工艺流程以及工序简介sj

太阳能电池制造工艺——工艺流程以及工序简介1.前言磷扩散层其主要是利用硅半导体p-n结的光生伏打效应。即当太阳光照射p-n结时，便产生了电子-空穴对，并在内建电场的作用下，电子驱向n型区，空穴驱向p型区，从而使n区有过剩的电子，p区有过剩的空穴，于是在p-n结的附近形成了与内建电场方向相反的光生电场。在n区与p区间产生了电动势。当接通外电路时便有了电流输出。硅太阳能电池的结构及其工作原理：单晶硅太阳电池多晶硅太阳电池非晶硅太阳电池下面我们就硅太阳电池的制造工艺流程以及各工序进行简单的介绍。晶体硅太阳能电池制造的常规工艺流程主要包括：硅片清洗、绒面制备、扩散制结、等离子周边刻蚀、去PSG(磷硅玻璃)、PECVD减反射膜制备、电极(背面电极、铝背场和正电极)印刷及烘干、烧结和分选测试等。同时,在各工序之间还有检测项目,主要有抽样检测制绒效果、抽样测方块电阻、抽样测氮化硅减反射膜厚度和折射率等项目。2.硅太阳电池的制造工艺流程等离子刻蚀捷佳创单晶制绒库特勒多晶制绒扩散工序PECVD工序丝网印刷工序制绒清洗工序烧结工序去PSG工序

测试分选工序成品硅太阳能电池1）、我公司工序工艺流程布局：5.沉积减反射膜（PECVD）1.原料硅片清洗、制绒2.高温扩散（液态扩散）6.丝网印刷背电极8.丝网印刷背电场7.烘干9.烘干12.测试分选10.丝网印刷正电极3.等离子刻蚀11.烧结4.去磷硅玻璃（去PSG）制绒清洗工序扩散工序去磷硅玻璃等离子刻蚀工序PECVD工序丝网印刷工序烧结工序测试分选工序目前硅太阳能电池制造工序主要有：2）、工序简介(a).单晶制绒---捷佳创

目的与作用：

（1）去除单晶硅片表面的机械损伤层和氧化层。

（2）为了提高单晶硅太阳能电池的光电转换效率,根据单晶硅的各向异性的特性，利用碱(KOH)与醇(IPA)的混合溶液在单晶硅表面形成类似“金字塔”状的绒面,有效增强硅片对入射太阳光的吸收,从而提高光生电流密度。1.

制绒清洗工序(b).

多晶制绒---RENAInTex目的与作用：

（1）去除单晶硅片表面的机械损伤层和氧化层。

（2）有效增加硅片对入射太阳光的吸收,从而提高光生电流密度，提高单晶硅太阳能电池的光电转换效率。扩散的目的：制造太阳能电池的PN结。PN结是太阳能电池的“心脏”。制造PN结，实质上就是想办法使受主杂质在半导体晶体内的一个区域中占优势（P型），而使施主杂质在半导体内的另外一个区域中占优势（N型），这样就在一块完整的半导体晶体中实现了P型和N型半导体的接触。2.

扩散（POCl3液态扩散）刻蚀的目的：去除片子边缘的磷硅玻璃，使PN结不短路。等离子体刻蚀是采用高频辉光放电反应，使反应气体激活成活性粒子，如原子或游离基，这些活性粒子扩散到需刻蚀的部位，在那里与被刻蚀材料进行反应，形成挥发性反应物而被去除，这种腐蚀方法也叫做干法腐蚀。3.

等离子体周边刻蚀4.

去磷硅玻璃---PSG

在扩散过程中发生如下反应：

POCl3分解产生的P2O5淀积在硅片表面，P2O5与Si反应生成SiO2和磷原子：

这样就在硅片表面形成一层含有磷元素的SiO2，称之为磷硅玻璃。去除磷硅玻璃的目的、作用：磷硅玻璃的厚度在扩散中工艺难控制，且其工艺窗口太小，不稳定。磷硅玻璃的折射率在1.5左右，比氮化硅折射率（2.07左右）小，若磷硅玻璃较厚会降低减反射效果。磷硅玻璃中含有高浓度的磷杂质，会增加少子表面复合，使电池效率下降。沉积减反射膜的作用、目的：沉积减反射膜实际上就是对电池进行钝化。钝化可以去掉硅电池表面的悬空键和降低表面态，从而降低表面复合损失，提高太阳电池的光电转换效率。钝化作用能使硅电池表面具有很小的反射系数，减少光反射损失，提高太阳电池的光电转换效率。4.沉积减反射膜（PECVD）工序上电极以及正面的小栅线是银浆背电极是银铝浆背电场是铝浆背电极、上电极以及小栅线起到收集电子的作用。背电场的作用是可以提高电子的收集速度，从而提高电池的短路电流（JSC）和开路电压（VOC）进而提高电池的光电转换效率。

5.丝网印刷工序正电极烧结的目的、作用：燃尽浆料的有机组分，使浆料和硅片形成良好的欧姆接触，从而提高开路电压和短路电流并使其具有牢固的附着力与良好的可焊性。背面场经烧结后形成的铝硅合金，铝在硅中是作为P型掺杂，它可以减少金属与硅交接处的少子复合，从而提高开路电压和短路电流，改善对红外线的响应。上电极的银、氮化硅、二氧化硅以及硅经烧结后形成共晶，从而使电极与硅形成良好的欧姆接触，从而提高短路电流。6.烧结工序