士兰明芯中文简介

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杭州士兰明芯科技有限公司简介2013年3月报告提纲士兰明芯背景与现状产品简介士兰明芯特点与优势

士兰明芯未来发展规划士兰明芯背景与现状成立于2004年9月，位于杭州经济技术开发区。注册资本金7亿元人民币，由上市公司杭州士兰微电子股份有限公司（SH.600460)独资成立。目前产品应用：户内外彩屏、景观照明、通用照明。现有员工500余人，其中销售、管理、技术人员约120余人。月产能达到6万片2英寸外延片，其中15000片用于白光照明。

外延炉(MOCVD)主要生产设备①德国AIXTRON(爱思强)公司-------------15台②美国VEECO（维易科）公司-----------8台

产品介绍显示屏用LED芯片高亮度蓝光LED芯片高亮度绿光LED芯片高亮度红光LED芯片白光照明用高亮蓝光LED芯片高亮蓝光LED芯片GaN基LED产品BlueLED

EpitaxialWaferGreenLEDEpitaxialWaferBlueLEDChipGreenLEDChipAlInGaP红光LED产品HighBrightnessRedLEDChipHighPowerBlueLEDChip现有产品

高亮度蓝光LED芯片

芯片特性

抗ESD水平高（2000VHBM）电极粘附可靠色彩分档细致（2.5nm）亮度10mcd分档

漏电流小，10V小于0.5μA电流5mA-20mA色差小于3nm芯片尺寸200μm、230μm、250μm、280μm、300μm、320μm任选

芯片结构

高亮度绿光LED芯片

芯片结构

芯片特性

抗ESD水平高（2000VHBM）电极粘附可靠色彩分档细致（2.5nm）亮度20mcd分档

漏电流小，10V小于0.5μA电流5mA-20mA色差小于5nm芯片尺寸200μm、230μm、250μm、280μm、300μm、320μm任选

芯片结构

芯片特性

高亮度红光LED芯片

抗ESD水平高（2000VHBM）电极粘附可靠色彩分档细致（2nm）亮度30mcd分档

漏电流小，10V小于0.5μA电流5mA-20mA色差小于1nm芯片尺寸280μm

用于白光照明的LED芯片小功率白光芯片8x12mil@20mA---------6lm8x20mil@20mA---------7lm10x16mi@20mAl--------7lm10x23mil@20mA--------8lm中功率白光芯片14x28mil@100mA----------40lm20x40mil@150mA----------50lm大功率白光芯片45x45mil@350mA-----------130-140lm蓝色发光二极管芯片▣

芯片描述SL-NWIT0812-[V#W#I#]蓝色发光二极管芯片▣

芯片描述描述尺寸发光区面积178㎛x278㎛芯片面积200㎛x300㎛(10㎛)芯片厚度83㎛(5㎛)N电极Φ=80㎛P电极Φ=80㎛电极间距15㎛电极材料Al▣光学和电学参数

(Ta=25

℃

)▣

机械规范*说明：2000V是ESD测试基于统计测量方法得到的ESD水平，每颗芯片按ESD水平为800V全测合格。项目符号条件最小值典型值最大值单位正向电压VFIF=20mAV12.83.0伏特V23.03.2V33.23.4反向漏电IRVR=10V--0.5微安主波长DIF=20mAW1445-447.5纳米W2447.5-450……-…W6457.5-460W7460-462.5光功率

pIF=20mAP11416毫瓦P21618P31820P42022…………封装成白光达到6lm以上▣

芯片描述描述尺寸发光区面积234x387㎛芯片面积254㎛x407㎛(10㎛)芯片厚度100㎛(5㎛)N电极Φ=75㎛P电极Φ=75㎛电极间距15㎛电极材料Al▣光学和电学参数

(Ta=25

℃

)▣

机械规范*说明：6000V是ESD测试基于统计测量方法得到的ESD水平，每颗芯片按ESD水平为4000V全测合格。SL-NWIT1016-[V#W#I#]项目符号条件最小值典型值最大值单位正向电压VFIF=20mAV12.83.4伏特反向漏电IRVR=10V--0.5微安主波长DIF=20mAW1445-447.5纳米W2447.5-450……-…W6457.5-460W7460-462.5光功率

pIF=20mA……-…毫瓦P324-26P426-28P528-30…………封装成白光达到7lm以上▣

芯片描述描述尺寸发光区面积180x485㎛芯片面积203㎛x508㎛(10㎛)芯片厚度100㎛(5㎛)N电极Φ=75㎛P电极Φ=75㎛电极间距15㎛电极材料Al▣光学和电学参数

(Ta=25

℃

)▣

机械规范*说明：6000V是ESD测试基于统计测量方法得到的ESD水平，每颗芯片按ESD水平为4000V全测合格。SL-NWIT0820-[V#W#I#]项目符号条件最小值典型值最大值单位正向电压VFIF=20mAV12.83.4伏特反向漏电IRVR=10V--0.5微安主波长DIF=20mAW1445-447.5纳米W2447.5-450……-…W6457.5-460W7460-462.5光功率

pIF=20mA……-…毫瓦P324-26P426-28P528-30…………封装成白光达到7lm以上▣

芯片描述描述尺寸发光区面积228㎛x555㎛芯片面积250㎛x577㎛(10㎛)芯片厚度100㎛(5㎛)N电极Φ=75㎛P电极Φ=75㎛电极间距15㎛电极材料Al▣光学和电学参数

(Ta=25

℃

)▣

机械规范*说明：6000V是ESD测试基于统计测量方法得到的ESD水平，每颗芯片按ESD水平为4000V全测合格。SL-NWIT1023-[V#W#I#]项目符号条件最小值典型值最大值单位正向电压VFIF=20mAV12.83.4伏特反向漏电IRVR=10V--0.5微安主波长DIF=20mAW1445-447.5纳米W2447.5-450……-…W6457.5-460W7460-462.5光功率

pIF=20mA……-…毫瓦P426-28P528-30P630-32…………封装成白光达到8lm以上▣

芯片描述描述尺寸发光区面积330㎛x690㎛芯片面积357㎛x712㎛(10㎛)芯片厚度120㎛(10㎛)N电极Φ=90㎛P电极Φ=90㎛电极间距20㎛电极材料Al▣光学和电学参数

(Ta=25

℃

)▣

机械规范*说明：2000V是ESD测试基于统计测量方法得到的ESD水平，每颗芯片按ESD水平为1000V全测合格。SL-MWIT1428-[V#W#I#]项目符号条件最小值典型值最大值单位正向电压VFIF=100mAV12.83.4伏特反向漏电IRVR=5V--0.5微安主波长DIF=100mAW1445-447.5纳米W2447.5-450……-…W6457.5-460W7460-462.5光功率

pIF=100mA……-…毫瓦P5100-110P6110-120P7120-130P8130140…………封装成白光达到40lm以上▣

芯片描述描述尺寸发光区面积493㎛x1001㎛芯片面积508㎛x1016㎛(10㎛)芯片厚度120㎛(5㎛)N电极Φ=100㎛P电极Φ=100㎛电极间距60㎛电极材料Al▣光学和电学参数

(Ta=25

℃

)▣

机械规范*说明：2000V是ESD测试基于统计测量方法得到的ESD水平，每颗芯片按ESD水平为1000V全测合格。SL-MWIT2040-[V#W#I#]项目符号条件最小值典型值最大值单位正向电压VFIF=150mAV12.83.4伏特反向漏电IRVR=5V--0.5微安主波长DIF=150mAW1445-447.5纳米W2447.5-450……-…W6457.5-460W7460-462.5光功率

pIF=150mA……-…毫瓦P5120-130P6130-140P7140-150P8150160…………封装成白光达到50lm以上▣

芯片描述描述尺寸发光区面积1102㎛x1102㎛芯片面积1133㎛x1133㎛(10㎛)芯片厚度150㎛(5㎛)N电极Φ=110㎛P电极Φ=110㎛电极间距120㎛电极材料Al▣光学和电学参数

(Ta=25

℃

)▣

机械规范*说明：2000V是ESD测试基于统计测量方法得到的ESD水平，每颗芯片按ESD水平为500V全测合格。SL-MWIT4545-[V#W#I#]项目符号条件最小值典型值最大值单位正向电压VFIF=350mAV12.83.0伏特V23.03.2V33.23.4反向漏电IRVR=5V--2微安主波长DIF=350mAW1445-447.5纳米W2447.5-450……-…W6457.5-460W7460-462.5光功率

pIF=350mA…………毫瓦P2260280P3280300P4300320…………封装成白光达到130lm以上垂直结构LED功率芯片可以实现10W/mm2输入，输入电流最大可以达到3A，光效达到120lm/W。研发成果获得2012年度“杭州市科技进步一等奖”及“浙江省科技进步三等奖”。研发产品知识产权情况授权：发明专利8项实用新型专利4项外观专利2项申请：中国发明专利69项国际发明专利2项主要客户深圳九州

JiuZhouOptoelectronicsCo.,Ltd深圳雷曼LedmanOptoelectronicsCo.,Ltd深圳艾比森

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