集成电路开发与测试职业技能等级证书理论试题附答案

集成电路开发与测试职业技能等级证书理论试题及答案2.进入洁净车间前需要进行防静电点检，其目的是（）。A.检测进入车间人员的体重与身体状况B.指纹检测C.检测人体带有的静电是否超出进入车间的标准(正确答案)D.防止灰尘或静电的产生1.在进入洁净车间前，需要戴口罩和发罩，下列对于口罩和发罩描述正确的是（）。A.需要定期清洗B.不得重复使用(正确答案)C.一周必须更换一次D.每天下班时放入消毒柜，下次对应取用4.图中所示的是防静电检测仪的检测区，红框所圈部分是在（）。A.静电检测(正确答案)B.启动检测仪器C.指纹识别D.录制语音信息3.如果防静电点检时设备显示未通过，需要进行的操作是（）。A.重新启动检测仪器，再次检测B.请其他员工进行检测，门开启后一同进入C.找管理部门手动开门D.检查着装并消除静电，重新检测(正确答案)5.风淋的作用是（）。A.清除进入车间的人或物体表面的灰尘(正确答案)B.检测进入车间人员的体重与身体状况C.降低人体衣物表面的温度D.使衣物保持洁净、平整7.正常工作的风淋室内无人时，外部的（）指示灯亮起。A.红色B.黄色C.绿色(正确答案)D.蓝色6.风淋室运行时，风淋喷嘴可以喷出（）的洁净强风。A.高温烘烤B.车间内部C.低温处理D.高效过滤(正确答案)8.“6S”管理方式是在“5S”的基础上增加的，其中增加的一项内容是（）。A.整理B.整顿C.清洁D.安全(正确答案)10.下列不属于“5S”管理要求的是（）。A.培训(正确答案)B.清洁C.素养D.整顿9.清洁车间内的墙面时要求使用（）进行清洁。A.麻布B.不掉屑餐巾纸C.无尘布(正确答案)D.棉11.（）就是彻底的将要与不要的东西区分清楚，并将不要的东西加以处理，是改善生产现场的第一步。A.安全B.素养C.整理(正确答案)D.整顿13.芯片处于裸露状态的工艺车间，着装要求（）。A.防静电服、防静电帽、防静电鞋B.防静电服、防静电帽、防静电鞋、胸牌C.无尘衣、发罩、口罩、手套.D.无尘衣、发罩、口罩、手套、无尘鞋、胸牌(正确答案)12.清洁的目的（）。A.将前面的3S实施的做法制度化、规范化B.制度化C.定期检查D.维持前面3S的成果(正确答案)14.人员方面，需要穿戴指定的无尘衣或防静电服，并且进行（），合格的人员才能进入风淋室或车间。A.风淋B.除尘清扫C.防静电点检(正确答案)D.清洁16.洁净度是美立方英尺空气中所含的直径大于（）微米的颗粒数来衡量。A.0.3B.0.4C.0.5(正确答案)D.0.615.操作员在进入芯片非裸露状态车间与芯片裸露状态的车间两种不同车间时，芯片裸露状态的车间多了一个（）步骤。A.着装B.风淋(正确答案)C.除尘清扫D.防静电点检17.哪些人员可以进入净化间（）。A.穿按规定穿戴好洁净服者(正确答案)B.带有手机、钥匙等物品者C.涂覆胭脂粉底或未按规定洗去化妆品、指甲油者D.含有严重型伤风、感冒、咳嗽多者19.单晶硅生长包括引晶、缩颈、等径生长、收尾等几个环节，下图所示的是（）的示意图。A.缩颈B.引晶C.放肩(正确答案)D.等径生长18.下面所示标识表示（）。A.勤洗手B.必须带防护手套(正确答案)C.四肢发达D.购买橡胶手套20.8英寸的晶圆直径大小为：（）。A.125mmB.150mmC.200mm(正确答案)D.300mm22.半导体材料的电阻率介于导体和绝缘体之间，为（）Ω·cm。A.10-3-1010(正确答案)B.10-5-109C.10-3-109D.10-5-101021.单晶硅锭切片后需要进行倒角，其目的是（）。A.确定定位面B.产生精确的材料直径C.去除硅锭两端的不符合直径要求的部分D.去除硅片边缘锋利的棱角(正确答案)23.用直拉法制备单晶硅时，整个直拉过程的顺序是（）。A.④①⑤②⑥③(正确答案)B.④①②⑥⑤③C.④⑤①⑥②③D.④⑤①⑥③②25.硅片倒角时，国际上通用的倒角规格θ有两种，分别是（）°和（）°。A.20、40(正确答案)B.30、40C.40、60D.30、6024.在单晶硅生长过程中，需要提供过冷温度，这是为了（）。A.将排列好的原子稳定下来(正确答案)B.提供一个排列标准C.方便原子重新排列D.使固状的多晶硅加热变成熔体26.以下属于半导体膜的是（）。A.砷化镓(正确答案)B.PSGC.氧化铝D.氮化硅28.在高温下洁净的硅片表面和氧化剂发生反应生成二氧化硅薄膜的方法是（）。A.热氧化(正确答案)B.化学气相沉积C.物理气相沉积D.外延27.以下属于金属膜的是（）。A.多晶硅B.铝膜(正确答案)C.单晶硅D.氧化铝29.低压化学气相淀积的英文缩写是（）。A.APCVDB.PECVDC.LPCVD(正确答案)D.HDPCVD31.APCVD、LPCVD、PECVD、HDPCVD分别是（）的简称。A.常压化学气相淀积、低压化学气相淀积、等离子体增强型化学气相淀积、高密度等离子体化学气相淀积(正确答案)B.常压化学气相淀积、低压化学气相淀积、高密度等离子体化学气相淀积、等离子体增强型化学气相淀积C.低压化学气相淀积、常压化学气相淀积、等离子体增强型化学气相淀积、高密度等离子体化学气相淀积D.常压化学气相淀积、等离子体增强型化学气相淀积、低压化学气相淀积、高密度等离子体化学气相淀积30.化学气相沉积的基本步骤包括以下五步，其顺序正确的是（）。

①反应物由主气流扩散到衬底表面

②参加反应的气体与混合物被运送到沉积区

③反应物分子吸附在衬底表面上

④反应副产物分子从衬底表面解吸，扩散到主气流中，排出沉积区

⑤吸附物分子间或吸附分子与气体分子间发生反应，最终形成薄膜A.②①③⑤④(正确答案)B.②①⑤④③C.②①⑤③④D.②①③④⑤32.在集成电路中，将掩膜版上的图形位置及几何尺寸转移到光刻胶上的工艺是（）。A.薄膜制备B.光刻(正确答案)C.刻蚀D.金属化34.目前，（）一直是形成光刻图形常用的能量源。A.黄光B.白光C.紫外光(正确答案)D.蓝光33.请选择光刻的正确操作步骤（）。A.预处理→涂胶→对准和曝光→软烘→曝光后烘焙→显影→坚膜烘焙→显影检查B.预处理→涂胶→坚膜烘焙→对准和曝光→曝光后烘焙→显影→软烘→显影检查C.预处理→涂胶→软烘→对准和曝光→曝光后烘焙→显影→坚膜烘焙→显影检查(正确答案)D.预处理→涂胶→对准和曝光→软烘→曝光后烘焙→坚膜烘焙→显影→显影检查35.目前掩膜版最常用的涂覆材料是（）。A.二氧化硅B.硅C.铬(正确答案)D.金37.在涂胶过程中，要想得到较厚的光刻胶，在选择光刻胶和设置转速时需要注意（）。A.选择较高的黏度和较低的转速(正确答案)B.选择较低的黏度和较低的转速C.选择较高的黏度和较高的转速D.选择较低的黏度和较高的转速36.光刻的流程正确的是（）。A.①⑥④③⑤②⑧⑦(正确答案)B.①⑥④③⑧⑤②⑦C.①⑥④②③⑤⑧⑦D.①⑥⑤②④③⑧⑦A39.湿法刻蚀中，（）的腐蚀液是以氢氟酸为基础的水溶液。A.硅B.铝C.二氧化硅(正确答案)D.砷化镓38.（）可以利用化学或物理方法有选择地从硅片表面去除不需要的材料，从而把光刻胶上的图形转移到薄膜上的过程。A.刻蚀(正确答案)B.显影C.去胶D.坚膜40.常用的干法去胶方法有（）。A.溶剂去胶B.氧化剂去胶C.等离子去胶(正确答案)D.介质去胶42.（）的目的是把注入的杂质原子电离成离子，形成注入离子束，并输出具有一定动能的正离子束。A.离子源(正确答案)B.分析磁体C.加速聚焦器D.靶室41.（）是指按照一定的方式将杂质掺入到半导体等材料中，改变材料电学性质，达到形成半导体器件的目的。A.光刻B.掺杂(正确答案)C.刻蚀D.金属化43.一般情况下，制造晶圆的原材料是（）。A.硼B.锗C.硅(正确答案)D.硒45.在一个花篮中有片号10/15/20/25的晶圆，在进行导片时，片号为15的晶圆需放在花篮编号为（）的沟槽内。A.10B.15(正确答案)C.20D.2544.6英寸晶圆的直径为（）mm。A.125B.150(正确答案)C.200D.30046.利用全自动探针台进行扎针测试时，完成晶圆导片操作后，下一步需要进行（）操作。A.扎针调试B.上片(正确答案)C.外检D.扎针测试48.（）可以实现探针测试卡的探针和晶圆的每个晶粒上的测试模块之间一一对应。A.测试机B.探针台(正确答案)C.塑封机D.引线键合机47.以全自动探针台为例，在上片时，将花篮放在承重台上后，下一步操作是（）。A.前后移动花篮，确保花篮固定在承重台上(正确答案)B.按下降的按钮，承重台和花篮开始下降C.花篮下降到指定位置，下降指示灯灭D.合上承重台上的盖子49.晶圆检测的过程中，在进行晶圆打点工序前，需要进行的工序是（）。A.外检B.扎针调试C.烘烤D.扎针测试(正确答案)50.晶圆检测工艺中进行晶圆打点时，合格的墨点必须控制在管芯面积的（）大小。A.1/4-1/3(正确答案)B.1/3-1/2C.1/4-1/2D.1/5-1/352.下面四张图中，（）不是花篮。A.图1B.图2C.图3(正确答案)D.图451.晶圆检测工艺中进行晶圆打点时，墨点打点的位置是在（）的中央。A.PAD点B.晶粒(正确答案)C.晶圆D.切割通道53.晶圆检测的第一步是导片，导片是将氮气柜中的晶圆依次按晶圆片号依次排列在花篮中，请从下面几幅图中选出此时用到的花篮？（）A.图1B.图2(正确答案)C.图3D.图455.将完成导片的晶圆放到探针台相应位置等待进行晶圆检测，这一过程就是上片，也是装片。工业级晶圆检测通常用到全自动探针台，使用全自动探针台进行上片的正确操作为（）。A.打开盖子→花篮放置→花篮下降→花篮到位→花篮固定→合上盖子B.打开盖子→花篮放置→花篮到位→花篮下降→花篮固定→合上盖子C.打开盖子→花篮放置→花篮下降→花篮固定→花篮到位→合上盖子D.打开盖子→花篮放置→花篮固定→花篮下降→花篮到位→合上盖子(正确答案)54.装片和上片是晶圆检测中的基本操作。在晶圆检测前，需要从氮气柜中取出装有晶圆的花篮转移到空花篮中，该动作成为导片。请选择导片的正确步骤（）。A.取出晶圆和随件单→核对晶圆印章批号→核对晶圆片号→核对晶圆数量B.取出晶圆和随件单→核对晶圆数量→核对晶圆印章批号→核对晶圆片号(正确答案)C.取出晶圆和随件单→核对晶圆印章批号→核对晶圆数量→核对晶圆片号D.取出晶圆和随件单→核对晶圆片号→核对晶圆印章批号→核对晶圆数量56.下列关于日常保养描述错误的是（）。A.对设备要定期清洗B.如果保养方法正确，保养时间可以缩短一半(正确答案)C.要保持良好的工作时效和工作条件D.定期进行绝缘性能检测58.晶圆贴膜过程中，需要外加一个（），它起到支撑的作用。A.晶圆基底圆片B.晶圆贴片环(正确答案)C.蓝膜支撑架D.固定挂钩57.芯片封装工艺中，下列选项中的工序均属于前段工艺的是（）。A.晶圆切割、引线键合、塑封、激光打字B.晶圆贴膜、芯片粘接、激光打字、去飞边C.晶圆贴膜、晶圆切割、芯片粘接、引线键合(正确答案)D.晶圆切割、芯片粘接、塑封、去飞边59.下列不属于晶圆贴膜的作用的是（）。A.防止晶圆在划片时发生移动B.保证晶粒不会散落C.支撑划片后的晶圆保持原来形状(正确答案)D.防止电路被磨损60.在进行减薄机的电气系统保养时，下列说法错误的是（）。A.润滑之前应该彻底的清洁内接头B.在更换油或油脂时，应该确保所用的油脂是厂商指定或推荐使用的C.处理清洁原料和溶剂、黏结剂、润滑剂时，需要将其扔入车间的垃圾桶内(正确答案)D.要仔细阅读操作说明书上的保养注意事项62.若需要点出直径为2mm左右的胶点，则应选择内径为（）的圆孔型点胶头。A.0.5mmB.1.0mm(正确答案)C.1.5mmD.2.0mm61.封装工艺中，晶圆划片的作用是（）。A.对晶圆边缘进行修正B.将完整的晶圆分割成单独的晶粒(正确答案)C.在完整的晶圆上划出切割道的痕迹，方便后续晶粒的分离D.切除电气性能不良的晶粒63.如下4幅图所示，其中不属于半导体引线框架的是（）。A.图1B.图2C.图3D.图4(正确答案)65.封装工艺中，引线键合的前一道工序是（）。A.第二道光检B.晶圆切割C.芯片粘接(正确答案)D.晶圆清洗64.如下所示的4幅图中，（）是引线框架盒。A.图1B.图2C.图3D.图4(正确答案)67.封装工艺中，以下7幅图为引线键合步骤示意图，其正确的排序为（）。A.图3→图6→图1→图2→图7→图4→图5(正确答案)B.图5→图4→图6→图1→图2→图7→图3C.图6→图3→图5→图1→图2→图7→图4D.图6→图3→图1→图5→图4→图2→图766.引线键合最常使用的原材料是（）。A.金线(正确答案)B.银线C.铜线D.铝线68.封装工艺中，在引线键合阶段的植球是将球和焊盘金属形成冶金结合，此时形成的焊点为（）。A.第一焊点(第一键合点)(正确答案)B.第二焊点(第二键合点)C.第三焊点(第三键合点)D.芯极焊点(芯极键合点)70.如下图所示，是（）工序的步骤图解。A.去飞边B.芯片粘接C.激光打字D.塑封(正确答案)69.封装工艺中，塑封一般采用（）为塑封料。A.热塑性塑料B.热固性塑料(正确答案)C.人工催化塑料D.芳烃类塑料71.芯片封装按材料一般分为塑料封装、（）和陶瓷封装等。A.金属封装(正确答案)B.橡胶封装C.泡沫封装D.DIP封装72.塑封料的预热温度一般为（）。A.25-45℃B.50-60℃C.70℃D.90-95℃(正确答案)74.激光打字是利用激光，在塑封之后的塑封体表面打上去不掉的、字迹清楚的标识，下列不属于打标内容的是（）。A.产品名称B.使用说明(正确答案)C.生产日期D.产品商标73.以下4张图中，（）是完成塑封之后的产品效果。A.图1B.图2C.图3D.图4(正确答案)75.下列选项中不属于激光打标的优点的是（）。A.精度高B.字迹清晰C.塑封体上易反复进行(正确答案)D.不易擦除77.窄间距小外形封装的英文简称为（）。A.SIPB.SOPC.SSOP(正确答案)D.QFP76.下列选项中，（）是封装工艺中不涉及的工序。A.第一道光检(正确答案)B.第二道光检C.第三道光检D.第四道光检78.以下选项中切筋与成型步骤模具运动顺序正确的是（）。A.模具下压→成型冲头下压→切模→框架进料→管脚成型B.框架进料→成型冲头下压→切模→模具下压→管脚成型C.模具下压→框架进料→切模→成型冲头下压→管脚成型D.框架进料→模具下压→切模→成型冲头下压→管脚成型(正确答案)80.图中所展示的是（）切筋成型的过程。A.DIPB.SOPC.SOJ(正确答案)D.QFP79.切筋模具工作时，分为切筋和成型两步，下图中（）是切筋之后的形态。A.图1(正确答案)B.图2C.图3D.图481.一般来说，（）封装形式的芯片会采用平移式分选机进行测试。A.LGA/TOB.LGA/SOPC.DIP/SOPD.QFP/QFN(正确答案)83.下面4张图中，图4的封装形式是（）。A.TOB.SOPC.QFP(正确答案)D.QFN82.（）即方形扁平无引脚封装，表面贴装型封装之一。现在多称为LCC。封装四侧配置有电极触点。A.QFN(正确答案)B.QFPC.LGAD.DIP84.平移式分选机进行芯片测试时，其上料步骤正确的是：（）。A.待测芯片上料→吸嘴转移芯片→空料盘替换(正确答案)B.吸嘴转移芯片→待测芯片上料→空料盘替换C.空料盘替换→待测芯片上料→吸嘴转移芯片D.吸嘴转移芯片→空料盘替换→待测芯片上料86.通过吸嘴和出料梭的协同作用，将完成测试的芯片转移至分选区对应的料盘中。上述描述是哪种分选机？（）A.重力式分选机B.平移式分选机(正确答案)C.转塔式分选机D.自动检测分选机85.一般情况下，平移式分选机设备对芯片进行上料时，（）进行芯片转移。A.需要用料管B.需要用料盘(正确答案)C.需要用编带D.不需要用标准容器87.使用重力式分选机进行芯片检测时，上料的第一步是（）。A.设置参数B.吸取芯片C.装料(正确答案)D.上料夹具夹持88.将上料槽最底端的待测料管推出，夹起料管，芯片根据自身重力沿送料轨下滑。上述所描述的是哪种分选机（）。A.重力式分选机(正确答案)B.平移式分选机C.转塔式分选机D.自动检测分选机90.重力式分选机进行自动上料时，进入上料架，上料夹具准备夹取的料管中的芯片位置（）要求：（）。A.有；芯片印章在上面(正确答案)B.有；芯片印章在下面C.无；需要等待料管筛选D.无；进入上料的芯片位置没有要求89.重力式分选机设备进行芯片检测时，当检测到传送带上的料管放置不符合要求时，下一步对料管的操作是（）。A.拔出塞钉B.进入空管槽C.进入上料槽D.放回上料区(正确答案)91.重力式分选机在进行自动上料时会对芯片进行激光检测，其目的是（）。A.检测芯片印章是否完好B.检测芯片引脚是否断裂C.检测芯片放置是否正确(正确答案)D.检测芯片的性能93.SOP封装的芯片在入库时为减少存储空间，一般采用（）形式进行包装。A.散装B.编带(正确答案)C.料管D.料盘92.重力式分选机进行自动上料时，进入上料架，上料夹具准备夹取的料管中的芯片位置要求是（）。A、芯片印章在上面(正确答案)B、芯片印章在下面C、需要等待料管筛选D、进入上料的芯片位置没有要求94.编带机进行编带时，需要设置空载带的预留长度，载带的预留长度一般是（）。A.10-30cmB.30-50cmC.50-70cm(正确答案)D.70-90cm96.进行料盘真空入库时，有时会将湿度卡和料盘一起放进防静电铝箔袋中，这里湿度卡的作用是（）。A.除去密闭空间中的水分B.可以防止静电C.起到防水作用D.显示密封空间内的湿度情况(正确答案)95.下图为编带机的设备外观，红色方框区域是编带机的（）。A.光检区B.光检显示区(正确答案)C.编带计数区D.机械贴膜区98.使用转塔式分选设备进行芯片测试时，上料步骤正确的是（）。A.待测芯片上料→芯片筛选→芯片吸取(正确答案)B.芯片筛选→待测芯片上料→芯片吸取C.待测芯片上料→芯片吸取→芯片筛选D.芯片筛选→芯片吸取→待测芯片上料97.下图为常见的芯片封装形式，（）可以采用转塔式分选机进行测试。A.图1(正确答案)B.图2C.图3D.图499.使用转塔式分选设备进行芯片测试时，在上料过程中，当芯片移动到气轨（）时，旋转台上的吸嘴吸取芯片（）。A.首端B.中端C.末端(正确答案)D.任意位置101.在进入集成电路制造车间前注意着装规范，其目的是为了防止人体、衣物等产生（）和（）对芯片造成损害。A.灰尘(正确答案)B.潮气C.热量D.静电(正确答案)100.下图中（）是DIP封装。A.图1B.图2(正确答案)C.图3D.图4103.为了做好防静电和防尘工作，车间内（）等都应采用防静电的不发尘材料。A.设备仪器(正确答案)B.墙壁(正确答案)C.天花板(正确答案)D.地板(正确答案)104.ESD防静电门禁支持（）的静电测试。A.手指(正确答案)B.左脚(正确答案)C.右脚(正确答案)D.人脸102.进入芯片封装工艺过程中塑封之后的工序车间必须穿戴的是（）和（）。A.防静电帽或发罩(正确答案)B.眼罩C.无尘衣D.防静电服(正确答案)106.整理的目的是（）。A.腾出空间，空间活用(正确答案)B.防止误用、误送(正确答案)C.消除赃污，保持干净、明亮D.塑造清爽的工作场所(正确答案)105.进入风淋室之前，要确定（）后，再进入。A.风淋室内部无人(正确答案)B.身上无灰尘C.风淋室运行正常(正确答案)D.脚上无鞋子107.清扫的目的（）。A.将工作场所清扫干净B.保持工作场所干净、亮丽C.使员工保持一个良好的工作情绪(正确答案)D.稳定品质(正确答案)109.进入芯片裸露状态的车间着装因注意（）。A.头发要全部塞入帽子内(正确答案)B.胸牌别在工作服左边的插笔位置(正确答案)C.将个人物品(如钥匙、手机、工具等)放入置物柜中(正确答案)D.衣服拉链应拉到高至最上方(正确答案)108.清洁的3不要原则是（）。A.不要弄乱(正确答案)B.只着眼于眼前的部分环境C.不要弄脏(正确答案)D.不要放置不用的东西(正确答案)110.防静电点检过程中需要注意的有（）。A.进入风淋室前先确认风淋室内无人且运行正常B.双脚必须站立在防静电测试仪指定位置(正确答案)C.在静电测试时，需要摘掉手套，使皮肤直接接触测试区(正确答案)D.防静电点检未通过时，需要检查着装并消除静电，再重新进行防静电点检(正确答案)112.晶圆检测过程中，若其车间内洁净度不达标，则可能会导致（）。A.测试良率降低(正确答案)B.探针测试卡上出现异物(正确答案)C.探针测试卡报废(正确答案)D.晶圆报废(正确答案)111.芯片处于裸露状态的工艺车间，所穿戴的工作服的主要作用是（）。A.防尘(正确答案)B.保护操作人员C.防沾污D.防静电(正确答案)113.单晶硅生长是将电子级纯的多晶硅转化为单晶硅锭，要实现这一条件需满足三个条件：（）、（）、（）。A.原子具有一定的动能(正确答案)B.要有一个排列标准(正确答案)C.排列好的原子能稳定下来(正确答案)D.不能含有任何杂质115.切片是抛光片制备中一道重要的工序，因为这一工序基本上决定了硅片的四个重要参数，即晶向、（）、（）、（）。A.平行度(正确答案)B.直径C.翘度(正确答案)D.厚度(正确答案)114.在使用直拉法进行单晶硅制备时，在熔硅过程中，要注意将温度设置在1500℃左右，这是因为（）。A.硅的熔点比较高，在1420℃(正确答案)B.温度过高可能会产生“跳硅”现象(正确答案)C.方便掺入一定量的杂质D.防止出现液封现象116.以下薄膜中，属于绝缘介质膜的是（）。A.砷化镓B.二氧化硅(正确答案)C.氮化硅(正确答案)D.多晶硅118.表征光刻胶的性能指标包括（）。A.灵敏度(正确答案)B.分辨率(正确答案)C.黏附性(正确答案)D.留膜率(正确答案)117.一般情况下，卧式炉适用于以下何种情况的硅片或图形：（）。A.6英寸以下(正确答案)B.6英寸以上C.特征尺寸大于0.5μm(正确答案)D.特征尺寸小于0.5μm119.光刻过程中有一环节是软烘，该进行环节的目的是（）。A.将硅片上覆盖的光刻胶溶剂去除(正确答案)B.防止光刻胶黏到设备上(正确答案)C.使光刻胶结构重新排列，减轻驻波的影响D.缓和在旋转过程中光刻胶膜内产生的应力(正确答案)121.在流片工艺中，需要进行掺杂，其目的是（）。A.形成PN结(正确答案)B.改变材料的电阻率(正确答案)C.改变材料的某些特性(正确答案)D.形成一定的杂质分布(正确答案)120.最常用的二氧化硅的湿法刻蚀腐蚀液包括（）。A.氢氟酸(正确答案)B.氟化铵(正确答案)C.去离子水(正确答案)D.磷酸122.以下是离子注入过程中的主要参数的是（）。A.剂量与束流密度(正确答案)B.射程与注入能量(正确答案)C.注入角度(正确答案)D.杂质源123.进行离子注入前，需要对晶圆进行检查，检查的内容包括（）。A.确认数量、型号、品种、标记(正确答案)B.要求表面洁净，颜色均匀一致(正确答案)C.要求表面无划痕、水痕(正确答案)D.光刻图形良好(正确答案)125.请选择晶圆在测试过程中所采用的设备（）。A.测试机(正确答案)B.探针台(正确答案)C.探针卡(正确答案)D.分选机124.晶圆检测工艺中，下列属于扎针测试前的晶圆导片的步骤的是（）。A.从氮气柜中取出花篮(正确答案)B.核对晶圆数量(正确答案)C.核对晶圆批号(正确答案)D.核对晶圆片号(正确答案)127.在晶圆检测过程中，用晶圆镊子夹取晶圆时，晶圆镊子的（）应置于晶圆正面，（）应置于晶圆背面，夹取晶圆的空白部分，不可伤及晶圆。A.长边、短边B.短边、长边(正确答案)C.锯状头、平头(正确答案)D.平头、锯状头128.晶圆检测过程中，存在一些特殊的晶圆，因其自身性能特点，需要根据晶圆随件单上的所要求的测试条件进行扎针测试，那么特殊晶圆的扎针测试有（）。A.防尘测试B.避光测试(正确答案)C.加温测试(正确答案)D.曝光测试129.下列哪些工艺需要进行贴膜操作？（）A.晶圆检测B.晶圆减薄(正确答案)C.芯片粘接D.晶圆划片(正确答案)126.下面4张图中，（）是花篮。A.图1B.图2(正确答案)C.图3(正确答案)D.图4130.封装工艺中，晶圆贴膜的主要目的有（）。A.保证晶圆切割时不发生移动(正确答案)B.保护垫作用，防止晶圆磕碰而损伤C.防止操作员作业时晶圆划破橡胶手套D.粘附切割后的晶粒，防止其散落(正确答案)131.封装工艺前期，需要进行晶圆研磨，即晶圆减薄，其主要目的是（）。A.减小晶圆体积，节省空间B.提高晶圆散热性(正确答案)C.降低后续工艺中的设备损害和原材料成本(正确答案)D.使晶圆表面保持光滑规整133.封装工艺中，晶圆切割完成后，需要先经过（）和（）工序，方可进入芯片粘接工序。A.晶圆清洗(正确答案)B.晶圆抛光C.第一道光检D.第二道光检(正确答案)132.封装工艺中，晶圆框架盒的作用是（）。A.固定并保护晶圆，避免其随意滑动而发生碰撞(正确答案)B.用于储存晶圆的容器C.保护蓝膜，防止晶圆上的蓝膜受到污染D.便于周转搬运(正确答案)134.封装工艺中，引线键合常见的有（）三种方法。A.热压键合(正确答案)B.超声键合(正确答案)C.拉力键合D.热超声键合(正确答案)135.键合时，根据金属丝熔成的形态，可以分为（）。A.复合键合B.球键合(正确答案)C.楔键合(正确答案)D.铆键合136.可作为引线键合材料的有（）。A.金线(正确答案)B.锡线C.铜线(正确答案)D.铝线(正确答案)138.芯片进行封装的目的是（）。A.防止湿气等外部入侵(正确答案)B.以机械方式支持导线架(正确答案)C.将内部产热排除(正确答案)D.提供可手持的形体(正确答案)137.如下4幅图所示，其中属于半导体引线框架的有（）。A.图1(正确答案)B.图2(正确答案)C.图3(正确答案)D.图4(正确答案)139.封装材料一般可分为（）等封装形式。A.金属封装(正确答案)B.塑料封装(正确答案)C.玻璃封装(正确答案)D.陶瓷封装(正确答案)140.塑料封装的主要特点有（）。A.工艺简单(正确答案)B.外壳坚硬防划伤C.成本低廉、质量轻(正确答案)D.便于自动化生产(正确答案)142.封装工艺中，在塑封体上进行激光打字时，打标的内容可以有（）。A.产品名称(正确答案)B.生产日期(正确答案)C.生产批次(正确答案)D.商标(正确答案)141.封装工艺中，塑封工序中的转移成型技术需要的设备有（）。A.装片机B.排片机(正确答案)C.预热机(正确答案)D.注塑机(正确答案)143.与测编一体的转塔式分选机设备相比，平移式分选机设备没有（）环节的操作。A.编带(正确答案)B.测试C.光检(正确答案)D.分选144.下列芯片中，哪些芯片在外观检查的流程中属于合格的芯片（）。A.图1B.图2(正确答案)C.图3(正确答案)D.图4146.用重力式设备进行芯片检测时，可以用于并行测试的芯片有（）。A.DIP(正确答案)B.模块DIP24C.SOP(正确答案)D.模块DIP27145.通常情况下，（）封装形式的芯片可以采用重力式分选设备进行测试。A.LGAB.DIP(正确答案)C.SOP(正确答案)D.QFN147.哪些设备都是利用芯片自身重力完成上料（）。A.平移式分选机B.重力式分选机(正确答案)C.转塔式分选机(正确答案)D.编带机148.重力式分选机进行芯片检测时，进行自动装料的好处是（）。A.减少人工补料次数(正确答案)B.节省了取塞钉与摆放料管的时间(正确答案)C.降低了人工成本(正确答案)D.提高芯片的合格率150.芯片检测完成后，使用编带包装，它具有（）等优点。A.容量大(正确答案)B.体积小(正确答案)C.节约存放空间(正确答案)D.保护元器件不受污染或损坏(正确答案)149.一般情况下，测编一体的转塔式分选设备可以实现下列（）等环节。A.光检(正确答案)B.测试(正确答案)C.分选(正确答案)D.编带(正确答案)进入芯片检测车间前需要换上无尘衣、发罩等。对错(正确答案)穿无尘衣时，先戴好发罩再将无尘衣的连帽套上，然后戴上口罩。对(正确答案)错戴发罩时，短发的人员需要把头发全部包住，长发的人员发尾可露出部分。对错(正确答案)防静电点检在刷员工上岗证时，需要站在地上保持接地，身份验证通过后，开始检测静电。对错(正确答案)完成规范的着装后，不可以直接进入车间。对(正确答案)错粘尘垫的作用是粘除进入车间人员鞋底的灰尘，防止将灰尘带入车间。风淋室的出口和入口都需要布置粘尘垫。对(正确答案)错集成电路制造工艺的车间需要定期进行除尘清扫，其可以有效减少生产环境变化对产品质量的影响。对(正确答案)错风淋时到达设定时间后风淋结束，风淋室自动解锁，此时可打开风淋室内门，进入车间。对(正确答案)错“5S”管理中，“整理”的含义是把要用的东西，按规定位置摆放整齐，并做好标识进行管理。对错(正确答案)7S管理方式中的整理是区分要用与不要用的物资、把不要的清理掉。对(正确答案)错在着装方面，进入车间前都需穿戴对应的无尘衣或防静电服，其目的是为了防止人体、衣物等产生灰尘或静电对芯片造成损害。对(正确答案)错7S管理方式中的整顿是把要用的物资依规定定位、定量摆放整齐、标明识别。对(正确答案)错口罩和发罩可以重复使用，只要清洗过后，经过阳光照射风干即可。对错(正确答案)防静电点检未通过时，需要检查着装并消除静电，再重新进行防静电点检。对(正确答案)错风淋期间员工需要张开双臂旋转360度风淋从四个方向对员工进行全方位除尘，结束后出口自动解锁，员工进入车间。对(正确答案)错空气中的杂质会影响芯片性能，所以集成电路制造需要在满足一定条件的净化间内进行操作。对(正确答案)错无尘车间是完全没有微尘的空间。对错(正确答案)半导体材料的电阻率介于导体和绝缘体之间。对(正确答案)错P型半导体又称空穴型半导体。对(正确答案)错硅属于单质半导体，砷化镓属于化合物半导体。对(正确答案)错悬浮区熔法是利用高频感应线圈对多晶硅锭进行逐段熔化，在多晶硅锭下端安装籽晶，熔区从籽晶和多晶硅锭安装界面开始，当熔区推进时，单晶硅锭也拉制成功了。对(正确答案)错单晶硅锭需要进行径向研磨是因为在单晶硅生长过程中，直径和圆度的控制不可能很精确。对(正确答案)错在单晶硅锭进行基准面研磨前，还需要进行整形处理，其内容一般包括单晶硅锭的头尾切割及径向研磨。对(正确答案)错每一个硅片表面有许多微芯片，每一个芯片又有数以百万计的器件和互联线组成，芯片的特征尺寸为适应更高性能的要求而缩小，对沾污也变得越来越敏感。为使芯片在制造过程中不受沾污，需要在无尘车间进行。对(正确答案)错相较于卧式炉而言，立式炉更容易实现自动化，操作更加安全。对(正确答案)错进行薄膜淀积前，需先判断晶圆的质量是否合格。对(正确答案)错根据光刻胶如何响应紫外光的方式，可以将光刻胶分为正性胶和负性胶。对(正确答案)错使用卧式氧化扩散炉时，在将硅片从花篮转移到石英舟的过程中，严禁裸手操作，一定要戴好乳胶手套，且不能用手直接接触硅片和石英舟。对(正确答案)错曝光前要进行对准操作。对(正确答案)错负性光刻胶经曝光过的区域被溶解，而未曝光的区域被保留。对错(正确答案)KOH水溶液为正胶显影液。对(正确答案)错坚膜是为了挥发掉存留在光刻胶中的各种溶剂，从而提高光