标准解读
GB/T 15450-1995 是一项中华人民共和国国家标准，全称为《硅双栅场效应晶体管 空白详细规范》。该标准主要规定了硅双栅场效应晶体管（Silicon Double Gate Field Effect Transistor）的技术要求、测试方法以及质量评定规则，旨在为该类器件的设计、生产、检验及应用提供统一的标准依据。
标准内容概览
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范围：明确了本标准适用的硅双栅场效应晶体管类型，包括其基本结构、工作原理及预期使用环境。
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引用标准：列出了实施本标准时需要参考的其他相关国家标准或国际标准，确保各项技术指标和测试方法的一致性和准确性。
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术语和定义：对标准中涉及的专业术语进行了解释和定义，帮助读者准确理解标准内容。
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分类与命名：根据硅双栅场效应晶体管的不同特性（如沟道类型、极性、封装形式等）进行分类，并规定了相应的命名规则。
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技术要求：
- 电气参数：规定了诸如开启电压、漏源饱和电流、跨导、输入输出特性曲线等关键电气性能指标及其允许的偏差范围。
- 机械与物理特性：包括封装尺寸、引脚排列、耐压强度、温度特性等要求。
- 可靠性要求：设定了器件在特定条件下的寿命、稳定性及抗干扰能力等标准。
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试验方法：详细描述了如何进行各项性能测试，确保测试结果的可重复性和准确性。包括测试环境、测试仪器、测试步骤等。
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检验规则：规定了产品检验的程序、抽样方案、合格判定准则等，确保出厂产品的质量符合标准要求。
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标志、包装、运输和贮存：对产品的标识信息、包装要求、在运输和贮存过程中的保护措施进行了规定，以防止损坏并便于追溯。
实施意义
该标准的制定和实施有助于提升硅双栅场效应晶体管的产品质量，促进产业标准化进程，方便国内外贸易交流，同时为用户提供可靠的质量评估依据，保障电子设备的稳定运行和长期可靠性。
如需获取更多详尽信息，请直接参考下方经官方授权发布的权威标准文档。
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- 废止
- 已被废除、停止使用，并不再更新
- 1995-01-05 颁布
- 1995-08-01 实施
文档简介
UDC.621.382.33L44中华人民共和国国家标准CB/T15450－1995硅双栅场效应晶体管空白详细规范Blankdetailspecificationforsilicondual-gatefield-effecttransistors1995-01-05发布1995-08-01实施国家技术监督局发布
（京)新登字023号中华人民共和国国家标准硅双栅场效应晶体管空白详细规范GB/T15450-1995中国标准出版社出版发行北京西城区复兴门外三里河北街16号邮政编码：10XX45电话：63787337、637874471995年7月第一版2004年12月电子版制作书号：155066·1-11559版权专有侵权必究举报电话：（010）68533533
中华人民共和国国家标准硅双栅场效应晶体管cB/T15450-1995空Blankdetailspecificationforstlicondual-gatefield-effecttransistors本空白详细规范规定了制订硅双栅场效应品体管详细规范的基本原则，制订该范围内的所有详细规范应与本空白详细规范一致。本空白详细规范是半导体器件空白详细规范系列中的一个，并应与下列规范一起使用：GB4589.1《半导体器件分立器件和集成电路总规范》,GB12560《半导体器件分立器件分规范》要求资料：本页及下页括号内所示的数字，对应于以下要求资料的项目，并列入规定的栏目中。详细规范的识别：（1)批准发布本详细规范的组织：国家标准机构的名称（2）详细规范的IECQ号。（3)总规范号，分规范号和版本号。（4)详细规范号，发布日期及国家体系要求的任何更多的资料。器件的识别：(5)器件类型的简单说明。（6)典型结构和应用的资料.如果设计一种器件满足若干应用，则应在详细规范中指出。对于这些应用特性、极限值及检验要求均应满足。对静电敏感器件，应写上警告说明，（7)外形图和(或)引用有关的外形文件，（8)质量评定类别。（9)能在器件类型之
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