集成电路思考题

思考题1、 将硅单晶棒制作成硅片包括哪些工序？切断、滚磨、定晶向、切片、倒角、研磨、腐饨、抛光、清洗、检验。2、 切片可决定晶片的哪四个参数？晶向、厚度、斜度、翘度和平行度。3、 硅单晶片研磨后为何要清洗？硅片清洗的重要性：硅片外表层原子因垂直切片方向的化学键被破坏成为悬挂键，形成外表附近的自由力场，极易吸附各种杂质，如颗粒、有机杂质、无机杂质、金属离子等，造成磨片后的硅片易发生变花发蓝发黑等现象，导致低击穿、管道击穿、光刻产生针孔，金属离子和原子易造成pn结软击穿，漏电流增加，严重影响器件性能与成品率4、 硅片外表吸附杂质的存在形态有哪些？对这些形态按何种顺序进展清洗？被吸附杂质的存在状态：分子型、离子型、原子型清洗顺序：去分子一去离子一去原子一去离子水冲洗一烘干、甩干5、 硅片研磨及清洗后为何要进展化学腐蚀？腐蚀方法有哪些？工序目的：去除外表因加工应力而形成的损伤层及污染腐蚀方式：喷淋及浸泡6、 CMP包括哪2个动力学过程？控制参数有哪些？包括：边缘抛光：分散应力，减少微裂纹，降低位错排与滑移线，降低因碰撞而产生碎片的时机。外表抛光：粗抛光，细抛光，精抛光7、集成电路制造过程中常用的1号、2号、3号清洗液组成是什么？各有什么用途?硅片的清洗名称配方使用条件作用各注I号洗液NH4QH:H2O2:H20=1:1:5-1:2780土5笆10min去油脂土光刻胶残膜去金属离子去金属原子去重离子II号洗液HCI：H202：H20=11:6—1:2:38。±5笆10min去金属离子去金属原子去一般金属离了,K,Nsi等III号洗液H2S04H202=3:1120±10X?10^15min去油、去光刻胰、去腊五金属离子去金厢原子8、硅气相外延工艺采用的衬底不是准确的晶向，通常偏离〔100〕或〔111〕等晶向一个小角度，为什么？为了得到原子层台阶和结点位置，以利于外表外延生长。9、 外延层杂质的分布主要受哪几种因素影响？外延温度，衬底杂质及其浓度，外延方法，外延设备等因素影响。10、 异质外延对衬底和外延层有什么要求？衬底与外延层不发生化学反响，不发生大量的溶解现象；衬底与外延层热力学参数相匹配，即热膨胀系数接近。以防止外延层由生长温度冷却至室温时，产生剩余热应力，界面位错，甚至外延层破裂。衬底与外延层晶格参数相匹配，即晶体构造，晶格常数接近，以防止晶格参数不匹配引起的外延层与衬底接触的界面晶格缺陷多和应力大的现象。11、 比拟分子束外延（MBE）生长硅与气相外延〔VPE〕生长硅的优缺点MBE——优点：超高真空度达10-9~10-11Torr，外延过程污染少，外延层干净。温度低，（100）Si最低外延温度470K，所以无杂质的再分布现象。外延分子由喷射炉喷出，速率可调，易于控制，可瞬间开/停，能生长极薄外延层，厚度可薄至A量级。设备上有多个喷射口，可生长多层、杂质分布复杂的外延层，最多层数可达104层。在整个外延过程中全程监控，外延层质量高。一一缺点：设备复杂、价格昂贵。VPE——优点：外延生长温度高，生长时间长，可以制造较厚的外延层。在外延过程中可以任意改变杂质的浓度和导电类型。一一缺点：操作过程繁冗，在掺杂剂气体中较难控制通入杂质气体剂量的准确度。12、 SiO2按构造特点分为哪些类型？热氧化生长的SiO2属那一类？结晶形和非结晶形，是非结晶形13、 在SiO2中何谓桥键氧？何谓非桥键氧？，对SiO2密度有何影响？连接两个Si—O四面体的氧原子称桥联氧原子，只与一个四面体连接的氧原子称非桥联氧原子。桥联的氧原子数目越多，网络结合越严密，反之那么越疏松14、 二氧化硅层的主要作用有哪些？1〕作为掩膜。2〕作为芯片的钝化和保护膜。3）作为电隔离膜。4）作为元器件的蛆.成局部。15、 二氧化硅网络中按杂质在网络中所处位置不同可分为哪几类？替位式杂质和间隙式杂质16、 热氧化方法有哪几种？各有何优缺点？有干氧氧化、湿氧氧化、水汽氧化干氧氧化：〔优）构造致密，外表平整光亮：对杂质掩蔽能力强：钝化效果好：生长均匀性、重复性好；外表对光刻胶的粘附好，〔缺）生长速率非常慢。湿氧氧化：〔优）生长谏率介于干O2与水汽氧化之间：可由水温、炉温调节生长速率，工艺灵活性大：对杂质的掩蔽能力、钝化效果能满足工艺要求，〔缺）外表存在羟基使其对光刻胶的粘附不好。17、 影响氧化速率的因素有哪些？温度、气体分压、硅晶向、掺杂18、 影响SiO2热氧化层电性的电荷来源主要有哪些种类？这些电荷对器件有何危害？降低这些电荷浓度的措施有哪些？1） 可动离子电荷〔Qm）：加强工艺卫生方可以防止Na+沾污：也可采用掺氯氧化，固定Na+离子：高纯试剂2） 固定离子电荷Qf：〔1）采用干氧氧化方法〔2）氧化后，高温惰性气体中退火3） 界面陷阱电荷Qit：在金属化后退火〔PMA）：低温、惰性气体退火可降低4〕氧化层陷阱电荷Qot：选择适当的氧化工艺条件；在惰性气体中进展低温退火；采用对辐照不灵敏的钝化层可降低19、 为何热氧化时要控制钠离子的含量？降低钠离子污染的措施有哪些？因为氧化层中如含有高浓度的钠，那么线性和抛物型氧化速率常数明显变大。措施有：加强工艺卫生方可以防止Na+沾污；也可采用掺氯氧化，固定Na+离子；高纯试剂。20、 掺氯氧化工艺对提高氧化膜质量有哪些作用？8一播氯氧化为何对提高氧化房质量有作用？HUI的朝化迁程.实质上就是在熟生长S0膜的同时，在SId中掺入一定数量的氟离子的过程.所掺入的氟腐子主要分布在Si-SiO2界面附近］00&左右处M国在氧化膜中的行为是比较复杂的，从实验观察分析认为有以下几神情况：筑是负离于「在氧化膜中集中毋器造成负电倚中心，它与正电荷的离子起中和作用；以）它能在寂化膜中形底某些略阱态来辱萩打动离干=（3）碱金属离子和亟金扁离于能与氧形成蒸气压高的知化彻而被除去；<4?在氧化膜中埴补氧窒位，与硅形成Si-ci雄或Si-o-ci复合怕因此降低了固定正电荷密度和界面态扭度（可使同定正电荷密度降低豹一个数坦缰L掺氯氧化同时减少固定电荷等氧化膜缺陷，提高氧化膜平均击穿电压，1■曾址轲化速率，提苗硅中少数栽流子寿命等.21、由热氧化机理解释干、湿氧氧化速率相差很大这一现象的原因?4一由热氧化机理解建干、湿氧速率相差很大这一现象由二氧化硅基本结构单元可卸，位于四而体中心的si原子与四个项色上的氧原子以共价健方式结合在一起，si原子运动要打断四个si-o<,而桥联o原子的遗徽只需打断二个si也谜，非桥联氧原子只ffitrWH个ss遂°因此，在$6网博结枸中，。原子比囹原子更容易适动，氧匣子离开其四而体位皆带背厅，生成氧卖航在痂氧仕过程中g子或水分子酬翔在已生长的SiOJP扩散进入&。南界面，与Si原子反产生成新的&还网络结构，使膜不断增厚.与此相反，硅休内的割慑子则不容易静脱&共价萨岫浙绅’也不客易在己生长的S"网络中移凯所％在那知化的过程也轼化反应将在由以乩界而处姓行「而不发生在SiO2M的外表层，这一特性决定了战氧化的机埋“为了解拜维性速率吊'数与珪表而晶向的关系.有人提出了一个模型n根据这个粮型，在.承化硅中的水分子和Si-Sio2^m'的所⑸键之间就接发生反应.在这个界面上的所有的硅原子，一部分和上.而的轼原子轿联.一部分和下面的暂原子桥既这样轼化速率与晶向的关系就变成了氧化速率与氧化激活能和反应格点的浓度的关系了。在割服&i界面上，任何一个时刻•并不是处于不同位置的所有硅原子对氧化反应来源都是等漱的，也就是说右是所有硅城子与水分子都能发生反应生成的6,实验发虬在干纽朝匕的气武中，只要存在极小垦的水汽『就会对氧化速率产生重要膨响u对于硅的（100）晶面.在枷02的温悦下进行干氧氧化时，即|机化剂气氛;中的水汽含量小于］ppm时，到化网口分卦，氧化层厚度为邳0A：在同样条件下，水汽含呈为？5叩时，轼化层厚度为3犯也在上述玄位M为了准确控制水汽含也氧气镰是激态的；为丁防止尚温下水汽通过石英管壁进入51化炉内，氧化石英管是双舅的，并在两层中间通有高鲍氮或叙，这样K以把通过外层石英管进入到夹层中的水汽及时梓除。22、薄层工艺〔10nm以下氧化层〕过程中应注意哪些要求？现采用的工艺有哪些?5.薄厚氧化过程需注箴哪些要求？现栗用的工艺有哪些？在ULM中，MOS薄机纲化层J<I"A）制备应满足以下关侵条件：⑴低缺陷宿鼠瑚降低在低电房下的哭然性知敝数：⑵妤的抗杂质扩散的苗垒特性一射p务晶p-MOSFET特别重要；⑶具有低的界Iftj态容堆和固定电荷的高质世的Si-SiQi界面..低的界Iftl态密度可保■IIMOSFET有理想的开关特根⑷在那载流子成力和辐射条件下的臆定性・■・，MOSFET按比例减小时，构道横向的扃电场会使构道载流于获得有能■，并产生船载流于效应，例如制化层电甘略阱和界面态n在我薮流于成力和漏射条件M应离子刻蚀和X射我光刻I老）下生产最小损伤的栅介质层；⑸佬过割琪有技觥爆开销（tkmh呻t）,以融蜘‘丽秋帽球mr分礼棵用的此分为驮美撕方湛（1）各种瓣i偶徜怯⑵梆氧化畦⑴化熟割睥化层怯⑷沉解化层成快虱臃作为盼成23、 氧化层膜厚的测定方法有哪些？比色法，干预条纹法24、 热氧化时常见的缺陷有哪些？产生的原因有哪些？外表缺陷〔针孔、白雾、斑点、裂纹），构造缺陷〔层错），氧化层中的电荷〔可动离子电荷，氧化层固定电荷，界面陷阱电荷，氧化层陷阱电荷）25、 什么是掺杂？在一种材料（基质）中，掺入少量其他元素或化合物，以使材料（基质）产生特定的电学、磁学和光学性能，从而具有实际应用价值或特定用途的过程称为掺杂26、 热扩散的机制有哪些？替位式扩散、填隙式扩散、填隙一替位式扩散27、 扩散源有哪些存在形态？扩散源有气态、液态、固态三种有存在形式28、 实际生产中为何采用二步扩散？预扩与主扩的杂质浓度分布各有何特点？为了同时满足对外表浓度、杂质总量以及结深等的要求，实际生产中常采用两步扩散工艺:第一步称为预扩散或预淀积，在较低的温度下，采用恒定外表源扩散方式在硅片外表扩散一层杂质原子，其分布为余误差涵数，目的在于控制扩散杂质总量；第二步祢为主扩散或再分布，将外表已沉积杂质的硅片在较高温度下扩散，以控制扩散深度和外表浓度，主扩散的同时也往往进展氧化。29、 表达氧化增强扩散及发射区推进效应及其产生的机理？在热氧化过程中原存在硅内的某些掺杂原子显现出更高的扩散性，称为氧化增强扩散。机理：氧化诱生堆垛层错产生大量自填隙Si,间隙-替位式扩散中的“踢出"机制提高了扩散系数。在npn窄基区晶体管制造中，如果基区和发射区分别扩硼和扩磷，那么发现在发射区正下方的基区要比不在发射区正下方的基区深，即在发射区正下方硼的扩散有了明显的增强，这种现象称为发射区推进效应。机理：由于高浓度扩散磷时会产生大量空位，从而可使发射区正下方的硼得以加速扩散，产生发射极推进效应。30、 与预扩散相比，为什么B再扩后外表电阻变大而P再扩后外表电阻会变小？再分布主要是由硅的氧化谏率、杂质在Si/SiO2中的分凝以及扩散速率决定的。B再扩后外表电阻变大而P再扩外表电阻变小是因为不同杂质的分凝系数以及杂质在Si/SiO2中的扩散谏率不同导致的.31、 与热扩散相比，离子注入有哪些优点？1.可在较低的温度下,将各种杂质掺入到不同的半导体中；2.能够准确控制晶圆片内杂质的浓度分布和注入的深度;3・可实现大面积均匀性掺杂，而且重复性好;4.掺入杂质纯度高;5.由于注入粒子的直射性,杂质的横向扩散小；6.可得到理想的杂质分布;7・工艺条件容易控制.32、 什么是沟道效应？如何降低沟道效应？对晶体靶进展离子注入时，当离子注入的方向与靶晶体的某个晶向平行时，这些注入的离子很少会与靶原子发生碰撞而深深地注入衬底之中，而很难控制注入离子的浓度分布，注入深度大于在无定形靶中的深度并使注入离子的分布产生一个很长的拖尾，注入纵向分布峰值与高斯分布不同，这种现象称为离子注入的沟道效应。减少沟道效应的措施：〔1〕对大的离子，沿沟道轴向(110)偏离7—10o：〔2〕用Si，Ge，F，Ar等离子注入使外表预非晶化，形成非晶层⑶增加注入剂量；⑷外表用SiO2层掩膜33、 什么是离子注入损伤？损伤类型有哪些？离子注入损伤，是指获得很大动能的离子直接进入半导体中造成的一些晶格缺陷。损伤类型：空位、间隙原子、间隙杂质原子、替位杂质原子等缺陷和衬底晶体构造损伤34、 离子注入掺杂后为何要进展退火？其作用是什么？因为大局部注入的离子并不是以替位形式处在晶格点阵位置上，而是处于间隙位置，无电活性，一般不能提供导电性能，所以离子注入后要退火。其作用是激活注入的离子，恢复迁移率及其他材料参数。35、 离子注入设备的主要部件有哪些？有离子源、磁分析器、加谏器、扫描器、偏束板和靶室。36、 离子注入工艺技术中须控制的工艺参数及设备参数有哪些？工艺参数：杂质种类、杂质注入浓度、杂质注入深度设备参数：弧光反响室的工作电压与电流、热灯丝电流、离子别离装置的别离电压及电流、质量分析器的磁场强度、加谏器的加谏电压、扫描方式及次数37、 等离子体是如何产生的？PECVD是如何利用等离子体的？等离子体是如何产生的？PECVD是如何利用等高子体的？答：对低压气体阚加电场时』出现料光放电遍新’气体被击穿.「有一位的导电性］这种具有一定导电能力的气态混合物是由正商子、电于、光子既及原子、原子乱分子和它们的激发态所组成前『被称为等离于钵日PECVD是采用等离子体技术把电能耦合到反应气体中，激活井绯持化学反应跣行，从而淀积薄膜的一种工艺方法.利用等离子体技术能提希化学反应速度』进而降低化学反应府温度的康感『便之在较惬温度下进行藩膜淀积“38、 SiO2作为保护膜时为什么需要采用低温工艺?目前低温SiO2工艺有哪些方法?它们降低制备温度的原理是什么？Sig作为保护膜时为什么帝要采翔侬温I：芝？目前依温SK)土•I：艺有哪些方法?它们降低制备温魔的原理是什么？答凄保护膜是芯片制造的最后一个T艺步蜘这时芯片上的元、黯件已制作好，如苒采用苏中温I：艺制作Si。】保护膜『芯片I；的金属化添统或器件结捌都会受损］加金属被禁化、熟质再分布带来元器件蜻构的改变，甚至芯片报废=所以，只能采用低温「艺。目前.采闻最右是PECVD・Si6低温「.艺反应气体为6、NiO和&川或TEDS,虚用等离于体技术将电能耦合到反应气体中j使反应气怵形成等离子钵,降低了反应泥积Si(h温度U39、 比拟同等掺杂浓度多晶硅和单晶硅电阻率的大小？解释不同的原因。比较同等橇杂浓度委晶桂和■?晶硅电阻率的大小？解释不同的原因°答：相同掺杂杂质即便浓度相同苏晶硅的电阻率比门晶硅的电阻率而。这是因为务晶硅石袖晶粒和晶界蛆成，在晶粒内部的掺费原于和在爪晶硅中一样是占泰替位，有出活性；而晶界上的硅原于是无序状态「掺朵泉于多数是无电淮性的』且晶粒湍界之间的杂质分凝导致晶界上杂质燎度尚于晶粒内部，因此，在相同掺杂恭度下.多晶硅中有电法性的杂质浓度佚于饵晶硅，导电能方也就低于单晶硅。另外，晶界上大量的缺鞋和悬挂键是概浦子陷阱，晶粒中的我摭子若陷入晶界之中」射电导能不再起作用-同时晶界上的电荷粗累还会站成晶粒边界周围形成载旎子耗居的甚域」使其能带发生畸变，产生势垒「降低了务晶硅中载就子的有效迁移率’这也引起导电能力下降，电阻率升高.40、磁控溅射主要有哪几种？特点是什么？雌醐娴幽牖直滁倾荆撅蟠翻;按可燧明的触浙■有怫橱航按灿临M糊蝴婶脚噩平龌和撷星剽礼前山能醐鼬金翩脸'K射娜础予嬲•鼬金融艇讷于嘲半导怕眦柚％腿只能-次翻-y海队多臃-沃醐级翻观杂翘的藉除41、 如果一个工艺过程依靠对硅片的离子轰击，你会将硅片置于连接腔壁的电极上还是与腔壁隔离的电极上？应将硅片坦于q腔里隔离的电极上J这廿可以建角离于轰击腔邕遣成材料被被射出来污染反应室，离子对腔壁的轰击也会使反应室受机■■■■[■■・■・IItiKhI■■■■Iu■■■i■iin■■ ■n■42、 以铝互连系统作为一种电路芯片的电连系统时，假设分别采用真空蒸镀和磁控溅射工艺淀积铝膜，应分别从哪几方面来提高其台阶覆盖特性？LLJ■真窦瞬膛逋过衬底加蜥对底旋转加I就台阶祓盖特性曲期W曲过睬树底温俱在樵上蝴帅氐采用醐m充技居采用注直醐技本43、什么是气缺现象？如何解决气缺现象？X:f 一！L—一.•—————.「一7'm芸至矢气有:的反应室十溶气流芳通反应弥u、不断消耗.浓度隆■＜氐，因此，膜序不均“少三气诽辰箴荆裱韬耗希沮琬:的友成齐让浓棱改:燮":的现豪耄气缺豌葬"：・OL二■[匚，j：■:KjZ^Z1:■Zj"-：!*bZ,■'，：二'：三‘W：-：’：I*" ~ C=*"TC-Z*-!-!■!■::-Z-.■■-(•＞在水平方向上逐渐提高温度来加快反应速度*从而提高淀积速率，等卜偿气缺效应的影响，减小各处淀积厚度差别口 I节采用分布式的气体入口'就是反应剂气体通过一系列气体II注入列反应室中。需要特殊设计的淀积室来限制注入气体所产生的气流交叉效应口*增加反应室中的气流速度心44、 什么是光刻，光刻系统的主要指标有那些？光刻(photolithography)就是将掩模版〔光刻版)上的几何图形转移到覆盖在半导体衬底外表的对光辐照敏感薄膜材料〔光刻胶)上去的工艺过程。光刻系统的主要指标包括分辨率、焦深、比照度、特征线宽控制、对准和套刻精度、产率以及价格。45、 IC制造中对光刻技术的根本要求有哪些？高分辨率：线宽为光刻水平的标志，代表IC的工艺水平。高灵敏度〔感光速度〕的光刻胶：减少曝光所需时间提高生产率。低缺陷：提高成品率。精细的套刻对准：套刻误差一般为线宽的±10%。对大尺寸硅片的加工：提高经济效益和硅片利用率46、 光刻工艺包括哪些工序？底膜处理、涂胶、前烘、曝光、显影、坚膜、刻憧、去胶、检验47、 什么是分辨率、比照度、光敏度？分辨率：是指一个光学系统准确区分目标的能力比照度：是评价成像图形质量的重要指标光敏度：指单位面积上入射的使光刻胶全部发生反响的最小光能量或最小荷量。48、 影响显影的主要因素有哪些？曝光时间、前烘的温度和时间、光刻胶的膜厚、显影液的浓度、显影液的温度、显影液的搅动情况49、 在光刻技术中为何显影后必须进展检查？检查的内容有哪些？区分哪些有很低可能性诵过最终掩膜检验的衬底，提供工艺性能和工艺控制数据，以及分拣出需要重做的衬底检查内容：掩膜版选用是否正确、光刻胶层得质量是否满足要求、图形的质量、套刻精度是否满是要求50、什么是正光刻胶？什么是负光刻胶？其组成是什么？光刻胶的作用是什么？正光刻胶：胶的曝光区在显影中除去，当前常用正胶为DQN,组成为光敏剂重氮酿(DQ),碱溶性的酚醛树脂(N),和溶剂二甲苯等。负光刻胶：胶的曝光区在显影中保存，未曝光区在显影中除去，负胶多由长链高分子有机物组成51、 常见的曝光光源有哪些？紫外光源、深紫外光源。52、 常见的光刻对准曝光设备有哪些？接触式光刻机：接近式光刻机：扫描投影光刻机：分步重复投影光刻机：步进扫描光刻机。53、 光刻工艺条件包括哪些方面？光刻胶种类、光刻胶厚度、曝光参数以及光学路径上的设定。54、 什么是驻波效应？如何减少驻波效应？驻波效应是当用单色光进展曝光时，入射光会在光刻胶与衬底的界面上反射，由于入射光与反射光是相干光，在界面处又存在180度的相移，在光刻胶内形成驻波。55、 影响线宽控制的因素有哪些？胶自身的性质，光刻工艺〔曝光源、时间，胶膜厚度，显影条件，硅片平整度)56、 什么是湿法刻蚀？什么是干法刻蚀？各有何优缺点？湿法刻蚀：晶片放在腐蚀液中，通过化学反响去除窗口薄膜，得到晶片外表的薄膜图形。优缺点：湿法腐蚀工艺简单，无需复杂设备。保真度差，腐蚀为各向同性，A=0，图形分辨率低。选择比高、均匀性好、清洁性较差干法刻蚀：刻蚀气体在反响器中等离子化，与被刻蚀材料反响〔或溅射)，生成物是气态物质，从反响器中被抽出。优缺点：保真度好，图形分辨率高：湿法腐蚀难的薄膜如氮化硅等可以进展干法刻蚀、清洁性好，气态生成物被抽出：无湿法腐蚀的大量酸碱废液设备复杂：选择比不如湿法57、 常见的干法刻蚀方法有哪些？各有何优缺点？物理性刻蚀化学性刻蚀〔又称等离子体刻蚀〕物理化学性刻蚀〔又称反响离子刻蚀RIE)答；干法刻蚀又分为三种1物理性列蚀、化学性刻蚀、物埋化学性刻蚀。物理性刻蚀是利用辉光放电将气体〔如而气）电离成■带上电的离于，再利用偏压将离子加速，戢「斥在被刻蚀物J的表而而将袱刻蚀物的蜻子击出——溅射，或过程完全是物理上的能量转瘠，故称物理性刻蚀3化学性刻蚀，或称等离子体刻蚀（pl^mcfchm心，是利用等高子体将刻蚀气体电离并形成芯电离于、分子及反应活性很眼的原于团・它们扩散到被刻蚀薄膜表而后与被刻蚀薄膜的表面惊子反成生成具有挥发性的反应产物，井被其空也备批窗反成腔。国这神及成完全利用化学g故称为化学性刻蚀，段为广泛使用的方法是结台物埋性的离子轰击与化学反或的刻蚀，又称为反应离子刻蚀（reactiveiondchirg,RIEL这种方-式兼具II•等向性与高刻蚀通择比的双重优思刻蚀的进行主要靠化学员成来实现'加入离子轰占的作用有丁.』①破坏彼刻蚀材质表而的化学惟以提高反魇速率：②将’.次沉枳在被刻蚀薄膜表面的产物或聚合物打掉.以使被刻蚀表而能充分与刻蚀气体接触，由于在表面的二次沉积秋诃被高子打掉，而在侧壁I：的二.段沉积物未受卸离于的轰击『可以保留下来阻隔刻蚀表向与反应气体的接触，使得侧壁不受刺蚀'所既来用这神方式可以获得符向异性的刻仲。58、 光刻技术中的常见问题有那些？半导体器件和集成电路的制造对光刻质量有如下要求：一是刻蚀的图形完整，尺寸准确，边缘整弁陡直：二是图形内没有针孔；三是图形外没有残留的被腐饨物质。同时要求图形套刻准确，无污染等等。但在光刻过程中，常出现浮胶、毛刺、钻蚀、针孔和小岛等缺陷。59、 光刻工艺对掩模版有那些质量要求？构成图形阵列的每一个微小图形要有高的图像质量，即图形尺寸要准确，尽可能接近设计尺寸的要求，且图形不发生畸变。图形边缘清晰、锐利，无毛刺，过渡区要小，即充分光密度区〔黑区）应尽可能陡直地过渡到充分透明区〔白区）。整套掩模中的各块掩模能很好地套准，对准误差要尽量地小。图形与衬底要有足够的反差〔光密度差［，一般要求达2・5以上，同时透明区应无灰雾。掩模应尽可能做到无“针孔〃、“小岛〃和划痕等缺陷。版面平整、光洁、结实耐用。版子要巩固耐磨，不易变形。图形应不易损坏。60、 简述集成电路的常规掩模版制备的工艺流程。—的| |修补| |套准、掩验、修补原图屈制口T初编|~^＞厢缩兼分步分复心小印阴版回m阳版|_X曹装做好的超微粒干版 做好的短做粒干版、馅版、彩色版

HIaPP1区BmXL1X费I6.简述集成电路的常规掩榄版制备前I：艺挽程，答：硅平面晶体管或集成电路掩模版的制伯一般地讲，要经过原图综制〔包括绘总图和刻分图）、初凯精缩兼分步宣敏 版和贫即阳版等几步，掩模版制站人员根据图形产生的磁带数据，再加上不同的皮用府求及规格.会选用不同的制作流程，版图绘®I：在版图设计完成后，一般得其放大IM-1000倍〔通常为500倍），在坐标戚上酒出版图总图』刻分层图：生产过程中需要凡次光到版，总图上就含有几个层次的图珍为了分层制出各次光刻版，首先分别在表而贴有红色膜的透叽聚能零料咬片（称为红膜）的红色薄膜层上刻出各个层次的图形，揭掉不要的部务形成红膜表示的符层次图形，这一小又称为刻红爆初稣对红膜图形进行第一次缩小，待到大小为最后明形十倍的.％层初媚版，其过程与瞬相完『样，精编兼分布重复：一b大圆片硅片上.包含有成百上千的管机所用的光刻版1*然就应重更排列有成百」:干个相同的图形■因此本步任务有两个；首先将初裕版的图形进一步编小为最后的实际大小，井同时进行分布重外得到可用于光刻的正式掩榄脸直接由精缩和分步•重复得到的叫械母版°复弛在集成电路生产的光刻过程刊掩模版会受磨损产生倒炒便比一定次数后就要换用新掩模服，因此同一掩模丁仰版的帝要数昆是很大的，若每次I.作版都采用精躺得到的母版是很不雄济的=因此在得到母咸后婆莱用复印技术垣制苦坦匚作拖模版供光刻用.61、 光学分辨率增强技术主要包括那些？移相掩模技术、离轴照明技术、光学邻近效应校正技术、光瞳滤波技术等。62、 简述表征光刻胶特性、性能和质量的参数。响应波长；灵敏度，又称光敏度，指最小曝光剂量E0；抗蚀性，指耐酸、碱能力；粘滞性，指流动特性的定量指标