实验程序-库函数版输出

14DS18B20温度差别较大，所以本章向大家介绍如何通过STM32来外部数字温线技术，通过它来实现STM32和外部温度传感器（DS18B20）的通信，并把从温度传感器得到的温度数据通过printf打印输出在串口助手上。本章分为以下学DS18B20DS18B20DS18B20DALLAS5．5V的电压范围，采用多种封装形式，从而使系统设计灵活、方便，设定分辨率及用户 在EEPROM中，掉电后依然保存。其内部结构如图所示：每个DS18B20的64位序列号均不相同。64位ROM的排列是：前8位是产品码，接着48位是DS18B20的序列号，最后8位是前面56位的循环冗余(CRC=X8+X5DS18B206号类型：复位脉冲、应答脉冲、写0、写101。所有这些信号，除了应答脉冲复位脉冲和应答脉冲若为低电平，再延时480us。写时序0160us21us1然后释放总线，延时2us。读时序独立的读时序之间至少需要1us的恢复时间。每个读时序都由主机发起，至少拉低总线1us15us2us12us，然后读50us在了解了单总线时序之后，我们来看看DS18B20的典型温度过程，DS18B20的典型温度过程为：复位→发SKIPROM命令（0XCC）→发开始转换命令（0X44）→延时→复位→发送SKIPROM命令（0XCC）→发读器命令（0XBE）→连续读出两个字DS18B20DS18B20PG11DS18B20IO*函数 : : :/void{GPIO_InitTypeDef}#definedq(GPIO_Pin_11//PG11#defineGPIO_ds18b20GPIOG#defineds18b20_dq_HGPIO_SetBits(GPIO_ds18b20,dq)#defineds18b20_dq_LGPIO_ResetBits(GPIO_ds18b20,dq)DS18B20主机首先发出一个480－960微秒的低电平脉冲，然后释放总线变为高电平，并在随480若无低电平出现一直都是高电平说明总线上无器件应答。DS18B20480－960微秒的低15－6060－240微函数 : :DS18B20初始化时 : :/void{}DS18B20操主机发出命令都是向DS18B20写0和写1组成令字节，接收数据160120101，则将601微秒给总线恢复。而DS18B20则在检测到总线被拉底后等待15微秒然后从15us到45us1，若采样期内总线为低电平则为0函数 : :DS18B20读数据时 : :/u8{u8{ delay_us(4);//延时4微妙delay_us(10);//延时10微妙 {}}}DS18B20操对于读数据操作时序也分为读0时序和读1时序两个过程。读周期是从主机把单总线拉低1微秒之后就得释放单总线为高电平，以让DS18B20把数据传输到单总线上。作为从机DS18B20在检测到总线被拉低1微秒后，便开始送出数据，若是要送出0就把1则释放总线为高电平。主机在一开始拉低总线1微秒后释放总线，然后在包括前面的拉低总线电平1微秒在内的15微秒时间内完0。采样期内总线为高电平则确认为1。完成一个读时序过程，至少需要60微秒才能完成。函数 : :DS18B20写数据时 : :{u8i=0;{ {}{}}}.6DS18B20寄存器简DS18B20内部结构主要由四部分组成64光刻ROM中的64位序列号是出厂前被光刻好的，它可以看作是该DS18B2064ROM的排列是：开始8位（28H）是产品48DS18B20DS18B20的序DS18B208位则是前56（CRC=X8+X5+X4+1）DS18B20的ROMDS18B20进行寻址，从而实现一根总线上挂接多个DS18B20的目的。非挥发的温度触发器TH和DS18B20的器由一个高速暂存RAM和一个非易失性、电可擦除RAMR0R1111210.06251.7DS18B201.8温度操1.温度操DS18B20经转换所得的温度值以二字节补码形式存放在高速暂存器的第0和第就可以了。一次D18B20温度的操作步骤如下：跳过ROM操作（ROM里面可以DS18B20的地址、型号，还有配置分辨率等，我们只使用一个DS18B20，所以不用地址型号，配置直接使用默认的12位分辨率就好了。）ROMDS18B20的温度值是以补码的形式的，所以读出来的温度值是实际温度112度值=-(值减1再取反)*0.0625函数 : : :double {u8a,b; //发送忽