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巨磁阻锰氧化物薄膜材料I10690116巨磁效应（GiantMagnetoresistance）巨磁阻效应是一种量子力学和凝聚态物理学现象，磁阻效应的一种，可以在磁性材料和非磁性材料相间的薄膜层（几个纳米厚）结构中观察到。这种结构物质的电阻值与铁磁性材料薄膜层的磁化方向有关，两层磁性材料磁化方向相反情况下的电阻值，明显大于磁化方向相同时的电阻值，电阻在很弱的外加磁场下具有很大的变化量。磁阻的定义：MR=Δρ/ρ=（ρ0

-ρH）/ρHx100%锰氧化物具有巨磁阻效应PLDPLD是一种利用激光对物体进行轰击，然后将轰击出来的物质沉淀在不同的衬底上，得到沉淀或者薄膜的一种手段。PLD一般可以分为以下四个阶段：1.激光辐射与靶的相互作用2.熔化物质的动态3.熔化物质在基片的沉积4.薄膜在基片表面的成核（nucleation）与生成巨磁阻锰氧化物薄膜的应用巨磁阻效应自从被发现以来就被用于开发研制用于硬磁盘的体积小而灵敏的数据读出头。到目前为止，巨磁阻技术已经成为全世界几乎所有电脑、数码相机、MP3播放器的标准技术。磁阻传感器：线性和角位置传感器、

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