核辐射探测器硕张资料

核辐射探测器闪烁体探测器闪烁探测器(Scintillationdetector)闪烁探测器是利用某些物质在核辐射作用下会发光的特性探测核辐射的,这些物质称为荧光物质或闪烁体。光电器件（常用光电器件为光电倍增管，射线强时用光电管）将微弱的闪烁光转变为光电子，光电子经多次倍增放大后，输出一个电脉冲。这种主要由闪烁体和光电器件组成的装置叫做闪烁探测器。组成示意图闪烁体光电倍增管(打拿极)反射层管座分压器高压多道或单道光阴极阳极荧光光子光电子暗盒窗前置放大器工作原理核辐射进入闪烁体，损失能量使闪烁体的原子电离和激发，激发态原子退激时发射荧光（又称闪烁光）。一个带电粒子在闪烁体中产生的光子数为：E0为带电粒子的能量；E0K1为带电粒子在闪烁体中损失的能量；C发光为闪烁体发光效率；为荧光光子的平均能量工作原理光子从产生地点穿过闪烁体和光导到达光电倍增管的光阴极，发生光电效应，在光阴极上发射光电子数为：n`光子为到达光阴极的光子数；n光子为闪烁体中产生的光子数目。T透明为闪烁体的透明度（即闪烁体对光不吸收的概率；G为光阴极的收集效率）；C光电为光阴极的光电转换效率工作原理光电子首先到达第一倍增管，从光阴极到第一个倍增极的传输系数即第一个倍增极收集效率为K2。由于光电倍增管各电极的电位必须使后一级相对于前一级为正电位，所以光电子从第一倍增极飞向其后各倍增极经过倍增（飞行时间几十ns），最后在阳极上收集的电子电荷为：M为光电倍增管的倍增系数也称为放大倍数；e为基本电荷，其他符号同前。这些电荷在输出电路中会产生一个电压脉冲。特性参量-发光效率发光效率表示闪烁体将所吸收的核辐射能量转变为所发射光子的总能量的性能，故有时称为能量转换效率：发光效率常用输出S表示：显然1/S表示产生一个光子核辐射所损失的能量，相当于气体探测器和半导体探测器中的平均电离能。常用无机闪烁体NaI(Tl)的1/S≈300eV，它比半导体和气体的平均电离能都大，因此闪烁探测器的能量分辨率较差特性参量-发光光谱闪烁体受核辐射照射时所发射的荧光不是单色的，且不同波长的光子数目也不一样。光子数随波长的分布曲线称为闪烁体的发光光谱。选用的闪烁体的发光光谱要与所用光电倍增管的光谱响应相匹配，才能在光阴极上产生较多的光电子特性参量-发光衰减时间τ带电粒子进入闪烁体后大约在10-11S时间内就损失其能量并使闪烁体的原子（或分子）激发（可以认为是同时激发的）。但受激原子（或分子）退激（发光）时间却不在同一时间，一般认为被核辐射照射后闪烁体单位时间发射的光子数（称为发光强度）为N0为t=0时受激发光的原子（分子）数（即一个带电粒子使闪烁体能发出的总光子数）；τ为闪烁体的发光衰减时间，也称为发光衰减时间常数特性参量-发光衰减时间τ特性参量-光衰减长度闪烁体发射的荧光光子在从产生地点向闪烁体与光导交界面传输过程中，由于吸收、散射而发生衰减。光子数衰减到原来的1/e时光子在闪烁体中通过的路程长度称为光衰减长度。光衰减长度标志着闪烁体所能使用的最大尺度。常用闪烁体闪烁体的选择所选闪烁体的种类和尺寸应适应于所探测射线的种类、强度及能量闪烁体的发射光谱应尽可能好地和所用光电倍增管的光谱响应配合，以获得高的光电子产额闪烁体对所测的粒子有较大的阻止本领，使入射粒子在闪烁体中损耗较多的能量闪烁体的发光效率足够高，有较好的透明度和较小折射率以使闪烁体发射的光子尽量被收集到光电倍增管的光阴极上在作时间分辨计数或寿命放射性活度测量中，应选取发光衰减时间短及能量转换效率高的闪烁体光的收集光电倍增管(Photomultiplier，PMT)光电倍增管主要由光阴极、倍增管和阳极组成。光阴极是接受入射光并放出光电子的电极。倍增极用来做光电子的倍增。阳极用来收集从最后一个倍增极发射的二次电子，在阳极负载上形成电脉冲信号真空壳打拿极阳极光电子轨迹入射光聚焦电极半透明光阴极光电倍增管光阴极：接收光子发射光电子的电极，由以碱金属为主要成分的半导体化合物材料构成，其光电效应几率大，光电子脱出功较小。光阴极有反射式和透射式两种电子光学输入系统：由光阴极和第一倍增极之间的聚焦极构成，作用是把光阴极各个方向上发射的光电子聚焦到第一倍增极。要求有良好的聚焦性能和高的光电子收集效率及小的渡越时间光电倍增管二次发射倍增系统：由8－13个倍增极组成，工作时各电极依次加上递增的电位。每个倍增极的电子倍增系数为，＝3－6，则PMT的放大倍数M＝n，n：倍增极个数。二次电子是指倍增极上由入射电子激发出来的电子，入射电子为一次电子，二次电子和一次电子数目之比为二次发射系数。要求二次发射系数大，热电子发射少，大电流工作稳定性好阳极：最后收集电子并输出信号的电极，采用电子脱出功较大且二次发射系数小能耐高温的材料，如镍、钼、钨等光电倍增管的类型外观的不同光阴极形式电子倍增系统的不同聚焦型：具有较快的响应时间，用于时间测量或需要响应时间快的场合非聚焦型：电子倍增系数较大，多用于能谱测量系统主要性能光阴极灵敏度和光谱响应光阴极灵敏度可用多种方法表示，常用的有阴极光照灵敏度、量子效率等。阴极光照灵敏度：标准白光照射光阴极时，光阴极产生的光电子流与照射光通量之比。量子效率：一定波长的光照射光阴极，光阴极发射的光电子数与入射光子数之比。光阴极的光谱响应：量子效率随波长效率变化的关系曲线。主要性能倍增系数：在一定工作电压下，阳极输出电流和阴极光电子流之比。阳极光照灵敏度：在一定工作电压下，用标准白光照射光阴极时，阳极电流与照射光通量之比暗电流：在完全没有光照射情况下，在一定工作电压时测得的阳极电流。产生原因：光阴极热电子发射，光电倍增管内残余气体电离及激发、窗材料含有的少量放射性核素、高压尖端放电等。主要性能阳极脉冲上升时间和渡越时间

阳极脉冲上升时间：阳极输出脉冲前沿部分，从峰值的10%上升到峰值的90%所需时间。

渡越时间：光子到达光阴极的瞬间到阳极输出脉冲达到某一指定值之间的时间间隔。能量分辨率和探测效率

能量分辨率取决于荧光光子数和倍增系数的统计涨落、光电转换效率的误差等。对于α、β等带电粒子，探测器对它们有100%的计数效率。对于γ射线和中子，探测效率小于100%。单晶闪烁谱仪γ闪烁谱仪的组成与工作原理闪烁体、PMT以及配套的电子学仪器组成。X或γ射线不带电，它与闪烁体的相互作用是通过三种初级效应实现的，它产生的次级电子的能谱是相当复杂的，因而由次级电子产生的输出脉冲幅度谱也是相当复杂的以NaI(Tl)闪烁晶体的单晶γ闪烁谱仪为例单能射线的输出脉冲幅度谱单能射线在闪烁体内产生的次电子谱射线与物质的相互作用光电效应：光子消失，产生光电子康普顿散射：散射光子，反冲电子电子对效应：光子消失，产生正负电子对，正电子湮灭产生两个0.511MeV的湮灭光子。闪烁体足够小的情况，尺寸小于1cm可认为由入射光子产生的次级Compton光子或电子对效应中产生的正电子湮没光子这些次级辐射离开闪烁体，不再与闪烁体发生相互作用(hv<1.022MeV)(hv>1.022MeV)闪烁体特别大的情况次级光子带走的能量也最终转化为次级电子的能量，因此单能光子入射后所产生的总的次级电子能量就等于入射光子的能量全能峰这种多次作用累加沉积能量的过程称为累计效应闪烁体中等大小的情况初级效应中产生的光子部分逃出闪烁体(hv<1.022MeV)单能射线输出脉冲幅度谱闪烁体的一次闪烁及周围介质对脉冲幅度谱的影响示意图半导体探测器半导体探测器(semiconductordetector)20世纪60年代以后迅速发展起来的一种新型核辐射探测器，以半导体材料为探测介质。半导体探测器的工作原理和气体电离室的十分相似，故又称固体电离室半导体：常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。按化学成分可分为元素半导体和化合物半导体两大类，锗和硅是最常用的元素半导体半导体半导体通过电子传导或空穴(electronhole)传导的方式传输电流。电子传导的方式与铜线中电流的流动类似，即在电场作用下高度离子化（ionization）的原子将多余的电子向着负离子化程度比较低的方向传递。空穴导电则是指在正离子化的材料中，原子核外由于电子缺失形成的“空穴”，在电场作用下，空穴被少数的电子补入而造成空穴移动所形成的电流（一般称为正电流）。半导体材料中载子的数量对半导体的导电特性极为重要。这可以通过在半导体中有选择的加入其他“杂质”（三、五族元素）来控制。如果我们在纯硅中掺杂少许的砷或磷（最外层有五个电子），就会多出一个自由电子，这样就形成N型半导体如果我们在纯硅中掺入少许的硼（最外层有三个电子），就反而少了一个电子，而形成一个空穴，这样就形成P型半导体（少了一个带负电荷的电子，可视为多了一个正电荷）。PN结(PNjunction)P型半导体与N型半导体相互接触时，其交界区域称为PN结。P区中的自由空穴和N区中的自由电子要向对方区域扩散，造成正负电荷在PN结两侧的积累，形成电偶极层。电偶极层中的电场方向正好阻止扩散的进行。由于P区中的空穴向N区扩散后与N区中的电子复合，而N区中的电子向P区扩散后与P区中的空穴复合，这使电偶极层中自由载流子数减少而形成高阻层，故电偶极层也叫阻挡层。半导体工作原理带电粒子进入半导体探测器灵敏区后与半导体相互作用，使半导体的原子电离而产生电子和空穴对（初电离）。灵敏区的电子和空穴在电场作用下分别向两电极漂移，从而在半导体探测器输出电路上形成电压脉冲。半导体探测器类型PN结型半导体探测器将掺均匀杂质浓度的P型和N型半导体直接接触而组成的探测元件叫做PN结型半导体探测器锂漂移型半导体探测器；用P型硅或锗作基体，在基体的一面蒸镀一层金属锂，锂镀层为N区的半导体探测器高纯锗半导体探测器采用高纯度锗晶体作为探测元件的半导体探测器PN结型半导体探测器在P型半导体上掺杂，通过补偿效应，转化为N型半导体，形成P-N结。由于密度的差异，电子和空穴朝着密度小的方向扩散。扩散的结果形成空间电荷区，建立起自建电场。在自建电场的作用下，扩散与漂移达到平衡。形成P-N结区，也叫势垒区、耗尽区。PN结型半导体探测器少数能量较高的电子空穴会穿过势垒区扩散到对方区域，形成正向电流If由于热运动在势垒区产生电子空穴，在自建电场作用下形成反向电流IG扩散到势垒区的少数载流子在电场作用下也会形成反向电流IS

达到平衡时，PN结型半导体探测器外加电场下的P-N结在P-N结上加反向电压，由于结区电阻率很高，电位差几乎都降在结区反向电压形成的电场与自建电场方向一致外加电场使结区宽度增大。反向电压越高，结区越宽在外加反向电压时的反向电流：少数载流子的扩散电流，结区面积不变，IS不变；结区体积加大，热运动产生电子空穴多，IG增大；反向电压产生漏电流IL，主要是表面漏电流。PN结型半导体探测器扩散结型探测器把施主杂质(例如磷)扩散到P型Si材料中，形成P-N结。用高温扩散和离子注入的方法，通过控制扩散温度和扩散时间，得到1m以下的薄入射窗。性能稳定，高温使载流子寿命减小，窗损失能量。面垒型探测器在N型Si上蒸薄Au（金），透过Au层的氧化作用，形成P型氧化层。叫做金硅面垒探测器，Si(Au)。入射窗薄，噪声小。光敏，耐高温特性不好。金硅面垒半导体探测器主要用于测量短射程的带电粒子的能谱。它的时间响应速度与闪烁探测器差不多，所以可用来作定时探测器。它的本底很低，适于作低本底测量优点：能量分辨率高、设备简单、使用方便缺点：灵敏体积不能做得很大，因而限制了大面积放射源的使用锂漂移型半导体探测器PN结型半导体探测器的一个缺点是灵敏区厚度很难达到2mm以上。它在探测中带电粒子方面有着广泛的应用，但对于穿透力很强的射线就不适用了锂漂移型半导体探测器可以很好的解决这个问题，它的灵敏区厚度可以达到10mm以上锂漂移型半导体探测器按其基制材料可以分成两类：锂漂移锗探测器Ge(Li)和锂漂移硅探测器Si(Li)，习惯上称为锗锂和硅锂探测器锂漂移型半导体探测器用P型硅或锗作基体，在基体的一面蒸镀一层金属锂，锂在硅和锗中的电离电位很低，在室温下锂是离化的通过锂离子扩散进入基体。在合适的外加电场作用下，锂离子向半导体内部漂移，最后在半导体内部的一段区域形成了电阻率很高的本征层在锂离子未漂移到的区域内，仍为P型材料，锂镀层为N区，这样就构成了一个P-N结构的锂漂移型半导体探测器，所以也叫PIN型半导体探测器锂漂移型半导体探测器平面型同轴型高纯锗探测器高纯锗探测器是在20世纪70年代研制出来的一种新型半导体探测器本质上也是PN结型半导体探测器高纯锗的杂质浓度可以降低到（109~1010）原子/cm3，相应的电阻率很高，使偏压不到1000V时耗尽深度就可以达到10mm，所以可获得较大的灵敏体积按结构特点可分为：平面型和同轴型高纯锗探测器（1）一般平面型 （2）沟槽式平面型（3）P型同轴型 （4）N型同轴型高纯锗探测器平面型高纯锗探测器灵敏区厚度一般在5～10mm，可以用于测量E<220MeV的α粒子，E<60MeV的质子，E<10MeV的电子和能量E<300keV的低能X和γ射线。同轴型HPGe探测器灵敏区体积可达约400cm3，用于Eα<10MeV的γ射线能量测量。其他半导体探测器化合物半导体探测器如碘化汞（HgI2）、锑化镉（CdTe）、砷化稼（GaAs）等特殊类型半导体探测器全耗尽探测器位置灵敏探测器内放大探测器半导体探测器与电离室比较半导体探测器的工作原理类似于电离室，但它比电离室有一些明显的优点半导体的密度比气体密度大许多（三个数量级），半导体探测器和电离室输出同样大小脉冲时，半导体探测器体积可小许多半导体的平均电离能（约3eV）比气体的平均电离能（约30eV）小一个数量级，带电粒子在半导体探测器内损失同样的能量产生的电子-空穴对要多得多，电子-空