混合ic测试技术-第一章集成电路概述

电子科技大学测试技术与仪器研究所

集成电路测试技术研究室戴志坚混合集成电路测试技术一、课程介绍上课地点：立人楼B404上课时间：星期二第5-6节；星期五第5-6节（1-10周）答疑地点：主楼C1-315办公室电话：61831311

一、课程介绍集成电路生产工艺，集成电路测试在集成电路产业链中的重要性混合集成电路测试技术最新发展的现状及挑战模拟、数字及混合集成电路的参数测试技术掌握ADC、DAC等混合信号集成电路的测试方法,基于DSP的混合IC测试方法掌握ATE的结构与工作原理DIB板的设计，测试程序的开发与调试测试数据分析与DFT设计课程编号：课程名称：混合集成电路测试技术MixedSignalICTestandMeasurement学时数：40学分：2开课时间：开课学院：自动化工程学院授课对象：硕士先修课程：信号与系统

数字信号处理

模拟电路与数字电路

电子测量原理教材与参考书：GordonRoberts,FriedrichTaenzler,MarkBurns.AnIntroductiontoMixed-SignalICTestandMeasurement.Oxford,2011IanA.Grout.IntegratedCircuitTestEngineering.Springer2006时万春.现代集成电路测试技术.化学工业出版社2006PeterVanZant(韩郑生译).芯片制造-半导体工艺制程实用教程.电子工业出版社，2015GordonRoberts(冯建华等译).混合信号集成电路测试与测量.电子工业出版社2009一、课程介绍二、课程安排课堂教学：40学时（1～10周）配套实验：20学时（11～15周）

教学计划总学时：60（课堂教学：40实验：20）教学第一章：混合集成电路测试概述第二章：DC参数测试第三章：DAC与ADC测试第四章：采样理论与基于DSP

的测试第五章：测试数据分析第六章：ATE系统与DIB设计第七章：测试程序设计实验测试程序开发环境下的测试程序设计数字集成电路测试模拟集成电路测试DAC测试ADC测试第一章混合集成电路测试概述1、集成电路测试概述2、集成电路制造工艺3、混合集成电路4、混合集成电路测试及其挑战集成电路测试行业发展现状IC行业飞速发展集成电路是信息产业的基础，占据全球半导体产品超过80%的销售额，被誉为“工业粮食”。对于未来社会的发展方向，包括5G、人工智能、物联网、自动驾驶等，集成电路都是必不可少的基础。2017年全球集成电路销售额为3431.86亿美元，同比增长24%。2016年，中国市场集成电路规模达到11985.9亿元，同比增长8.7%1、集成电路测试概述集成电路测试行业发展现状2.中国集成电路产业已形成较完善产业链2017年集成电路产业5411亿元，增长24.8%。设计2073亿元，增长26.1%；制造1448亿元，增长28.5%；封装测试1889.70亿元，同比增长20.80%。设计占比为38.38%，制造占比为27.19%，封测占比为34.44%

。3.政策大力重点扶持集成电路产业发展

国家集成电路产业投资基金首期募资1387.2亿元，地方集成电路产业投资基金规模已超5000亿元。集成电路测试行业发展现状4.全球半导体设备增长迅速

2016年全球半导体制造设备的总销售额为412.4亿美元，同比增长13%。根据SEMI预测，2017年全球半导体设备市场规模可达494.2亿美元，同比增长19.86%。5.中国半导体设备

2016年中国前十强半导体设备供应商完成销售收入48.34亿元，同比增长28.5%。预计2017年全年主要半导体设备制造商销售收入将增长33%左右，达到76.5亿元左右。

最大的中电科电子装备集团有限公司的销售收入仅为9.08亿元，远低于国际知名厂商，我国前十强企业占全球半导体设备的市场份额仅为2%左右。6.国内主要半导体设备厂商

北方华创：国内半导体制造设备龙头，刻蚀机、PVD、CVD、氧化炉

长川科技：国内集成电路测试设备领先者，测试机、分选机和探针台

晶盛机电：国内晶体硅生长设备龙头

至纯科技：国内高纯工艺系统领先企业集成电路测试行业发展现状2012~2016年我国大陆地区半导体专用设备销售规模由25.0亿美元增长至64.6亿美元，占全球市场比例由6.8%提升到了15.7%厂商产地销售额（万美元）爱德万日本15000泰瑞达美国10000其它2000德律台湾500致茂台湾200北京冠中大陆200北京华峰大陆50北京泰思特大陆100其它2002015年在测试设备行业美国泰瑞达(Teradyne)、日本爱德万(Advantest)、美国安捷伦(Agilent)、美国科利登(Xcerra)和美国科休(Cohu)占据了约80%以上的国内市场份额。国内外现状全球市场：2017年，泰瑞达≥20亿美元，爱德万≥15亿美元厂商产地销售额（万元）Accotest中国10000长川中国7000宏测中国2500宏邦中国1500国产其他3000Credence美国2000Eagle美国1000国外其他1000当前国产模拟测试仪发展迅速，2016年销售超过一千台，产值2.8亿元人民币，占据国内市场85%以上，都采用专用测试系统。国内外现状集成电路测试行业发展现状TeradyneUltraFlexAdvantestV93000主流产品集成电路测试行业发展现状ITC2017参展企业：30余家设计：Cadence、Mentor、SynopsysInc.ATE设备：Advantest、Teradyne、MARVIN(PXI-BASED)、GOPEL(JTAG)、Tektronix夹具、连接器服务集成电路测试行业发展现状ITC2017Exhibits-测试设备Advantest：ATETeradyne：ATEChromaATE：ElectronicTestandMeasurementSolutionsGOEPELElectronicsLLC：JTAG/BoundaryScanTestEquipmentMarvinTestSolutions：TS-900semiconductortestplatform，PXI-BasedRidgetopGroupInc：analogteststructuresandprocessverificationtoolsRoosInstruments：highlyautomatedtestsolutionsforwirelessdevicesAstronicsTestSystems：TestwithBurn-inforCPUsAehr：burn-inandtestequipment,forpackagedparts,baredie,andwafersMicroControlCompany：burn-inRoosInstruments：highlyautomatedtestsolutionsforwirelessdevicesTektronix：testequipmentExatron：serviceautomationproviderITC2017Exhibits-辅助设备Aries：interconnectproductsCohu：ContactorsolutionsEnplasTestSolutions：customsocketdesignINNOGLOBAL：TestSocketsIronwoodElectronics：Adapters、75GHzbandwidthsocketsforBGAandQFNPickering：SwitchingSolutionsITC2017Exhibits-服务Cadence：design-for-testsolutionsMentor：design-for-testsolutionsSynopsysInc.：DFTMAXUltra,DFTMAX,TetraMAXandTetraMAXIItechnologiesforpower-awarelogictestandphysicaldiagnosticsEvaluationEngineering：magazineExatron：serviceautomationprovider：EDAwebportalOptimal+：testmanagementsolutionssoftwarePDFSolutions,Inc.：yieldimprovementtechnologiesQualtera：big-dataanalyticsplatformsRidgetopGroupInc：analogteststructuresandprocessverificationtoolsSiliconAid：IJTAG/JTAGsoftwareproviderandDFTConsultingservicesSLPowerElectronics：powerconversionsolutionsSTArTechnologies：SemiconductorTestArchitectsandtotalsolutionTDK-LambdaAmericas：highcurrentandhighvoltageAC/DCpowersourcesTESEC：powersemiconductortestandautomationTSSI：design-to-testconversionandvalidationsoftwaresolutionsTTTC：solveengineeringproblemsinelectronictestVersatilePower：designingrobustpoweryieldWerxSemiconductor：atrueend-to-endtestdataintelligencesolutionITC2017Exhibits-服务集成电路测试专业人才培养集成电路设计与可测性设计（DFT)基础元器件工作原理与集成电路生产工艺测试原理与集成电路测试技术软件设计基础数据分析及故障分析能力测试应用研发人员专业知识要求：1、集成电路测试概述集成电路测试专业人才培养集成电路测试设备研发：测试机、探针台、…IC设计（DFT设计）晶圆厂、封测厂（测试应用开发、设备研制与维护）测试服务公司（设计、测试、筛选）职位：DFT设计、测试设计、测试设备、测试外包服务、验收及可靠性测试分析集成电路测试专业就业需求：集成电路（IntegratedCircuit）：采用一定的工艺，把一个电路中所需的晶体管(场效应管、二极管）、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起，制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上，然后封装在一个管壳内，成为具有所需电路功能的微型结构。集成电路发明者为杰克·基尔比（基于锗（Ge）的集成电路）和罗伯特·诺伊思（基于硅（Si）的集成电路）。1、集成电路测试概述集成电路发展历史1、集成电路测试概述集成电路发展历史1、集成电路测试概述集成电路产业链：

设计、制造、封装、测试（成品测试、用户测试）1、集成电路测试概述设计：设计验证制造：晶圆测试封装测试：成品测试使用：入库检验、器件筛选、维修测试集成电路测试的基本模型1、集成电路测试概述被测集成电路DUTF(x)输入x输出YY=F(x)验证:验证设计的正确性诊断:确认故障位置可靠性:

评估失效时间.检测、筛选:发现故障器件或不合格品集成电路测试原理1、集成电路测试概述被测电路CircuitunderTest(CUT)-101111-00-0-1-01--00-1011-0010011--11011001-01-11比较预存正确响应测试结果输入码型输出响应1、集成电路测试概述集成电路寿命过程中测试的作用1、集成电路测试概述集成电路测试设计验证测试设计错误、缺陷晶圆测试过滤不良晶片成品测试确认IC功能和性能（不良品、等级）用户测试入库检验、可靠性评估（器件筛选）、现场测试集成电路测试的重要性1、集成电路测试概述N：片内晶体管数量p：

晶体管失效比例Pf

：

芯片失效比例Pf=1-(1-p)N设p=10-6N=106

Pf=63.2%DefectsdetectedinCostWafer0.01–0.1Packagedchip0.1–1Board1–10System10–100Field100–1000IC测试代价迅速上升集成电路测试分类1、集成电路测试概述集成电路测试测试目的验证、生产、验收、使用测试内容功能、参数（DC、AC、IDDQ)、结构器件类型数字、模拟、混合、存储器、SOC集成电路发展对测试的挑战1、集成电路测试概述集成度和功能复杂度急剧增加

测试算法、程序开发、测试速率混合集成电路

综合测试能力、并行测试信号速率大幅提高

信号产生与采集速率、信号完整性、

多路同步、测试信号接入难度封装尺寸减小，结构复杂

测试信号接入FaultModeling1、集成电路测试概述ABCDEFGAs-a-1As-a-0Es-a-1Es-a-0Ds-a-1Ds-a-0Cs-a-1Cs-a-0Bs-a-1Bs-a-0Fs-a-1Fs-a-0Gs-a-1Gs-a-014faults1、集成电路测试概述Designfortestability(DFT)adhoctechniques（特别的）ScandesignBoundaryScan

Built-InSelfTest(BIST)Randomnumbergenerator(RNG)SignatureAnalyzer(SA)集成电路测试过程1、集成电路测试概述选择测试仪或测试系统（ATE)

最高信号速率/频率、同步定时精度、通道数量、

电平范围、软件开发难度等设计测试接口（DIB/LB)

针脚数量、信号特性、信号传输开发测试程序

开发平台、二次开发工具、兼容性测试数据分析

集成电路测试过程1、集成电路测试概述2、集成电路制造工艺导体：电阻率≤10-2Ω·m（铜：1.57◊10-4Ω·m）绝缘体：电阻率≥1012Ω·m半导体：

10-1Ω·m≤电阻率≤1012Ω·m（锗：0.46Ω·m）本征半导体：纯净的半导体晶体，如硅（14）、锗（32）杂质半导体：掺入杂质的半导体N型半导体：掺入施主杂质--五价元素（磷、砷、锑等）P型半导体：掺入受主杂质—三价元素（硼、铝、铟等）PN结：一边掺入受主杂质，另一边掺入施主杂质集成电路生产工艺PN节结构★PN结：+++++++++++++++---------------载流子的扩散运动建立内电场内电场对载流子的作用扩散运动和漂移运动达到动态平衡，交界面形成稳定的空间电荷区，即ＰＮ结P区N区二极管结构2、集成电路制造工艺双极结型晶体管（BJT)：两个PN结，PNP、NPN三极管结构2、集成电路制造工艺场效应管（FET)：工艺简单、易于集成、输入电阻高、内部噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强MOS管结构2、集成电路制造工艺晶体管制造：生长法、合金法、扩散法（平面型晶体管）扩散法：含施主型掺杂剂的蒸汽外延层高温氧化溶解刻窗含受主型掺杂剂的蒸汽扩散得到一个PN结氧化刻窗含施主型掺杂剂的蒸汽扩散得到另一个PN结氧化刻窗淀积金属装引线。2、集成电路制造工艺

集成电路生产流程晶体硅晶棒晶园抛光氧化光刻注入电镀切割测试封装测试2、集成电路制造工艺上光刻胶:光刻胶和照相的胶片一个道理。光刻（极紫光刻EVO）:将设计好的晶圆电路掩模，放置于光刻的紫外线下，下面再放置Wafer。在光刻的瞬间，在Wafer被光刻的部分的光刻胶融化，被刻上了电路图。离子注射:在真空的环境下经过离子注射，将光刻的晶圆电路里注入导电材料，生成相应的P、N类半导体。电镀（蒸铝）：在晶圆上电镀一层硫酸铜，铜离子会从正极走向负极，完成金属化连接。抛光：打磨抛光Wafer表面，整个Wafer就已经制造成功了。晶圆切片：将Wafer切成单个晶圆Die（单个管芯）。晶圆测试：通过针测的方式对每个晶粒进行电气特性检测。封装：将制造完成晶圆固定，绑定引脚，按照需求去制作成各种不同的封装形式，这就是同种芯片内核可以有不同的封装形式的原因。成品测试：将芯片进行测试、剔除不良品。IC生产流程2、集成电路制造工艺集成电路制造工艺分类1.双极型工艺（bipolar）2.MOS工艺3.BiMOS工艺双极型工艺

双极集成电路的基本制造工艺，可以粗略的分为两类：一类为在元器件间要做隔离区。隔离的方法有多种，如PN结隔离，全介质隔离及PN结-介质混合隔离等。另一类为器件间的自然隔离。典型PN结隔离工艺是实现集成电路制造的最原始工艺，迄今为止产生的各种双极型集成电路制造工艺都是在此工艺基础上改进而来的。双极型工艺典型PN结隔离工艺流程埋层光刻衬底准备氧化埋层扩散生长外延隔离光刻基区光刻基区扩散、再分布（氧化）隔离扩散、推进(氧化)发射区光刻发射区扩散、氧化引线孔光刻淀积金属光刻压焊点氧化合金化及后工序反刻金属淀积钝化层双极型工艺工艺流程P-Sub衬底准备（P型）光刻n+埋层区氧化n+埋层区注入清洁表面双极型工艺P-Sub工艺流程（续1）生长n-外延隔离氧化光刻p+隔离区p+隔离注入p+隔离推进N+N+N-N-双极型工艺工艺流程（续2）光刻硼扩散区P-SubN+N+N-N-P+P+P+硼扩散氧化双极型工艺

工艺流程（续3）光刻磷扩散区磷扩散氧化P-SubN+N+N-N-P+P+P+PP双极型工艺

工艺流程（续4）光刻引线孔清洁表面P-SubN+N+N-N-P+P+P+PP双极型工艺

工艺流程（续5）蒸镀金属反刻金属P-SubN+N+N-N-P+P+P+PP双极型工艺

工艺流程（续6）钝化P-SubN+N+N-N-P+P+P+PP光刻钝化窗口后工序MOS工艺N阱硅栅CMOS工艺主要流程场区光刻衬底准备生长SiO2和Si3N4N阱光刻、注入、推进生长SiO2和Si3N4N管场区光刻、注入阈值电压调整区光刻、注入清洁有源区表面、长栅氧场区氧化(局部氧化)多晶淀积、参杂、光刻N管LDD光刻、注入P+有源区光刻、注入P管LDD光刻、注入N+有源区光刻、注入BPSG淀积接触孔光刻N+接触孔光刻、注入淀积金属1、反刻淀积绝缘介质通孔孔光刻淀积金属2、反刻淀积钝化层、光刻侧墙氧化物淀积、侧墙腐蚀MOS工艺N阱硅栅CMOS工艺主要流程1.衬底准备P+/P外延片P型单晶片MOS工艺P-SubN阱硅栅CMOS工艺主要流程

2.氧化、光刻N-阱(nwell)MOS工艺N阱硅栅CMOS工艺主要流程

3.N-阱注入，N-阱推进,退火，清洁表面N阱P-SubMOS工艺N阱硅栅CMOS工艺主要流程

4.长薄氧、长氮化硅、光刻场区(active反版)P-SubN阱MOS工艺N阱硅栅CMOS工艺主要流程

5.场区氧化（LOCOS）,清洁表面

(场区氧化前可做N管场区注入和P管场区注入）P-SubMOS工艺N阱硅栅CMOS工艺主要流程

6.栅氧化,淀积多晶硅，反刻多晶（polysilicon—poly)P-SubMOS工艺P-SubP-SubP-SubN阱硅栅CMOS工艺主要流程

7.P+active注入（Pplus）（

硅栅自对准）MOS工艺N阱硅栅CMOS工艺主要流程

8.

N+active注入（Nplus—Pplus反版）

（

硅栅自对准）P-SubP-SubP-SubMOS工艺P-SubP-SubN阱硅栅CMOS工艺主要流程

9.淀积BPSG，光刻接触孔(contact)，回流MOS工艺P-SubN阱硅栅CMOS工艺主要流程

10.蒸镀金属1，反刻金属1（metal1)MOS工艺P-SubP-SubN阱硅栅CMOS工艺主要流程

11.绝缘介质淀积，平整化，光刻通孔(via)MOS工艺P-SubN阱硅栅CMOS工艺主要流程

12.蒸镀金属2，反刻金属2（metal2)MOS工艺P-SubN阱硅栅CMOS工艺主要流程

13.钝化层淀积，平整化，光刻钝化窗孔(pad)BiCMOS工艺

双极工艺器件的特点是速度高、驱动能力强，但功耗大、集成度低；而CMOS工艺制造的器件功耗小、集成度高，但速度低、驱动能力差。在既要求高集成度又要求高速的领域中可以采用二者的结合（即BiCMOS工艺），发挥各自的优点。BiCMOS工艺

双极型工艺与MOS工艺相结合，双极型器件与MOS型器件共存，适合数/模电路。1.以双极型工艺为基础的Bi-MOS工艺2.以CMOS工艺为基础的Bi-MOS工艺BiCMOS工艺

BECNMOSPMOS

N+N+N+N+P+P+

P阱P阱

N--SUB纵向NPN以P阱CMOS工艺为基础的Bi-CMOS器件剖面

BECPMOSNMOS

P--SUB纵向NPN

PN阱

N+N+P+P+N+N+N阱以N阱CMOS工艺为基础的Bi-CMOS器件剖面NPN的集电极接衬底

集成电路封装工艺Customer客户ICDesignIC设计WaferFab晶圆制造WaferProbe晶圆测试Assembly&TestIC封装测试SMTIC组装IC封装形式Package--封装体：指芯片（Die）和不同类型的框架（L/F）和塑封料（EMC）形成的不同外形的封装体。ICPackage种类很多，可以按以下标准分类：按封装材料划分为：金属封装、陶瓷封装、塑料封装按照和PCB板连接方式分为：PTH封装和SMT封装按照封装外型可分为：SOT、SOIC、TSSOP、QFN、QFP、BGA、CSP等；IC封装形式

按封装材料划分为：

金属封装陶瓷封装塑料封装金属封装主要用于军工或航天技术，无商业化产品；陶瓷封装优于金属封装，也用于军事产品，占少量商业化市场；塑料封装用于消费电子，因为其成本低，工艺简单，可靠性高而占有绝大部分的市场份额；IC封装形式按与PCB板的连接方式划分为：

PTHPTH-PinThroughHole,通孔式；SMT-SurfaceMountTechnology，表面贴装式。目前市面上大部分IC均采为SMT式的SMTIC封装形式按封装外型可分为：SOT、QFN

、SOIC、TSSOP、QFP、BGA、CSP等；决定封装形式的两个关键因素:封装效率。芯片面积/封装面积，尽量接近1:1；引脚数。引脚数越多，越高级，但是工艺难度也相应增加；其中，CSP由于采用了FlipChip技术和裸片封装，达到了

芯片面积/封装面积=1:1，为目前最高级的技术；IC封装形式

QFN—QuadFlatNo-leadPackage四方无引脚扁平封装SOIC—SmallOutlineIC小外形IC封装TSSOP—ThinSmallShrinkOutlinePackage薄小外形封装QFP—QuadFlatPackage四方引脚扁平式封装BGA—BallGridArrayPackage球栅阵列式封装CSP—ChipScalePackage芯片尺寸级封装IC封装结构图TOPVIEWSIDEVIEWLeadFrame

引线框架GoldWire

金线DiePad

芯片焊盘Epoxy

银浆MoldCompound环氧树脂封装原材料【Wafer】晶圆封装原材料【LeadFrame】引线框架提供电路连接和Die的固定作用；主要材料为铜，会在上面进行镀银、

NiPdAu等材料；L/F的制程有Etch和Stamp两种；易氧化，存放于氮气柜中，湿度小于40%RH;除了BGA和CSP外，其他Package都会采用LeadFrame，

BGA采用的是Substrate；封装原材料【GoldWire】焊接金线实现芯片和外部引线框架的电性和物

理连接；金线采用的是99.99%的高纯度金；同时，出于成本考虑，目前有采用铜

线和铝线工艺的。优点是成本降低，

同时工艺难度加大，良率降低；线径决定可传导的电流；0.8mil，

1.0mil，1.3mils，1.5mils和2.0mils；封装原材料【MoldCompound】塑封料/环氧树脂主要成分为：环氧树脂及各种添加剂（固化剂，改性剂，脱

模剂，染色剂，阻燃剂等）；主要功能为：在熔融状态下将Die和LeadFrame包裹起来，

提供物理和电气保护，防止外界干扰；存放条件：零下5°保存，常温下需回温24小时；

集成电路封装工艺成分为环氧树脂填充金属粉末（Ag）；有三个作用：将Die固定在DiePad上；

散热作用，导电作用；-50°以下存放，使用之前回温24小时；【Epoxy】银浆3.1.1数字信号电路数字信号电路是用数字信号完成对数字量进行算术运算和逻辑运算的电路，由于它具有逻辑运算和逻辑处理功能，所以又称数字逻辑电路。数字电路由半导体工艺制成的若干数字集成器件构造而成。逻辑门是数字逻辑电路的基本单元。存储器是用来存储二值数据的数字电路3、混合集成电路数字信号电路CMOS反相器数字信号电路CMOS与非门数字信号电路CMOS或非门3.1.2模拟信号电路模拟信号电路指用来对模拟信号进行传输、变换、处理、放大、测量和显示等工作的电路。模拟信号是指连续变化的电信号，如声音信号、心电信号等3、混合集成电路模拟信号电路模拟电路是电子电路的基础，它主要包括放大电路、信号运算和处理电路、振荡电路、调制和解调电路及电源等。基本运放电路反相比例运算电路同相比例运算电路模拟信号电路基本运放电路同相求和运算电路反相求和运算电路模拟信号电路基本运放电路积分运算电路二阶高通滤波电路混合集成电路定义为包括数字和模拟块的电路。比较器、反相器可以看做最简单的混合集成电路

一些混合信号的专家可能认为比较器和反相器根本就不是混合集成电路。但是从混合信号测试和测量的观点来看，混合信号、模拟和数字电路之间的界限清晰与否并没有什么影响。3、混合集成电路3.1.3混合集成电路模拟与混合集成电路常见类型2021-1-14模拟电路包括运算放大器、有源（或无源）滤波器、电压调节器、模拟混频器、模拟开关，以及其他诸如霍尔效应晶体管之类的特殊功能的电路。混合集成电路DAC或ADC比较器（1bitADC）锁相环（PLL）--包含数字分频可编程增益放大器（PGA）混合集成电路应用混合集成电路通常由放大器、滤波器、开关、ADC、DAC、以及其它类型的模拟和数字部件。终端应用包括：移动电话、硬盘驱动器、调制解调器、电机控制器、多媒体音频和视频产品等。混合集成电路应用Voicebandinterface（音频接口）：ADC(voicetodigital)、PGA(adjustvoicesignal)、DAC(digitaltovoice)。Frequencysynthesizer(频率合成器)：由多个PLL组成RFsection:混频器(mixers)、低噪声放大器、功放DSP：采用声音编码的数学处理算法进行压缩处理，将离散的声音波形采样值转化成可反应说话者语音基本特征的采样值3.2为何要进行混合集成电路测试IC工艺中的光刻技术同样也有污染和缺陷问题混合信号IC对光刻和掺杂过程的微小缺陷更为敏感测试能提高的产品质量，提升产品价值集成电路生产采用一系列的光刻印刷、蚀刻、掺杂等步骤3.2为何要进行混合集成电路测试用FIB拍照得到的金属线条照片金属连线这类型的缺陷可以很容易从照片上看出来。对于混合信号电路，金属连线之间以及金属连线与周围结构的寄生电容可能构成一个重要的电路元件。金属线三维形状以及其与邻近层之间的空间位置都可能影响被测电路的性能。随着电路几何尺寸的缩小，这种形状上的差异对电路性能影响将会更为严重。3