
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
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文档简介
HK000L8P_AnalystPresentationCONFIDENTIAL–NOTFORDISTRIBUTIONORDISCUSSION(INWHOLEORINPARTORINSUMMARY),INCLUDINGDISTRIBUTIONTOORDISCUSSIONWITHANYPROSPECTIVEINVESTOR,
THEMEDIA,PRESSORWIRESERVICES太阳能电池工艺培训HK000L8P_AnalystPresentationC太阳能电池概述太阳能电池是一种有效地吸收太阳能辐射并使之转化成电能的半导体器件应用材料为单晶硅,多晶硅,带状硅,薄膜材料利用多晶硅生产工艺可以使电池效率达到15%-16%太阳能电池概述太阳能电池是一种有效地吸收太阳能辐射并使之转化RENA清洗工艺
InTexInOxInOxSideRENA清洗工艺
InTexInOxInOxSide生产太阳能电池流程基本流程:腐
蚀
绒
面POCl3-掺杂/扩散去磷硅玻璃切边
丝
网
印
刷
AI/Ag丝
网
印
刷
Al丝
网
印
刷
Ag烧结PECVD
SiNx
生产太阳能电池流程基本流程:腐蚀绒面POCl3-掺杂/制备绒面的目的:减少光的反射率,提高短路电流(Isc),最终提高电池的光电转换效率。陷光原理:当光入射到一定角度的斜面,光会反射到另一角度的斜面,形成二次或者多次吸收,从而增加吸收率。制备绒面的目的:腐蚀绒面
InTex降低表面反射,提高光电转换效率
浓度:HF125g/L,HNO3380g/L
温度:6–8ºC(chiller)
时间:2分钟清洗:
水洗:DI–H2O20ºC
碱洗:KOH/NaOH5%,20ºC,0.5分钟
酸洗:HF5%,HCL10%,20ºC,1分钟腐蚀绒面
InTex降低表面反射,提高光电转换效率清洗:1:Si+4HNO3=SiO2+4NO2+2H2O2:SiO2+4HF=SiF4+2H2O3:SiF4+HF=H2SiF64:NO2+H2O=HNO3+HNO25:Si+HNO2=SiO2+NO+H2O6:HNO3+NO+H2O=HNO2反应方程式1:Si+4HNO3=SiO2+4NO2+制绒工序工艺要求制绒后的片子,不容许用手摸片子的表片。收片员工只允许接触片子的边缘进行装片。并且要勤换手套,避免扩散后出现脏片!认真执行每批片子的腐蚀深度的检测工作,腐蚀深度是衡量制绒工艺的重要指标。所以希望上班的测片员工认真完成这项工作。A,要求每批测量4片。B,每次放测量片时,把握均衡原则。如,第一批我们把测试片放在1.3.5.7道,那下一批我们要求将测试片放在2.4.6.8道。这样我们也就可以检测设备稳定性以及溶液的均匀性。生产没有充足的片子时,工艺对产线员工的要求。A,如果有一个小时以上的停机,我们要求要将刻蚀槽的药液排到tank,减少药液的挥发。B,停机后没半小时用水枪冲洗碱槽喷淋,以防结晶盐堵塞喷淋。C,停机一个小时以上,要在开启机器生产前半小时用水枪冲洗风刀处的滚轮,杜绝制绒后的片子有滚轮印!制绒工序工艺要求制绒后的片子,不容许用手摸片子的表片。收片员扩散太阳电池制造的核心工序扩散太阳电池制造的核心工序扩散装置示意图扩散装置示意图太阳电池磷扩散方法1.三氯氧磷(POCl3)液态源扩散2.喷涂磷酸水溶液后链式扩散本公司目前采用的是第一种方法和第二种方法。
太阳电池磷扩散方法POCl3磷扩散原理POCl3在高温下与氧气反应生成五氧化二磷(P2O5)和氯气(CL2),其反应式如下:生成的P2O5在扩散温度下与硅反应,生成二氧化硅(SiO2)和磷原子,其反应式如下:POCl3磷扩散原理POCl3在高温下与氧气反应生成五氧化二影响扩散的因素管内气体中杂质源的浓度扩散温度扩散时间影响扩散的因素POCl3
简介POCl3是目前磷扩散用得较多的一种杂质源无色透明液体,具有刺激性气味。如果纯度不高则呈红黄色。比重为1.67,熔点2℃,沸点107℃,在潮湿空气中发烟。POCl3很容易发生水解,POCl3极易挥发。遇水蒸汽分解成磷酸和氯化氢,可致磷中毒,对皮肤、粘膜有刺激作用,短期内吸入大量蒸汽,可引起上呼吸道刺激症状、咽喉炎、支气管炎;严重者可发生喉头水肿窒息、肺炎、肺水肿、心力衰竭等危害。接触皮肤应立即脱去被污染的衣服,要先用纸、棉花等将液体吸去,然后用大量流动的清水冲洗至少15分钟,就医。POCl3简介POCl3是目前磷扩散用得较多的一种杂质源检验标准扩散方块电阻控制在45-55Ω/□之间。同一炉扩散方块电阻不均匀度≤10%,同一硅片扩散方块电阻不均匀度≤5%。表面无明显蓝点,手印以及因其他原因引起的污染。检验标准扩散方块电阻控制在45-55Ω/□之间。同一炉扩散方刻蚀
InOxSide切除硅片边缘过多的参杂部分。激光切边,等离子切边,腐蚀切边
腐蚀溶液:HNO365%,HF49%,H2SO495%
温度:6–8ºC
时间:1.5–2分钟清洗:
水洗:DI–H2O
碱洗:KOH5%,20ºC
酸洗:HF5%,20ºC
刻蚀
InOxSide切除硅片边缘过多的参杂部分。激光切边,腐蚀表面扩散层
InOx酸液腐蚀:HF5%-7%,2min10-20ºC清洗:
水洗DI–H2O,6min20ºC腐蚀表面扩散层
InOx酸液腐蚀:1:SiO2+4HF=SiF4+2H2O3:SiF4+HF=H2SiF6去磷硅玻璃主要反应方程式去磷硅玻璃主要反应方程式去磷硅工序工艺要求去磷硅后的片子,不允许用手摸片子的表面。收片员工只容许接触片子的边缘进行装片。并且要勤换手套,避免PECVD后出现脏片!认真执行每批片子的腐蚀重量和绝缘电阻的检测工作,绝缘电阻是衡量后清洗工艺的重要指标。所以希望上班的测片员工认真完成这项工作。A,要求每批测量4片。B,每次放测量片时,把握均衡原则。如,第一批我们把测试片放在1.3.5.7道,那下一批我们要求将测试片放在2.4.6.8道。这样我们也就可以检测设备稳定性以及溶液的均匀性。生产没有充足的片子时,工艺对产线员工的要求。A,如果有一个小时以上的停机,我们要求要将刻蚀槽的药液排到tank,减少药液的挥发。B,停机后没半小时用水枪冲洗碱槽喷淋,以防结晶盐堵塞喷淋。C,停机一个小时以上,要在开启机器生产前半小时用水枪冲洗风刀处的滚轮,杜绝制绒后的片子有滚轮印!去磷硅工序工艺要求去磷硅后的片子,不允许用手摸片子的表面。收
PECVD工艺培训
PECVD工艺培训
PECVD的原理目录PECVD的作用PECVD的原理目录PECVD的作用PECVD:PlasmaEnhanceChemicalVapourDeposition等离子增强化学气相沉积定义等离子体:由于物质分子热运动加剧,相互间的碰撞就会使气体分子产生电离,这样物质就会变成自由运动并由相互作用的正离子、电子和中性粒子组成的混合物。PECVD:PlasmaEnhanceChemicalVPECVD的作用在太阳电池表面沉积深蓝色减反膜-SiN膜。其还具有卓越的抗氧化和绝缘性能,同时具有良好的阻挡钠离子、掩蔽金属和水蒸汽扩散的能力;它的化学稳定性也很好,除氢氟酸和热磷酸能缓慢腐蚀外,其它酸与它基本不起作用。PECVD的作用在太阳电池表面沉积深蓝色减反膜-SiN膜。其PECVD的作用减少入射光的反射PECVD的作用减少入射光的反射PECVD的作用钝化太阳电池在SiN减反射膜中存在大量的H,在烧结过程中会钝化晶体内部悬挂键。PECVD的作用钝化太阳电池在SiN减反射膜中存在大量的H,PECVD的原理PECVD的原理PECVD的原理PECVD的原理PECVD的原理空气或玻璃n0=1or1.5SiN减反膜的最佳折射率n1为1.9或2.3硅n2=3.87
在左图中示出了四分之一波长减反射膜的原理。从第二个界面返回到第一个界面的反射光与从第一个界面的反射光相位相差180度,所以前者在一定程度上抵消了后者。即n1d1=λ/4PECVD的原理空气或玻璃n0=1or1.5SiN减反PECVD颜色和膜厚的关系氮化硅颜色与厚度的对照表颜色厚度(nm)颜色厚度(nm)颜色厚度(nm)硅本色0-20很淡蓝色100-110蓝
色210-230褐
色20-40硅
本
色110-120蓝绿色230-250黄褐色40-50淡
黄
色120-130浅绿色250-280红
色55-73黄
色130-150橙黄色280-300深蓝色73-77橙
黄
色150-180红
色300-330蓝
色77-93红
色180-190
淡蓝色93-100深
红
色190-210
PECVD颜色和膜厚的关系氮化硅颜色与厚度的对照表颜色厚度(
丝网印刷工艺培训
丝网印刷工艺培训
二
丝网印刷的工作流程
上料---第一道印刷---烘箱---第二道印刷----烘箱-----烘箱---第三道印刷---烧结----下料二丝网印刷的工作流程
上料---第一道印刷---烘箱-
四浆料的使用
使用前应将银浆、银铝浆放置在滚筒搅拌机上搅拌24小时。铝浆放到JB600—D拌机上搅拌30分钟,转速为50转/每分。目前工艺要求:第一道印刷银铝浆型号为ferro3398作用:具有良好的欧姆接触特性和焊接性能,长期附着性能很好。作用:收集载流子。四浆料的使用
使用前应将银浆、银铝浆放置在滚筒搅拌机四浆料的使用
第三道印刷银浆按照硅片的不同类型使用不同的型号单晶为ferro33—462、作用:收集电流。烘干炉、烧结炉的作用:烘干是为了去除浆料中的有质部分;烧结是为了让上下电极形成欧姆接触,提高转换效率。四浆料的使用第三道印刷银浆按照硅片的不同类型使用印刷工序工艺要求严格按照工艺要求的印刷重量进行生产。如果更换网板刮条后印刷重量不符工艺要求,要及时向当班的工艺技术员反应,将重量调至达标,才能进行生产。印刷不能偏移,不能出现印刷不全。正面不允许有两处断线。不允许浆料污染到片子。生产操作过程中严格要求生产要求,不允许不带手套去拿片子。印刷工序工艺要求严格按照工艺要求的印刷重量进行生产。如果更换烧结烧结的目的背面场经烧结后形成的铝硅合金,铝在硅中是作为P型掺杂,它可以减少金属与硅交接处的少子复合,从而提高开路电压和短路电流,改善对红外线的响应。相对于铝浆烧结,银浆的烧结要重要很多,对电池片电性能影响主要表现在串联电阻和并联电阻,即FF的变化。干燥硅片上的浆料,燃尽浆料的有机组分,使浆料和硅片形成良好的欧姆接触。烧结对电池片的影响烧结烧结的目的背面场经烧结后形成的铝硅合金,铝在硅中是作为P质量要求烧结后的氮化硅表面颜色应该均匀,无明显的色差.背场无铝珠电池最大弯曲度不超过1mm质量要求测试OVmVocImIscVIAMI-V曲线专业术语串联电阻(Rs):系指太阳电池内部的与P-N结串联的电阻,它是由半导体材料体电阻、薄层电阻、电极接触电阻等组成并联电阻(Rsh):系指太阳能电池内部的、跨连在电池两端的等效电阻填充因子(FF):指太阳能电池的最大功率与开路电压和短路电流的乘积之比转换效率(η):指受光照太阳电池的最大功率与入射到该太阳电池上的全部辐射功率的百分比测试OVmVocImIscVIAMI-V曲线专业术语太阳能电池的结构太阳能电池的结构ThanksThanks演讲完毕,谢谢观看!演讲完毕,谢谢观看!HK000L8P_AnalystPresentationCONFIDENTIAL–NOTFORDISTRIBUTIONORDISCUSSION(INWHOLEORINPARTORINSUMMARY),INCLUDINGDISTRIBUTIONTOORDISCUSSIONWITHANYPROSPECTIVEINVESTOR,
THEMEDIA,PRESSORWIRESERVICES太阳能电池工艺培训HK000L8P_AnalystPresentationC太阳能电池概述太阳能电池是一种有效地吸收太阳能辐射并使之转化成电能的半导体器件应用材料为单晶硅,多晶硅,带状硅,薄膜材料利用多晶硅生产工艺可以使电池效率达到15%-16%太阳能电池概述太阳能电池是一种有效地吸收太阳能辐射并使之转化RENA清洗工艺
InTexInOxInOxSideRENA清洗工艺
InTexInOxInOxSide生产太阳能电池流程基本流程:腐
蚀
绒
面POCl3-掺杂/扩散去磷硅玻璃切边
丝
网
印
刷
AI/Ag丝
网
印
刷
Al丝
网
印
刷
Ag烧结PECVD
SiNx
生产太阳能电池流程基本流程:腐蚀绒面POCl3-掺杂/制备绒面的目的:减少光的反射率,提高短路电流(Isc),最终提高电池的光电转换效率。陷光原理:当光入射到一定角度的斜面,光会反射到另一角度的斜面,形成二次或者多次吸收,从而增加吸收率。制备绒面的目的:腐蚀绒面
InTex降低表面反射,提高光电转换效率
浓度:HF125g/L,HNO3380g/L
温度:6–8ºC(chiller)
时间:2分钟清洗:
水洗:DI–H2O20ºC
碱洗:KOH/NaOH5%,20ºC,0.5分钟
酸洗:HF5%,HCL10%,20ºC,1分钟腐蚀绒面
InTex降低表面反射,提高光电转换效率清洗:1:Si+4HNO3=SiO2+4NO2+2H2O2:SiO2+4HF=SiF4+2H2O3:SiF4+HF=H2SiF64:NO2+H2O=HNO3+HNO25:Si+HNO2=SiO2+NO+H2O6:HNO3+NO+H2O=HNO2反应方程式1:Si+4HNO3=SiO2+4NO2+制绒工序工艺要求制绒后的片子,不容许用手摸片子的表片。收片员工只允许接触片子的边缘进行装片。并且要勤换手套,避免扩散后出现脏片!认真执行每批片子的腐蚀深度的检测工作,腐蚀深度是衡量制绒工艺的重要指标。所以希望上班的测片员工认真完成这项工作。A,要求每批测量4片。B,每次放测量片时,把握均衡原则。如,第一批我们把测试片放在1.3.5.7道,那下一批我们要求将测试片放在2.4.6.8道。这样我们也就可以检测设备稳定性以及溶液的均匀性。生产没有充足的片子时,工艺对产线员工的要求。A,如果有一个小时以上的停机,我们要求要将刻蚀槽的药液排到tank,减少药液的挥发。B,停机后没半小时用水枪冲洗碱槽喷淋,以防结晶盐堵塞喷淋。C,停机一个小时以上,要在开启机器生产前半小时用水枪冲洗风刀处的滚轮,杜绝制绒后的片子有滚轮印!制绒工序工艺要求制绒后的片子,不容许用手摸片子的表片。收片员扩散太阳电池制造的核心工序扩散太阳电池制造的核心工序扩散装置示意图扩散装置示意图太阳电池磷扩散方法1.三氯氧磷(POCl3)液态源扩散2.喷涂磷酸水溶液后链式扩散本公司目前采用的是第一种方法和第二种方法。
太阳电池磷扩散方法POCl3磷扩散原理POCl3在高温下与氧气反应生成五氧化二磷(P2O5)和氯气(CL2),其反应式如下:生成的P2O5在扩散温度下与硅反应,生成二氧化硅(SiO2)和磷原子,其反应式如下:POCl3磷扩散原理POCl3在高温下与氧气反应生成五氧化二影响扩散的因素管内气体中杂质源的浓度扩散温度扩散时间影响扩散的因素POCl3
简介POCl3是目前磷扩散用得较多的一种杂质源无色透明液体,具有刺激性气味。如果纯度不高则呈红黄色。比重为1.67,熔点2℃,沸点107℃,在潮湿空气中发烟。POCl3很容易发生水解,POCl3极易挥发。遇水蒸汽分解成磷酸和氯化氢,可致磷中毒,对皮肤、粘膜有刺激作用,短期内吸入大量蒸汽,可引起上呼吸道刺激症状、咽喉炎、支气管炎;严重者可发生喉头水肿窒息、肺炎、肺水肿、心力衰竭等危害。接触皮肤应立即脱去被污染的衣服,要先用纸、棉花等将液体吸去,然后用大量流动的清水冲洗至少15分钟,就医。POCl3简介POCl3是目前磷扩散用得较多的一种杂质源检验标准扩散方块电阻控制在45-55Ω/□之间。同一炉扩散方块电阻不均匀度≤10%,同一硅片扩散方块电阻不均匀度≤5%。表面无明显蓝点,手印以及因其他原因引起的污染。检验标准扩散方块电阻控制在45-55Ω/□之间。同一炉扩散方刻蚀
InOxSide切除硅片边缘过多的参杂部分。激光切边,等离子切边,腐蚀切边
腐蚀溶液:HNO365%,HF49%,H2SO495%
温度:6–8ºC
时间:1.5–2分钟清洗:
水洗:DI–H2O
碱洗:KOH5%,20ºC
酸洗:HF5%,20ºC
刻蚀
InOxSide切除硅片边缘过多的参杂部分。激光切边,腐蚀表面扩散层
InOx酸液腐蚀:HF5%-7%,2min10-20ºC清洗:
水洗DI–H2O,6min20ºC腐蚀表面扩散层
InOx酸液腐蚀:1:SiO2+4HF=SiF4+2H2O3:SiF4+HF=H2SiF6去磷硅玻璃主要反应方程式去磷硅玻璃主要反应方程式去磷硅工序工艺要求去磷硅后的片子,不允许用手摸片子的表面。收片员工只容许接触片子的边缘进行装片。并且要勤换手套,避免PECVD后出现脏片!认真执行每批片子的腐蚀重量和绝缘电阻的检测工作,绝缘电阻是衡量后清洗工艺的重要指标。所以希望上班的测片员工认真完成这项工作。A,要求每批测量4片。B,每次放测量片时,把握均衡原则。如,第一批我们把测试片放在1.3.5.7道,那下一批我们要求将测试片放在2.4.6.8道。这样我们也就可以检测设备稳定性以及溶液的均匀性。生产没有充足的片子时,工艺对产线员工的要求。A,如果有一个小时以上的停机,我们要求要将刻蚀槽的药液排到tank,减少药液的挥发。B,停机后没半小时用水枪冲洗碱槽喷淋,以防结晶盐堵塞喷淋。C,停机一个小时以上,要在开启机器生产前半小时用水枪冲洗风刀处的滚轮,杜绝制绒后的片子有滚轮印!去磷硅工序工艺要求去磷硅后的片子,不允许用手摸片子的表面。收
PECVD工艺培训
PECVD工艺培训
PECVD的原理目录PECVD的作用PECVD的原理目录PECVD的作用PECVD:PlasmaEnhanceChemicalVapourDeposition等离子增强化学气相沉积定义等离子体:由于物质分子热运动加剧,相互间的碰撞就会使气体分子产生电离,这样物质就会变成自由运动并由相互作用的正离子、电子和中性粒子组成的混合物。PECVD:PlasmaEnhanceChemicalVPECVD的作用在太阳电池表面沉积深蓝色减反膜-SiN膜。其还具有卓越的抗氧化和绝缘性能,同时具有良好的阻挡钠离子、掩蔽金属和水蒸汽扩散的能力;它的化学稳定性也很好,除氢氟酸和热磷酸能缓慢腐蚀外,其它酸与它基本不起作用。PECVD的作用在太阳电池表面沉积深蓝色减反膜-SiN膜。其PECVD的作用减少入射光的反射PECVD的作用减少入射光的反射PECVD的作用钝化太阳电池在SiN减反射膜中存在大量的H,在烧结过程中会钝化晶体内部悬挂键。PECVD的作用钝化太阳电池在SiN减反射膜中存在大量的H,PECVD的原理PECVD的原理PECVD的原理PECVD的原理PECVD的原理空气或玻璃n0=1or1.5SiN减反膜的最佳折射率n1为1.9或2.3硅n2=3.87
在左图中示出了四分之一波长减反射膜的原理。从第二个界面返回到第一个界面的反射光与从第一个界面的反射光相位相差180度,所以前者在一定程度上抵消了后者。即n1d1=λ/4PECVD的原理空气或玻璃n0=1or1.5SiN减反PECVD颜色和膜厚的关系氮化硅颜色与厚度的对照表颜色厚度(nm)颜色厚度(nm)颜色厚度(nm)硅本色0-20很淡蓝色100-110蓝
色210-230褐
色20-40硅
本
色110-120蓝绿色230-250黄褐色40-50淡
黄
色120-130浅绿色250-280红
色55-73黄
色130-150橙黄色280-300深蓝色73-77橙
黄
色150-180红
色300-330蓝
色77-93红
色180-190
淡蓝色93-100深
红
色190-210
PECVD颜色和膜厚的关系氮化硅颜色与厚度的对照表颜色厚度(
丝网印刷工艺培训
丝网印刷工艺培训
二
丝网印刷的工作流程
上料---第一道印刷---烘箱---第二道印刷----烘箱-----烘箱---第三道印刷---烧结----下料二丝网印刷
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