认识艺可控硅

三、双向可控硅的结构和工作原理一、单向可控硅的结构和工作原理二、单向可控硅的正确判别四、双向可控硅的正确判别认识可控硅(一)、结构和符号：1、结构：四层半导体N1P2N2P1J1J2J3三个PN结三个电极阳极A：从P1引出阴极K：从N2引出控制极G：从P2引出2、符号：图形符号：KGAAKG文字符号：SCR，VT，KG等阳极阴极控制极P1N1N2P2一、单向可控硅的结构和工作原理(二)、工作原理1、演示实验：实验电路图如下：6V3VSCRAKGS（A）6V3VSCRAKGS（B）6V3VSCRAKGS（D）不亮不亮亮亮只在阳极和阴极间加正向电压，可控硅不导通在阳极和阴极间加反向电压，可控硅不导通在阳极A和阴极K间加反向电压，同时控制极加正向触发电压,可控硅导通可控硅导通后，除去触发电压，继续导通（C）6V3VSCRAKGS2、说明：可控硅为什么具有上述四个工作特点？这是由其内部结构决定的N1P2N2P1J1J2J3KGAP1N1P2N2P2N1GKA沿虚线剖开可看成由两个三极管组成ß1ß2IB1

ß1IB1IB1（b）（a）（c）3、小结①可控硅导通的条件：A、在阳极和阴极之间加正向电压B、同时在控制极加正触发电压二者缺一不可②使导通的可控硅关断的方法：A、减小阳极电流至一定值（维持电流）B、切断阳极电源③可控硅具有控制强电的作用(三)、单向可控硅的主要参数：主要参数定义额定正向平均电流维持电流控制极触发电压和电流正向阻断峰值电压反向阻断峰值电压在规定的环境温度和散热条件下，允许通过阳极和阴极之间的电流平均值在规定的环境温度和控制极断开的条件下，保持可控硅处于导通状态所需要的最小正向电流在规定的环境温度及一定的正向电压条件下，使可控硅到导通控制极所需要的最小电压和电流控制极断开加正向电压，可控硅截止的状态称正向阻断，此时加到可控硅上的最大正向电压控制极断开，可控硅加反向电压的状态，称为反向阻断，此时允许加到可控硅上的最大反向电压(四)、总结1、我们讲了三个问题：A、可控硅的结构与符号；B、可控硅的工作原理；C、可控硅的主要参数。2、思考题：A、单向可控硅有两种工作状态：导通和截止，二极管也有二种工作状态，导通和截止，那么单可控硅的工作状态和二极管的工作状态有什么不同？答案：可控硅的导通是可控的单向可控硅是一个四层三端元件，有三个PN结，其中控制极G和阴极K之间是一个PN结。先找到这个PN结，就可确定三个电极的位置。方法是将万用表置于R×100Ω档，将可控硅其中一端假定为控制极，与黑表笔相接。用红表笔分别接另外两个脚，若有一次出现正向导通，则假定的控制极是对的，而导通那次红表笔所接的脚是阴极K。则另一只脚是阳极A了。如果两次均不导通，则说明假定的控制极是错的，可重新设定一端为控制极，这样就可以很快判别晶闸管的三个电极。二、单向可控硅的判别1、三个电极的确定2、可控硅好坏的确定GGT1T1T2T2图3.1双向晶闸管的结构和符号NNNNPP(b)符号(a)结构三、双向可控硅的结构和工作原理

1.结构符号2.工作原理

从双向可控硅的符号可以看出其原理与单向可控硅的原理基本相同

通常情况下，双向晶闸管的触发方式有四种：

Ⅰ+、Ⅰ-、Ⅲ+、Ⅲ-。

Ⅰ+触发方式:T2为正，T1为负，G相对T1为正；

Ⅰ-触发方式:T2为正，T1为负，G相对T1为负；

Ⅲ+触发方式:T2为负，T1为正，G相对T1为正；

Ⅲ-触发方式:T2为负，T1为正，G相对T1为负。

四种触发方式所需要的触发电流是不一样的，Ⅰ+和Ⅲ-所需要的触发电流较小，而Ⅰ-和Ⅲ+所需要的触发电流较大；通常使用时，采用Ⅰ+和Ⅲ-触发方式。

1.用万用表电阻档测试双向晶闸管时，可先根据阻值关系判断出T2极。方法是用一只表笔接假设的T2极，另一只表笔分别接其它两个电极，若所测得的阻值均为无穷大，假设的电极即为T2极。2.判断出T2后，可进一步判断T1和G极。将黑表笔接T2，红表笔接假设的T1，电阻应为无穷大。用黑表笔把T2和假设的G短路，给G加正触发信号，管子应导通，阻值应变小；四、双向可控硅的正确判别四、双向可控硅的正确判别(续)3.将黑表笔与G极（假设的