标准解读

《GB/T 15649-1995 半导体激光二极管空白详细规范》作为一项技术标准，规定了半导体激光二极管的性能指标、测试方法及合格判定准则等要求。不过，您提供的信息中并未直接给出另一个对比的标准或版本，这使得直接比较具体变更内容变得不可能。但可以一般性地说明，不同时间发布或修订的标准之间常见的变更可能涉及以下几个方面：

  1. 技术参数更新：新标准可能会根据技术进步和市场需求调整对半导体激光二极管的性能要求，如提高输出功率稳定性、降低阈值电流、优化光束质量等。

  2. 测试方法改进：随着测量技术和仪器的发展，新标准可能会引入更精确、更高效的测试手段，确保评估结果的准确性和可重复性。

  3. 安全与环境要求：考虑到用户安全及环境保护，新标准可能会增加对产品在电磁兼容性(EMC)、有害物质限制(RoHS)等方面的要求。

  4. 标准化术语和定义：为保持与国际标准的一致性，新标准可能会更新或补充术语定义，以适应行业发展的最新语言规范。

  5. 合格判定准则调整：可能根据实际应用反馈调整产品的合格判定标准，使其更加合理且适用。

  6. 增加或删除部分内容：根据技术发展或市场需求，新标准可能会增加新的章节来规范新技术或产品特性，同时可能也会删去一些过时或不再适用的内容。


如需获取更多详尽信息，请直接参考下方经官方授权发布的权威标准文档。

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  • 现行
  • 正在执行有效
  • 1995-07-24 颁布
  • 1996-04-01 实施
©正版授权
GB/T 15649-1995半导体激光二极管空白详细规范_第1页
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文档简介

UDC621.382.2L48中华人民共和国国家标准GB/T15649—1995半导体激光二极管空白详细规范Blankdetailspecificationforsemiconductorlaserdiodes1995-07-24发布1996-04-01实施国家技术监督局发布

中华人民共和国国家标准半导体激光二极管空白详细规范GB/15649-1995Blankdetailspecificationforsemiconductorlaserdiodes本空白详细规范规定了制定半导体激光二极管详细规范的基本原则，制定该范围内的所有详细规范应与本空白详细规范相一致。本规范是与GB4589.1一90《半导体器件分立器件和集成电路总规范》和GB12565—90《半导体器件光电子器件分规范》有关的一系列空白详细规范中的一个。要求的资料下列所要求的各项内容，应列入规定的相应空栏中。详细规范的识别：(1）授权发布详细规范的国家标准机构名称。（2）IECQ详细规范号。（3）总规范和分规范号及其年份号。（4）详细规范号，发布日期和国家要求的任何更多的资料。器件的识别：（5）器件型号：(6）典型结构和应用资料。如果设计一种器件满足几种应用,则应在详细规范中指出。这些应用的特性.极限值和检验要求应予满足。（7）外形图和(或)引用有关的外形标准。(8）质量评定类别。（9）能在器件各型号之间比较的最重要特性的参考数据，「整个空白详细规范中，在方括号内给出的内容仅供指导制定详细规范时用，而不包括在详细规范中在极限值和特性值的"数值”栏中,"X"表示在详细规范中应给出的

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