标准解读

《GB/T 15713-1995 锗单晶片》是中国的一项国家标准，发布于1995年，旨在规定锗单晶片的技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输和储存要求。此标准适用于半导体器件制造中使用的锗单晶片。以下是该标准的主要内容概览：

  1. 范围：明确了标准适用的锗单晶片类型，主要用于半导体工业中的各种器件制造，规定了其基本参数和质量要求。

  2. 引用标准：列出了实施本标准时所依据或参考的其他相关国家标准和行业标准，确保各项测试和评估有据可依。

  3. 定义：对锗单晶片相关的专业术语进行了界定，如晶向、晶片直径、厚度、平整度等，为后续技术要求的阐述提供清晰的概念基础。

  4. 技术要求：

    • 材料：规定了锗单晶应满足的纯度等级，以及可能存在的杂质元素的最大允许含量。
    • 几何尺寸：详细说明了晶片的直径、厚度及其公差范围，确保晶片的尺寸一致性。
    • 表面质量：包括表面平整度、洁净度、缺陷（如划痕、凹坑）的要求，以保证晶片表面适合后续的微细加工。
    • 电学性能：规定了电阻率、载流子浓度等电学参数的范围，这些对于半导体器件的功能至关重要。

  5. 试验方法：介绍了如何通过物理和化学手段检测锗单晶片的各项指标，包括但不限于尺寸测量、表面检查、电学性能测试等，确保测试结果的准确性和可重复性。

  6. 检验规则：明确了晶片的抽样方案、合格判定准则及不合格品的处理方式，确保产品质量控制的严格性。

  7. 标志、包装、运输和储存：

    • 标志：要求在产品或包装上明确标注产品信息，如标准号、制造商、批号、规格等。
    • 包装：规定了保护晶片免受物理损伤和化学污染的包装要求。
    • 运输：提出在运输过程中避免极端温度、剧烈震动的措施，以保护晶片的完整性。
    • 储存：描述了适宜的储存环境条件，如温度、湿度，以防晶片性能劣化。


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  • 被代替
  • 已被新标准代替，建议下载现行标准GB/T 5238-2009
  • 1995-10-17 颁布
  • 1996-03-01 实施
©正版授权
GB/T 15713-1995锗单晶片_第1页
GB/T 15713-1995锗单晶片_第2页
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文档简介

ICS29.040.20H81中华人民共和国国家标准GB/T15713—1995错单晶片Monocrystallinegermaniumslices1995-10-17发布1996-03-01实施国家技术监督局发布

中华人民共和国国家标准GB/T15713-1995错单晶Monocrystallinegermaniumslices1主题内客与适用范图本标准规定了错单晶切割片、研磨片和腐蚀片(简称错片)的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输和心存。本标准适用于各种牌号的错单晶经切割、双面研磨、分割、腐蚀制备的圆形、方形和长方形错片。产品用于制作品体管和红外器件。2引用标准GB2828逐批检查计数抽样程序及抽样表(适用于连续批的检查)GB/T5238错单晶3产品分类3.1分类错片按导电类型分为n型和P型，按生产方法分为切割片、研磨片和腐蚀片三种3.2牌号3.2.1错片的牌号表示为：口8口PL心其中：-表示错单晶的生产方法。Cz表示直拉法,HB表示水平法。2--Ge表示错单晶。表示错片的品种,分别用相应英文单词的第一个字母组合的大写形式表示,当英文取两个字母时，第二个字母应小写，其中：CW表示切割片；BLW表示双面研磨片;c.EtW表示腐蚀片。-用或p表示导电类型，括号内的元素符号表示掺杂剂。国家

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