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文档简介
太阳电池材料太阳能常数:太阳光在其到达地球的平均距离处的自由空间中的辐射强度。取值为1353W/m2。大气质量(AM):大气对地球表面接受太阳光的影响程度。AM0:即太阳常数,指在地球外空间接受太阳光的情况。AM1:指太阳光直接垂直照射到地球表面的情况。AM1.5:指典型晴天时太阳光照射到一般地面的情况,辐射总量为1kW/m2,常用于太阳电池和组件效率测试时的标准。本证半导体:在超高纯没有参入杂质的半导体材料中,电子和空穴的浓度相等,称为本证半导体。N型半导体:在超高纯半导体材料中掺入某种杂质元素,电子浓度大于空穴浓度。P型半导体:在超高纯半导体材料中掺入某种杂质元素,空穴浓度大于电子浓度。量子态:电子处于一系列特定的运动状态。能级:每个量子态中,电子的能量是一定的,称为能级。靠近原子核的能级,电子受的束缚强,能级就低;远离原子核的能级,受的束缚弱,能级就高。满带:填满了电子的能量低的能带。导带:半空或是全空,电子没有填满,能量最高的能带。价带:导带下面的那个满带,其电子有可能跃迁到导带。浅能级:在室温下电离,对半导体材料提供额外的载流子,这类杂质称为浅能级杂质。所引入的能级称为浅能级。深能级:杂质能级位于禁带中心附近,室温下基本不电离,成为少数载流子的复合中心,影响非平衡少数载流子的寿命,这类杂质称为深能级杂质。所引入的能级为深能级。施主能级:像磷原子一样能够向品体硅提供电子作为载流子的杂质,称为施主杂质,所引起的杂质能级称为施主能级,用Ed表示。受主能级:像硼原子一样能够向品体硅提供空穴作为载流子的杂质,称为受主杂质,所引起的杂质能级称为受主能级,用Ea表示。本征激发:随着温度的升高,电子从热振动的晶格中吸收能量,电子从低能态跃迁到高能态,如从价带跃迁到导带,形成自由的导带电子和价带空穴,称为本征激发。一般认为,本证半导体的费米能级位于禁带中央。电中性条件:无论掺入N型或P型掺杂剂,其杂质半导体必然是电中性的,即半导体中的正电荷数和负电荷数相等,称为电中性条件。直接复合:导带底的电子跃迁到价带与空位复合,称为直接复合。间接复合:导带底跃迁的电子,先跃迁到缺陷能级,再跃迁到价带与空位复合,称为间接复合。复合分三种形式:载流子复合时,发射光子,产生发光现象,称为辐射复合或发光复合。载流子复合时,发射声子,将能量传递给晶格,产生热能,称为非辐射复合。载流子复合时,将能量传递给其他载流子,增加它们的能量,称为俄歇复合。扩散法:是太阳电池制备工艺最常用的方法。内建电场:空间电荷区中存在正、负电荷区,形成了一个从n型半导体指向p型半导体的电场,又称自建电场。肖特基二极管:具有整流效应的金属和半导体接触,称为肖特基接触,以此基础制成的二极管称为肖特基二极管。没有整流效应的金属和半导体接触,称为欧姆接触。本证吸收:吸收的能量大于半导体材料的禁带宽度,就有可能使电子从价带跃迁到导带,从而产生电子-空穴对,这种吸收称为本征吸收。本征吸收限:光能等于禁带宽度时的波长和频率分别为X。和v。!也就是说只有当波长小于X。或者频率大于v。时本征吸收才能发生。直接带隙半导体:半导体材料的导带底的最小值和价带顶的最大值具有相同的波矢k,价带中的电子跃迁到导带时,动量不发生变化,称为直接跃迁,这种半导体称为直接带隙半导体。如神化镓。间接带隙半导体:半导体材料的导带底的最小值和价带顶的最大值具有不同的波矢k,价带中的电子跃迁到导带时,动量发生变化,除了吸收光子外,电子还要与晶格作用,发射或吸收声子,达到动量守恒,称为间接跃迁,这种半导体称为间接带隙半导体。如硅、锗。绒面结构:对于单品体硅而言,如果选择择优化学腐蚀剂,就可以在硅片表面形成金字塔结构,又称表面织构化。而对于铸造多晶硅硅片,利用非择优腐蚀的酸性腐蚀剂,在铸造多晶硅表面形成大小不等的球形结构。磷扩散的工艺:气态磷扩散、固态磷扩散和液态磷扩散。通常利用的液态磷源为三氯氧磷。在磷扩散时,由于硅片表面具有高浓度的磷,会形成磷硅玻璃。一般是将硅片浸入稀释的HF中,以去除磷硅玻璃。制备氮化硅薄膜:工业上和实验室一般使用等离子体增强化学气相沉积法。非晶硅太阳电池结构是pin结构。硅晶体:硅晶体是立方晶系,其晶胞含有的总原子数为8.硅材料的分类:按纯度分为金属硅和半导体(电子级)硅;按结品形态分为非晶硅、多晶硅和单晶硅。化学提纯多晶硅的各种路线的共同特点是:中间化合物容易提纯。在工业中应用的技术有:三氯氢硅氢还原法、硅烷热分解法和四氯化硅氢还原法。最重要的是前两种技术。区熔单晶硅:品体生长的主要技术关键是如何控制好熔区。针对这个困难,采用“针眼工艺”。直拉单晶硅的制备工艺:多晶硅的装料和熔化、种晶、缩颈、放肩、等颈和收尾。种晶完成后,籽品应快速向上提升,品体生长速度加快新结品的单晶硅直径比籽品小。在缩颈完成后,品体硅的生长速度大大放慢。当放肩达到预定晶体直径时,品体生长速度加快,并保持几乎固定的速度,使晶体保持固定的直径生长。断苞:品体硅外形有连续不断的扁平棱线,是无位错生长,反之有位错。固溶体:由两种或两种以上元素构成的固溶体,在高温溶化后,随着温度的降低将重新结品形成固溶体。在再结品的过程中,浓度小的元素在浓度高的元素品体及熔体中德浓度是不同的,称为分凝现象。固相中某杂质的浓度为Cs,液相中该杂质的浓度为Cl,两者的比值称为该杂质在此晶体中的平衡分凝系数。太阳电池单晶硅硅片加工工艺:切断(割断)、滚圆(切方块)、切片和化学腐蚀。在太阳电池用直拉单晶硅中,主要的杂质是氧、碳和金属杂质。主要的缺陷是位错。氧来源于晶体生长过程中石英坩蜗的污染。利用氧沉淀的性质,设计“内吸杂”工艺。直拉单晶硅:氧浓度表现为头部高尾部底;从单晶硅的中心部位到边缘是逐渐降低的。热施主:450摄氏度是最有效的热施主生成温度。一般需要进行650摄氏度热处理,以去除原生热施主,回复真实的电阻率。碳在硅中的分凝系数很小,一般认为是0.07.碳浓度的分布与氧相反,头部很低,品体尾部很高。碳为氧沉淀提供异质核心。金属原子在品体硅中的扩散一般以间隙和替位扩散两种方式进行。间隙扩散比替位扩散快。位错的类型:刃型位错(位错线的方向与晶体滑移的方向或者说外力的方向是垂直的)、螺型位错(位错线的方向与晶体滑移的方向或者说外力的方向是平行的)以及有它们组成的混合位错。铸造多晶硅的两种工艺:浇铸法和直接熔融定向凝固法(直熔法)。石英坩埚使得多晶硅中的氧浓度升高,所以工艺上一般利用Si3N4或SiO/SiN等材料作为涂层。铸造多晶硅中少量的位错和缺陷对热施主的形成没有重大影响。氢的作用:研究者发现氢可以和品体硅中的缺陷和杂质作用,钝化它们的电活性。吸杂:分为外吸杂和内吸杂。对于硅太阳电池,内吸杂技术是不合适的。对于铸造多晶硅而言,磷吸杂和铝吸杂是常用的吸杂技术。非晶硅的特点:呈现短程有序、长程无序的特点,是一种共价无规的网络原子结构。简答题1、 半导体材料的基本特征:①电阻率特性②导电特性③负的电阻率温度系数④整流特性⑤光电特性2、 P-n结的整流性:p-n结正向偏置时,多数载流子的扩散运动形成较大的正向电流;p-n结反向偏置时,少数载流子的漂移运动形成很小的反向电流。3、 太阳能光电池的基本原理:光照在p-n结上且光能大于p-n结的禁带宽度则在p-n结附近将产生电子-空穴对。由于内建电场的存在,产生的非平衡少数载流子向空间电荷区两端漂移,产生光生电势,破坏原平衡,接入外电路则会出现电流,称为光生伏特现象或光生伏特效应,即太阳能光电池的基本原理。4、 品体硅太阳电池的基本工艺:绒面制备、p-n结制备、铝背场制备、正面和背面金属接触以及减发射层沉积。5、 直拉单晶硅的制备工艺:多晶硅的装料和熔化、种晶、缩颈、放肩、等颈和收尾。6、 对于太阳电池用单晶硅,硅片的加工工艺:切断(割断)、滚圆(切方块)、切片和化学腐蚀。7、 铸造多晶硅的晶体生长工艺:①装料②加热③化料④品体生长⑤退火⑥冷却8、 吸除金属杂质的三个主要步骤及两种吸杂机理:步骤一是原金属沉淀的溶解;二是金属原子的扩散,扩散到吸杂位置;三是金属杂质在吸杂点的重新沉淀。吸杂机理一种是松弛机理,另一种是分凝机理。9、 辉光放电的基本原理:在置有板状的玻璃内冲入低压气体或蒸汽,在两板间电压较高时,稀薄气体中的残余正
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