半导体器件(附答案)

7/7半导体器件(附答案)第一章、半导体器件（附答案）

一、选择题

1．PN结加正向电压时，空间电荷区将________

A.变窄

B.基本不变

C.变宽

2．设二极管的端电压为u，则二极管的电流方程是________

A.B.C.

3．稳压管的稳压是其工作在________

A.正向导通

B.反向截止

C.反向击穿区

4．VUGS0=时，能够工作在恒流区的场效应管有________

A.结型场效应管

B.增强型MOS管

C.耗尽型MOS管

5．对PN结增加反向电压时，参与导电的是________

A.多数载流子

B.少数载流子

C.既有多数载流子又有少数载流子

6．当温度增加时，本征半导体中的自由电子和空穴的数量_____

A.增加

B.减少

C.不变

7．用万用表的R×100Ω档和R×1KΩ档分别测量一个正常二极管的正向电阻，两次测

量结果______

A.相同

B.第一次测量植比第二次大

C.第一次测量植比第二次小

8．面接触型二极管适用于____

A.高频检波电路

B.工频整流电路

9．下列型号的二极管中可用于检波电路的锗二极管是：____

A.2CZ11

B.2CP10

C.2CW11

D.2AP6

10．当温度为20℃时测得某二极管的在路电压为VUD7.0=。若其他参数不变，当温度上

升到40℃，则DU的大小将____

A.等于0.7V

B.大于0.7V

C.小于0.7V

11．当两个稳压值不同的稳压二极管用不同的方式串联起来，可组成的稳压值有_____

A.两种

B.三种

C.四种

12．在图中，稳压管1WV和2WV的稳压值分别为6V和7V，且工作在稳压状态，由此可知输

出电压OU为_____

A.6V

B.7V

C.0V

D.1V

13．将一只稳压管和一只普通二极管串联后，可得到的稳压值是（）

A.两种

B.三种

C.四种

14．在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于__（1）__，而少数载流子的浓度与__

（2）__有很大关系。

（1）A.温度B.掺杂工艺C.杂质浓度D.晶体缺陷

（2）A.温度B.掺杂工艺C.杂质浓度D.晶体缺陷

15．当PN结外加正向电压时，扩散电流__（1）__漂移电流，耗尽层__（2）__，当PN结

外加反向电压时，扩散电流__（3）__漂移电流，耗尽层__（4）__。

（1）A.大于B.小于C.等于D.变宽E.变窄F.不变

（2）A.大于B.小于C.等于D.变宽E.变窄F.不变

（3）A.大于B.小于C.等于D.变宽E.变窄F.不变

（4）A.大于B.小于C.等于D.变宽E.变窄F.不变

16．甲、乙、丙三个二极管的正、反向特性如表1.6所示，你认为哪一个二极管的性能最

好？

A.甲

B.乙

C.丙

17.一个硅二极管在正向电压VUD6.0=时，正向电流mAID10=。若DU增大到0.66V

（即增加10%），则电流DI________

A.约为11mA（也增加10%）

B.约为20mA（增大1倍）

C.约为100mA（增大到原先的10倍）

D.仍为10mA（基本不变）

18.在如下图所示的电路中，当电源V1=5V时，测得I=1mA。若把电源电压调整V1=10V，

则电流的大小将V1=5V是________。

A.I=2mA

B.I〈2mA

C.I〉2mA

21.在P型半导体中，多数载流子是_（1）_，在N型半导体中，多数载流子是_（2）

（1）A.正离子B.自由电子C.负离子D.空穴

（1）A.正离子B.自由电子C.负离子D.空穴

23.本征半导体温度升高以后，自由电子和空穴的变化情况是________。

A.自由电子数目增加，空穴数目不变

B.空穴数目增加，自由电子数目不变

C.自由电子和空穴数目等量增加

24.N型半导体__（1）__，P型半导体__（2）__。

（1）A.带正电B.带负电C.呈电中性

（2）A.带正电B.带负电C.呈电中性

26.PN结外加反向电压时，其内电场________。

A.减弱

B.不变

C.增强

27.PN结在外加正向电压的作用下，扩散电流_______漂移电流。

A.大于

B.小于

C.等于

28.在本征半导体中加入__（1）__元素可形成N型半导体，加入__（2）__元素可形成P型半导体。

（1）A.五价B.四价C.三价

（2）A.五价B.四价C.三价

29.当温度升高时，二极管的反向饱和电流将_________

A.增大

B.不变

C.减小

30.工作在放大区的某三极管，如果当BI从12μA增大22μA时，CI从1mA变为2mA，那么它的β约为__________

A.83

B.91

C.100

31.硅二极管上外加正向电压很低时，正向电流几乎为零，只有在外加电压达到约_____V时，正向电流才明显增加，这个电压称为硅二极管的死区电压。与硅二极管一样，只有在锗三极管上外加正向电压达到约_____V时，正向电流才明显增加。这个电压称为锗二极管的死区电压。

（1）A.0.7VB.0.2VC.0.5VD.0.3V

（2）A.0.7VB.0.2VC.0.5VD.0.3V

二、判断题(正确的选“Y”，错误的选“N”)

1.P型半导体可通过在纯净半导体中掺入五价磷元素而获得。（Y）（N）

2.在N型半导体中，掺入高浓度的三价杂质改型为P型半导体。（Y）（N）

3.P型半导体带正电，N型半导体带负电。（Y）（N）

4.PN结内的扩散电流是载流子在电场作用下形成的。（Y）（N）

5.漂移电流是少数载流子在内电场作用下形成的。（Y）（N）

6.由于PN结交界面两边存在电位差，所以，当把PN结两端短路时就有电流流过。（Y）（N）

7.PN结方程可以描述PN结的正向、特性和反向特性，也可以描述PN结的反向击穿特性。（Y）（N）

8．N型半导体的多数载流子是电子，因此N型半导体带负电。（Y）（N）

11．在外电场作用下，半导体中同时出现电子电流和空穴电流。（Y）（N）

12．当外加反向电压增加时，PN结的结电容将会增大。（Y）（N）

13．通常的BJT管在集电极和发射极互换使用时，仍有较大的电流放大作用。（Y）（N）

14．通常的JEFT管在漏极和源极互换使用时，仍有正常的放大作用。（Y）（N）

15．当环境温度升高时，本征半导体中自由电子的数量增加，而空穴的数量基本不变。（Y）（N）

16．当环境温度升高时，本征半导体中空穴和自由电子的数量都增加，且它们增加的数量相等。（Y）（N）

17．P型半导体中的多数载流子都是空穴，因此，P型半导体带正电。（Y）（N）

18．PN结中的空间电荷区是由带电的正，负离子形成的，因而它的电阻率很高。（Y）（N）

19．半导体二极管是根据PN结单向导电的特性制成。因此，半导体二极管也具有单向导电性。（Y）（N）

21．当二极管两端加正向电压时，二极管中有很大的正向电流通过。这个正向电流是由P型和N型半导体中多数载流子的扩散运动产生的。（Y）（N）

22．用万用表判断二极管的极性，若测得二极管的电阻很小，那么，与万用表的红表笔相接的电极是二极管的负极，与黑表笔相接的是二极管的正极。（Y）（N）

24．用万用表欧姆挡测量二极管的正相电阻，用R×1档测出的电阻值和用R×100挡测出的电阻值不相同，说明这个二极管的性能不稳定。（Y）（N）

25．漂移电流是少数载流子形成的。（Y）（N）

26．当晶体二极管加反向电压时，将有很小的反向电流通过，这个反向电流是由P型和N型半导体中少数载流子的漂移运动产生的。（Y）（N）

27.普通二极管反向击穿后立即损坏，因为击穿都是不可逆的。（Y）（N）

28.正偏时二极管的动态内阻随着流过二极管的正向电流的增加而减小。（Y）（N）

29.发光二极管内部仍有一个PN结，因而他同普通二极管一样导通后的正向压降为0.3V或0.7V。（Y）（N）

30.发光二极管的发光颜色是由采用的半导体的材料决定的。（Y）（N）

31.稳压二极管只要加上反向电压就能起到稳压作用。（Y）（N）

32.整流二极管一般都采用面接触型或平面型硅二极管。（Y）（N）

33.硅二极管存在一个结电容，这仅是由引脚和壳体形成的。（Y）（N）

34.P型半导体可以通过在本征半导体中掺入五价磷元素而得到。（Y）（N）

35.N型半导体可以通过在本征半导体正掺入三价铟元素而得到。（Y）（N）

36.N型半导体中，掺入高浓度的三价元素，可以改变为P型半导体。（Y）（N）37．漂移电流是在内电场作用先形成的。（Y）（N）

38．导体的价电子易于脱离原子核的束缚而在晶格中运动。（Y）（N）

39．导体中的空穴的移动是借助于相邻价电子于空穴复合而移动的。（Y）（N）

40．施主杂质成为离子后是正离子。（Y）（N）

41．受主杂质成为离子后是负离子。（Y）（N）

43．极管的伏安特性方程式除了可以描述正向特性和反向特性外，还可以描述二极管的击穿特性。（Y）（N）

题目系太原电力高等专科学校精品课程—电子技术基础

4/wljx/jpkc/dzjs/exam/md01.asp

其中缺少题号的题目是与已有的题目重复，故没有写出。答案是本人参考各资料整理，旨在学习交流，如有错误，敬请指正。liuyj_chuxi@http://./doc/04801bd280eb6294dd886c96.html

答案：

选择题：

1~5.ACCAB6~10.ACBDC

第9题中，2表示二极管，三极管则为3，A、B表示材料锗，C、D表示材料硅，A、C表示N型，P表示普通，W表示稳压，Z表示整流，后面阿拉伯数字表示序号。

11~15.CDA(1)C(2)A(1)A(2)E(3)B(4)D

11题中两个稳压管D1和D2，稳定电压分别是V1和V2，正向导通电压都是0.7V，当D1和D2都反接即工作在稳压状态时，稳定电压为V1+V2，若都正接即导通状态时，稳定电压为07V+0.7V＝1.4V，若一个反接一个正接，则为V1+0.7V或V2+0.7V，所以共有4个稳压值。

13题中，稳压管D1和普通二极管D2，D1的稳定电压是V1，二者的正向导通电压都是0.7V，

当二者都反接时，则输出电压为输入电压；若D1反接，D2正接，则稳压值为V1+0.7V，当二者都正接，则稳压值为0.7+0.7＝1.4V，若D1正接，D2反接，则输出仍为输入电压。故只有两种稳压值。

16.B17.C18.C

17题中，正向电流与正向电压的关系为第2题C中的公式，电流随电压按指数形式增加。18题中，原题无图，故从别的资料中找到的一幅图，序号不相对应。

21.（1）D（2）B23.C24.（1）C（2）C

26.C27.A28.（1）A（2）C29.A30.C

31.（1）C（2）B

一般典型值锗管VVon3.0=，VVth1.0=，硅管VVon7.0=，VVth5.0=

此处选项只有0.2V，故第（2）选B。

判断题：

1~5.NYNYY6~8.NNN

11.N12.N13.N14.N15.N

11题与选择题第5题类似，对PN结加正向电压，扩散运动大于漂移运动，PN结内的电流便由起支配地位的扩散电流所决定；对PN结加反向电压，漂移运动大于扩散运动，PN结内的电流便由起支配地位的漂移电流所决定。

12题中PN结的结电容是势垒电容和扩散电容的总效果，结电容的大小除了与本身结构和工艺有关外，还与外加电压有关。当PN结处于正向偏置时，正向电阻很小，结电容较大，主要取决于扩散电容；当PN结处于反向偏置时，反向电阻很大，结电容较小，主要取决于势垒电容。当反向电压增加时，PN结厚度增大，PN结厚度跟势垒电容的关系，类似平板电容器跟极间距离成反比的关系。故PN结的结电容应该是减小。

16.Y17.N18.N19.Y

18题半导体的电导率很高，但掺入微量杂质后，电阻率会发生很大的变化，导电能力可增加几十万乃至几百万倍。

21.Y22.N24.N25.Y

26~30.YNYNY

29题中

二极管的管压降：硅二极管（不发光类型）正向管压降0.7V，锗管正向管压降为0.3V,发光二极管正向管压降为随不同发光颜色而不同。

1.直插超亮发光二极管压降

主要有三种颜色，然而三种发光二极管的压降都不相同，具体压降参考值如下：红色发光二极管的压降为2