模有望达13亿美元。

氮化镓将占射频器件市场半壁江山。在射频器件领域，目前LDMOS（横向扩散金属氧化物半导体）、GaAs（砷化镓）、GaN（氮化镓）三者占比相差不大，但据Yoledevelopment预测，至2025年，砷化镓市场份额基本维持不变的情况下，氮化镓有望替代大部分LDMOS份额，占据射频器件市场约50%的份额。国422鼻森耳伴声与群有sox如LDMOSMsox如LDMOSM如浦15 »I4KI72014制种加就30QI葡口»2JBW遵著定涯二里址、国兴谑崇济完好5G时代，射频元件是化合物半导体的天下早在802.11a技术开始商用时期，Wifi通讯频段提升至5GHz，基于硅基的CMOS射频PA组件已经逐渐消失；当进一步升级至毫米波频段，使用28GHz、39GHz乃至70GHz，在可见的未来，都是化合物半导体的天下。目前6GHz以下的PA组件，主要使用的材料制程为GaAsHBT；28GHz39GHz在移动端使用GaAsHEMT，在小基站使用GaNHEMT。与赤z更/阿娓e中展时光京就卢学#斑楙理榆E5GH2以下GaA,HETT吉桂千帆：G3ASHEMT.小要耳继：GJNHEI4T670GH2以上JriiPHBT.GaNIHEMTGaAiHEMT化合物半导体的特性更适用于5G技术。5G的射频元件能满足更高的频段、更多的频段、更快的速度、更小的尺寸，传统硅半导体面临技术困难，而化合物半导体可以有效解决毫米波带来的问题。化合物半导体在功率、线性度、工作频率、效率、可靠性更适合5G技术。CMOS产品面临击穿电压低、衬底绝缘性差、高频损耗大等先天缺陷，多个特性无法满足要求。在5G时代，硅工艺的射频器件由于小型化导致击穿电压下降，从而最大输出功率也随之下降，化合物半导体则有更好表现。skyworks的GaAsPA产品可以做到78%，而最好的硅基CMOSPA产品只能做到57%。未来多模多频移动端PA用量增加两倍以上。移动终端所需要的PA芯片数量与其支持的频段数正相关，一般4G手机需要4个PA芯片，多模多频终端所需要的PA芯片一般为5~7个，以iPhone6为例，其使用了

6个PA芯片。5G时代支持频段数量能多，且需要向下兼容前代通讯制式，未来单个移动终端可能需要16个PA芯片。化合物半导体增速远高于半导体整体增速，化合物射频组件稳定增长。根据Yole数据，2015年，全球化合物半导体市场规模约240亿美元，LED占比超过50%，射频通讯组件约40%。到2020年，化合物半导体市场将成长至440亿美元，CARG为12.9%，是整个半导体市场增速6.5%的两倍。化合物射频组件中主要为功率放大器，GaAs在化合物射频组件占比94%；GaN射频器件占比虽小，但增速较快，有望在5年内爆发，市场规模从2015年的3.0亿美元增长到2020年的6.3亿美元。H要3那什也需型SKPA抵押我就.j/H要3那什也需型SKPA抵押我就.j/函di憎的mmr雷可抵承学能用力函埃埃舞.出也1T丘宛.天工FG土扬却鹭尊5传不思格林也不K金加陛的事5aB前也一触霜如颗[ N::.TL:MH —里左廉河朝乩国圣庐行却再修化合物射频器件市场集中度高，市场格局相对稳定。因为GaAs工艺PA技术门槛较高，所以PA市场具有集中度非常高。PA的主要设计公司有Skyworks、Qorvo和Avago三家。GaAs晶圆代工厂主要是台湾的稳懋半导体、宏捷科技和美国的TriQuint，三家的市场占有率超过85%oAvago和Skyworks除芯片设计的主要业务外，也有部分产能，当自身产能不足时会给台湾代工厂商订单Avago的代工厂商是稳懋，Skyworks代工厂商是宏捷科技，Qorvo没有代工厂商。三、相关标的三安光电：全工艺平台布局，持续加码化合物半导体，UI-V族龙头正式起航我们认为III-V族化合物半导体是三安光电下一个十年的核心成长驱动及跟踪重点5G无线通讯基站、智能手机、WiFi与光纤等高速数据传输、汽车/工业/太阳能等功率芯片，都将对化合物半导体产生强劲的需求。继此前与华芯投资（集成电路产业大基金