第三章硬件抗干扰技术课件

第三章硬件抗干扰技术谈英姿tanyz@东南大学自控系工业自动化教研室1/4/20231

第三章硬件抗干扰技术谈英姿12/29/20221主要硬件抗干扰技术接地屏蔽滤波2主要硬件抗干扰技术接地2接地为什么要地线地线问题－地环路地线问题－公共阻抗耦合接地方式种类电缆屏蔽层的接地

3接地为什么要地线3安全地220V0V+++++4安全地220V0V+++++4信号地定义：信号电流流回信号源的低阻抗路径5信号地定义：信号电流流回信号源的低阻抗路径5地线引发干扰问题的原因V=IR地线电压地线是等电位的假设不成立电流走最小阻抗路径我们并不知道地电流的确切路径地电流失去控制6地线引发干扰问题的原因V=IR地线电压地线是等电位的假地线电位示意图2mV200mV2mV~10mV10mV~20mV20mV~100mV100mV~200mV7地线电位示意图2mV200mV2mV~10mV10导线的阻抗Z=RAC+jLL1H/m=1/(frr)1/2

RAC=0.076rf1/2RDCr电流深度0.37II趋肤效应8导线的阻抗Z=RAC+jLL1H/m导线的阻抗9导线的阻抗9金属条与导线的阻抗比较012345678910S/W金属条阻抗/导线阻抗10金属条与导线的阻抗比较0地线问题－地环路IGVGVN地环路I1I211地线问题－地环路IGVGVN地环路I1I211隔离变压器屏蔽层只能接2点！C2VG12C1屏蔽CPVGVSVNRL12隔离变压器屏蔽层只能接2点！C2VG12C1屏蔽CPVGVS光隔离器发送接收RLVGVS光耦器件Cp13光隔离器发送接收RLVGVS光耦器件Cp13共模扼流圈的作用VsR1R1RLLVGIN1IN2ISVS+VN=R1/LVN/VGRL/（RS+RL）Mf14共模扼流圈的作用VsR1R1RLLVGIN1IN2ISVS平衡电路对地环路干扰的抑制VGRS1VS1RS2RL2RL1VS2IN1IN2ISVL15平衡电路对地环路干扰的抑制VGRS1VS1RS2RL2RL1地线问题－公共阻抗耦合电路1电路2地电流1地电流2公共地阻抗V~16地线问题－公共阻抗耦合电路1电路2地电流1地电流2公共地阻抗接地方式种类信号接地方式并联单点接地串联单点接地混合接地多点接地单点接地17接地方式种类信号接地方式并联单点接地单点接地123123串联单点接地优点：简单缺点：公共阻抗耦合并联单点接地优点：无公共阻抗耦合缺点：接地线过多I1I2I3I1I2I3ABCABCR1R2R318单点接地123123串联单点接地并联单点接地I1I2I3I1串联单点、并联单点混合接地模拟电路1模拟电路2模拟电路3数字逻辑控制电路数字信息处理电路继电器驱动电路马达驱动电路19串联单点、并联单点混合接地模拟电路1模拟电路2模拟电路3数字线路板上的地线噪声模拟数字20线路板上的地线噪声模拟数字20长地线的阻抗设备Z0=(L/C)1/2RRLLCCFP1=1/2(LC)1/2ZP=(L)2/RRAC

RDC

串联谐振并联谐振21长地线的阻抗设备Z0=(L/C)1/2RRLLCCFP1多点接地R1R2R3L1L2L3电路1电路2电路322多点接地R1R2R3L1L2L3电路1电路2电路322混合接地~Vs地电流Rs~Vs安全接地Rs安全接地地环路电流23混合接地~Vs地电流Rs~Vs安全接地Rs安全接地地环路电流屏蔽屏蔽的概念电屏蔽磁屏蔽电磁屏蔽实际屏蔽体的问题双绞线和金属屏蔽线24屏蔽屏蔽的概念24屏蔽的概念屏蔽就是利用屏蔽体阻止或减少电磁能量传播的一种措施；屏蔽体是为了阻止或减小电磁能传输而对装置进行封闭或遮蔽的一种阻挡层，它可以是导电的、导磁的、介质的或带有非金属吸收填料的。25屏蔽的概念屏蔽就是利用屏蔽体阻止或减少电磁能量传播的一种措施屏蔽效能屏蔽前的场强E1屏蔽后的场强E2屏蔽作用的大小用屏蔽效能度量:SE=20lg(E1/E2)dB26屏蔽效能屏蔽前的场强E1屏蔽后的场强E2屏蔽作用的大小用屏蔽屏蔽效能与场强衰减的关系屏蔽效能越高，每增加２０ｄＢ的难度越大。民用设备的机箱一般仅需要４０ｄＢ左右的屏蔽效能，而军用设备的机箱一般需要６０ｄＢ以上的屏蔽效能。

屏蔽前场强屏蔽后的场强衰减量屏蔽效能(dB)10.10.92010.010.994010.0010.9996010.00010.99998010.000010.9999910010.0000010.99999912027屏蔽效能与场强衰减的关系屏蔽效能越高，每增加２０ｄＢ的难度越电屏蔽具有空腔的金属导体在静电平衡状态下，不仅导体内部场强为零，而且腔内场强也为零，因而置于腔内的物体不受外界电场的影响，这种作用叫静电屏蔽。28电屏蔽具有空腔的金属导体在静电平衡状态下，不仅导体内部场强为电屏蔽静电屏蔽的一般方法是在电容耦合通道上插入一个接地的金属屏蔽导体。由于金属屏蔽导体接地，其中的干扰电压为零，从而隔断了电场干扰的原来耦合通道。C1sC1GC2GV1Vs29电屏蔽静电屏蔽的一般方法是在电容耦合通道上插入一个接地的金属磁屏蔽载流导体或线圈周围都会产生磁场，如果电流是随时间变化的，则磁场也随时间变化，这变化的磁场会对其他元件或电路造成干扰；对于低频磁场的屏蔽，主要依赖高导磁率材料所具有的小磁阻起磁分路作用30磁屏蔽载流导体或线圈周围都会产生磁场，如果电流是随时间变化的高导磁率材料的磁旁路效果H0H1H0RsR0H1R0RsSE=1+R0/RS31高导磁率材料的磁旁路效果H0H1H0RsR0H1R0RsSE怎样屏蔽低频磁场？低频磁场低频磁场吸收损耗小反射损耗小高导电材料高导磁材料高导电材料32怎样屏蔽低频磁场？低频磁场低频磁场吸收损耗小反射损耗小高导电磁屏蔽材料的频率特性151015坡莫合金金属镍钢冷轧钢0.010.11.010100kHzr10333磁屏蔽材料的频率特性151015坡莫合金金属镍钢冷轧钢0电磁屏蔽电磁屏蔽是对于高频电磁场的屏蔽电磁波在通过金属材料或对电磁波有衰减作用的阻挡层时，会受到一定程度的衰减，这就起到了电磁屏蔽的作用。34电磁屏蔽电磁屏蔽是对于高频电磁场的屏蔽34趋肤深度举例35趋肤深度举例35电磁屏蔽与静电屏蔽电磁屏蔽指的是对电磁波的屏蔽，而静电屏蔽指的是对静电场的屏蔽。静电屏蔽要求屏蔽体必须接地。影响屏蔽体电磁屏蔽效能的不是屏蔽体接地与否，而是屏蔽体导电连续性。破坏屏蔽体的导电连续性的因素有屏蔽体上不同部分的接缝、开口等。电磁屏蔽对屏蔽体的导电性要求要比静电屏蔽高得多。

36电磁屏蔽与静电屏蔽电磁屏蔽指的是对电磁波的屏蔽，而静电屏蔽实际屏蔽体的问题通风口显示窗键盘指示灯电缆插座调节旋钮实际机箱上有许多泄漏源：不同部分结合处的缝隙通风口、显示窗、按键、指示灯、电缆线、电源线等电源线缝隙37实际屏蔽体的问题通风口显示窗键盘指示灯电缆插座调节旋钮实际机缝隙的泄漏低频起主要作用高频起主要作用38缝隙的泄漏低频起主要作用高频起主要作用38缝隙的处理电磁密封衬垫缝隙39缝隙的处理电磁密封衬垫缝隙39电磁密封衬垫的种类金属丝网衬垫(带橡胶芯的和空心的)导电橡胶(不同导电填充物的)指形簧片(不同表面涂覆层的)螺旋管衬垫(不锈钢的和镀锡铍铜的)导电布40电磁密封衬垫的种类金属丝网衬垫(带橡胶芯的和空心的)40指形簧片41指形簧片41螺旋管电磁密封衬垫42螺旋管电磁密封衬垫42电磁密封衬垫的主要参数屏蔽效能(关系到总体屏蔽效能)回弹力（关系到盖板的刚度和螺钉间距）最小密封压力（关系到最小压缩量）最大形变量（关系到最大压缩量）压缩永久形变（关系到允许盖板开关次数）电化学相容性（关系到屏蔽效能的稳定性）43电磁密封衬垫的主要参数屏蔽效能(关系到总体屏蔽效能)43各种电磁密封衬垫的特点衬垫种类屏蔽效能弹性永久形变环境密封价格优点不锈钢螺旋管高好小无低价低镀锡铍铜螺旋管很高好小无中屏蔽效能高多重密封螺旋管高好小有较高有环境密封、耐久指形簧片高好小无高压缩最大、允许切向滑动接触空心金属网套低频高高频中等好较小无中需要的压力小橡胶芯金属网套低频高高频中等好小无低价低传统导电橡胶低频低高频高差大有高有环境密封、高频屏蔽好双重导电橡胶低频低高频高好小有低有环境密封、高频屏蔽好、价低定向金属丝导电橡胶低频高高频低好小有低有环境密封、价低44各种电磁密封衬垫的特点衬垫种类屏蔽效能弹性永久形变环境密封价电磁密封衬垫的安装方法绝缘漆环境密封45电磁密封衬垫的安装方法绝缘漆环境密封45显示窗/器件的处理隔离舱滤波器屏蔽窗滤波器46显示窗/器件的处理隔离舱滤波器屏蔽窗滤波器46操作器件的处理屏蔽体上开小孔用隔离舱将操作器件隔离出47操作器件的处理屏蔽体上开小孔用隔离舱将操作器件隔离出47通风口的处理穿孔金属板48通风口的处理穿孔金属板48屏蔽电缆穿过屏蔽机箱的方法在内部可将电缆延伸表面做导电清洁处理，保持360度连接注意防腐屏蔽互套屏蔽体边界屏蔽电缆与电缆套360度搭接49屏蔽电缆穿过屏蔽机箱的方法在内部可将电缆延伸表面做导电清洁处屏蔽壳体上的穿线屏蔽壳体上不允许有任何导线穿过，屏蔽效能再高的屏蔽体，一旦有导线穿过屏蔽体，屏蔽体的屏蔽效能就会大幅度下降。这是因为导线充当了接收干扰和辐射干扰的天线。当有导线要穿过屏蔽体时，必须使用贯通滤波器，如图所示。这样可以将导线接收到的干扰滤除到屏蔽体上，从而避免干扰穿过屏蔽体。50屏蔽壳体上的穿线屏蔽壳体上不允许有任何导线穿过，屏蔽效能再高搭接

电子设备中，金属部件之间的低阻抗连接称为搭接。例如：电缆屏蔽层与机箱之间搭接屏蔽体上不同部分之间的搭接滤波器与机箱之间的搭接不同机箱之间的地线搭接51搭接电子设备中，金属部件之间的低阻抗连接称为搭接。例如：5搭接不良的滤波器滤波器接地阻抗预期干扰电流路径实际干扰电流路径52搭接不良的滤波器滤波器接地阻抗预期干扰电流路径实际干扰电流路搭接不良的机箱VI航天飞行器上的搭接阻抗要小于2.5m!53搭接不良的机箱VI航天飞行器上的搭接阻抗要小于2.5m!5搭接阻抗的测量机柜~搭接阻抗频率寄生电容导线电感并联谐振点VIZ=V/I54搭接阻抗的测量机柜~搭接阻抗频率寄生电容导线电感并联谐振点V不同的搭接条55不同的搭接条55频率不同搭接方式不同56频率不同搭接方式不同56搭接点的保护57搭接点的保护57双绞线和金属屏蔽线抑制静电感应干扰采用金属网的屏蔽线；抑制电磁感应干扰采用双绞线58双绞线和金属屏蔽线抑制静电感应干扰采用金属网的屏蔽线；58金属屏蔽线59金属屏蔽线59双绞线的节距60双绞线的节距60双绞线的接地与传送距离传送距离在5米以下61双绞线的接地与传送距离传送距离在5米以下61双绞线的接地与传送距离传送距离在10米以上62双绞线的接地与传送距离传送距离在10米以上62屏蔽线的抗干扰原理屏蔽层不接地：VN=VS=V1[C1S/(C1S+C2G)]，与无屏蔽相同屏蔽层接地时：VN=VS=0，具有理想的屏蔽效果C1sC1GC2GC1GC2GC1sVsV1V1VsC2S63屏蔽线的抗干扰原理屏蔽层不接地：VN=VS=V1[屏蔽要点静电屏蔽应具有两个基本要点，即完善的屏蔽体和良好的接地。电磁屏蔽不但要求有良好的接地，而且要求屏蔽体具有良好的导电连续性，对屏蔽体的导电性要求要比静电屏蔽高得多。在实际的屏蔽中，电磁屏蔽效能更大程度上依赖于机箱的结构，即导电的连续性。机箱上的接缝、开口等都是电磁波的泄漏源。穿过机箱的电缆也是造成屏蔽效能下降的主要原因。解决机箱缝隙电磁泄漏的方式是在缝隙处用电磁密封衬垫。电磁密封衬垫是一种导电的弹性材料，它能够保持缝隙处的导电连续性。常见的电磁密封衬垫有导电橡胶、双重导电橡胶、金属编织网套、螺旋管衬垫、定向金属导电橡胶等。64屏蔽要点静电屏蔽应具有两个基本要点，即完善的屏蔽体和良滤波滤波器的作用滤波器的种类信号滤波器的安装位置滤波器的正确安装65滤波滤波器的作用65滤波器的概念无源滤波器有源滤波器数字滤波器衰减系数66滤波器的概念无源滤波器66滤波器的作用信号滤波器电源滤波器切断干扰沿信号线或电源线传播的路径，与屏蔽共同构成完善的干扰防护。67滤波器的作用信号滤波器电源滤波器切断干扰沿信号线或电源线传播满足电源线干扰发射和抗扰度要求68满足电源线干扰发射和抗扰度要求68满足抗扰度及设备辐射发射要求信号线滤波器干扰源69满足抗扰度及设备辐射发射要求信号线滤波器干扰源69开关电源噪声

50Hz的奇次谐波（1、3、5、7）

开关频率的基频和谐波（1MHz以下差模为主，1MHz以上共模为主）70开关电源噪声50Hz的奇次谐波（1、3、5、7）滤波器的种类衰减衰减衰减衰减低通带通高通带阻3dB截止频率71滤波器的种类衰减衰减衰减衰减低通带通高通带阻3dB截止频率7低通滤波器类型CTL反72低通滤波器类型CTL反72滤波器的选择根据阻抗选用滤波电路器件参数的确定低通滤波器对脉冲信号的影响73滤波器的选择73根据阻抗选用滤波电路源阻抗电路结构负载阻抗高C、、多级高高

、多级低低反、多级反高低L、多级L低规律：电容对高阻，电感对低阻74根据阻抗选用滤波电路源阻抗电路结构负载器件参数的确定LCRRL=R/2FCC=1/2RFC对于T形（多级T）和形（多级）电路，最外边的电感或电容取L/2和C/2，中间的不变。75器件参数的确定LCRRL=R/2FC实际电容器的特性ZC实际电容理想电容f引线长1.6mm的陶瓷电容器电容量谐振频率(MHZ)1F1.70.1F40.01F12.6

3300pF19.31100pF33680pF42.5330pF601/2LCCL76实际电容器的特性ZC实际电容理想电容f引线长1.6mm的陶瓷陶瓷电容谐振频率1nf1M100k1010.110k1k10010Hz1001k10k100k1M10M100M1G阻抗100pf10nf100nf10f1f10mf100f1m10cm1cm1mm77陶瓷电容谐振频率1nf1M100k1010.110k1k10温度对陶瓷电容容量的影响0.15-0.150-551255-150-55125-10-5COGX7R-6020-3090-300Y5V30%C%C%C78温度对陶瓷电容容量的影响0.15-0.150-551255-电压对陶瓷电容容量的影响COGX7RY5V200-20-40-60-80020406080100

%额定电压（Vdc）%C79电压对陶瓷电容容量的影响COGX7RY5V200-20-40实际电感器的特性ZL理想电感实际电感f电感量（H）谐振频率

(MHZ)3.4458.828685.7

1252.65001.2

绕在铁粉芯上的电感1/2LCLC80实际电感器的特性ZL理想电感实际电感f电感量谐振频率电感寄生电容的来源每圈之间的电容CTT导线与磁芯之间的电容CTC磁芯为导体时，CTC为主要因素，磁芯为非导体时，CTT为主要因素。81电感寄生电容的来源每圈之间的电容CTT磁芯为导体时，CTC克服电容非理想性的方法衰减电容并联LC并联电感并联小电容大电容并联电容频率大容量小容量82克服电容非理想性的方法衰减电容并联LC并联三端电容器的原理引线电感与电容一起构成了一个T形低通滤波器在引线上安装两个磁珠滤波效果更好地线电感起着不良作用三端电容普通电容30701GHz20604083三端电容器的原理引线电感与电容一起构成了一个T形低通滤波器地三端电容的正确使用接地点要求：1干净地2与机箱或其它较大的金属件射频搭接84三端电容的正确使用接地点要求：84三端电容器的不足寄生电容造成输入端、输出端耦合接地电感造成旁路效果下降85三端电容器的不足寄生电容造成输入端、输出端耦合接地电感造成旁穿心电容更胜一筹金属板隔离输入输出端一周接地电感很小86穿心电容更胜一筹金属板隔离输入输出端一周接地电感很小86穿心电容、馈通滤波器以穿心电容为基础的馈通滤波器87穿心电容、馈通滤波器以穿心电容为基础的馈通滤波器87馈通滤波器使用注意事项必须安装在金属板上，并在一周接地最好焊接，螺纹安装时要使用带齿垫片焊接时间不能过长上紧螺纹时扭矩不能过大88馈通滤波器使用注意事项必须安装在金属板上，并在一周接地88线路板上使用馈通滤波器线路板地线面上面底面89线路板上使用馈通滤波器线路板地线面上面底面89减小电感寄生电容的方法然后：起始端与终止端远离（夹角大于40度）尽量单层绕制，并增加匝间距离多层绕制时，采用“渐进”方式绕，不要来回绕分组绕制（要求高时，用大电感和小电感串联起来使用）如果磁芯是导体，首先：用介电常数低的材料增加绕组导体与磁芯之间的距离90减小电感寄生电容的方法然后：如果磁芯是导体，首先：90共模扼流圈共模扼流圈中的负载电流产生的磁场相互抵销，因此磁芯不会饱和。91共模扼流圈共模扼流圈中的负载电流产生的磁场相互抵销，因此磁芯电感磁芯的选用铁粉磁芯：不易饱和、导磁率低，作差模扼流圈的磁芯铁氧体：最常用锰锌：r=500~10000，R=0.1~100m镍锌：r=10~100，R=1k~1Mm超微晶：r>10000，做大电感量共模扼流圈的磁心92电感磁芯的选用铁粉磁芯：不易饱和、导磁率低，作差模扼流圈的磁干扰抑制用铁氧体Z=jL+R

RZLR(f)1MHz10MHz100MHz1000MHz93干扰抑制用铁氧体Z=jL+RRZLR(f)1低通滤波器对脉冲信号的影响94低通滤波器对脉冲信号的影响94信号滤波器的安装位置板上滤波器无屏蔽的场合滤波器靠近被滤波导线的靠近器件或线路板一端。有屏蔽的场合：在屏蔽界面上95信号滤波器的安装位置板上滤波器无屏蔽的场合滤波器靠近被滤波导板上滤波器的注意事项滤波器要并排安装线路板的干净地与金属机箱或大金属板紧密搭接为滤波设置干净地在接口处设置档板滤波器靠近接口96板上滤波器的注意事项滤波器要并排安装线路板的干净地与金属机箱面板上滤波的简易（临时）方法容量适当的瓷片电容或独石电容，引线尽量短97面板上滤波的简易（临时）方法容量适当的瓷片电容或独石电容，引电缆滤波的方法屏蔽盒馈通滤波器连接器98电缆滤波的方法屏蔽盒馈通滤波器连接器98自制面板滤波器滤波电路可以按照需要设计，但是至少有一级馈通滤波器连接器按照需要选择，也可以是引线锡焊，保证完全隔离螺纹盲孔99自制面板滤波器滤波电路可以按照需要设计，但是至少有一级馈通滤面板安装滤波器注意事项滤波器与面板之间必须使用电磁密封衬垫！100面板安装滤波器注意事项滤波器与面板之间必须使用电磁密封衬垫！使用形滤波器的注意事项滤波器接地阻抗预期干扰电流路径实际干扰电流路径101使用形滤波器的注意事项滤波器接地阻抗预期干扰电流路径实际干滤波器的正确安装滤波器PCB电源PCB滤波电路102滤波器的正确安装滤PCB电源PCB滤波电路102滤波器安装在线路板的问题电源线泄漏严重机箱内干扰103滤波器安装在线路板的问题电源线泄漏严重机箱内干扰103线路板上滤波的改进方法电源线无泄漏机箱内干扰被滤波器挡住被滤波器旁路掉面板滤波器104线路板上滤波的改进方法电源线无泄漏机箱内干扰被滤波器挡住被滤电源线滤波器的错误安装PCB滤波器滤波器输入线过长输入、输出耦合PCB105电源线滤波器的错误安装PCB滤波器滤波器输入线过长输入、输出电源线滤波器的错误安装滤波器绝缘漆PCB滤波器通过细线接地，高频效果很差！接地线106电源线滤波器的错误安装滤波器绝缘漆PCB滤波器通过细线接地，这样试一试机箱外机箱内屏蔽箱107这样试一试机箱外机箱内屏蔽箱107还要注意的一个小问题108还要注意的一个小问题108

第三章硬件抗干扰技术谈英姿tanyz@东南大学自控系工业自动化教研室1/4/2023109

第三章硬件抗干扰技术谈英姿12/29/20221主要硬件抗干扰技术接地屏蔽滤波110主要硬件抗干扰技术接地2接地为什么要地线地线问题－地环路地线问题－公共阻抗耦合接地方式种类电缆屏蔽层的接地

111接地为什么要地线3安全地220V0V+++++112安全地220V0V+++++4信号地定义：信号电流流回信号源的低阻抗路径113信号地定义：信号电流流回信号源的低阻抗路径5地线引发干扰问题的原因V=IR地线电压地线是等电位的假设不成立电流走最小阻抗路径我们并不知道地电流的确切路径地电流失去控制114地线引发干扰问题的原因V=IR地线电压地线是等电位的假地线电位示意图2mV200mV2mV~10mV10mV~20mV20mV~100mV100mV~200mV115地线电位示意图2mV200mV2mV~10mV10导线的阻抗Z=RAC+jLL1H/m=1/(frr)1/2

RAC=0.076rf1/2RDCr电流深度0.37II趋肤效应116导线的阻抗Z=RAC+jLL1H/m导线的阻抗117导线的阻抗9金属条与导线的阻抗比较012345678910S/W金属条阻抗/导线阻抗118金属条与导线的阻抗比较0地线问题－地环路IGVGVN地环路I1I2119地线问题－地环路IGVGVN地环路I1I211隔离变压器屏蔽层只能接2点！C2VG12C1屏蔽CPVGVSVNRL120隔离变压器屏蔽层只能接2点！C2VG12C1屏蔽CPVGVS光隔离器发送接收RLVGVS光耦器件Cp121光隔离器发送接收RLVGVS光耦器件Cp13共模扼流圈的作用VsR1R1RLLVGIN1IN2ISVS+VN=R1/LVN/VGRL/（RS+RL）Mf122共模扼流圈的作用VsR1R1RLLVGIN1IN2ISVS平衡电路对地环路干扰的抑制VGRS1VS1RS2RL2RL1VS2IN1IN2ISVL123平衡电路对地环路干扰的抑制VGRS1VS1RS2RL2RL1地线问题－公共阻抗耦合电路1电路2地电流1地电流2公共地阻抗V~124地线问题－公共阻抗耦合电路1电路2地电流1地电流2公共地阻抗接地方式种类信号接地方式并联单点接地串联单点接地混合接地多点接地单点接地125接地方式种类信号接地方式并联单点接地单点接地123123串联单点接地优点：简单缺点：公共阻抗耦合并联单点接地优点：无公共阻抗耦合缺点：接地线过多I1I2I3I1I2I3ABCABCR1R2R3126单点接地123123串联单点接地并联单点接地I1I2I3I1串联单点、并联单点混合接地模拟电路1模拟电路2模拟电路3数字逻辑控制电路数字信息处理电路继电器驱动电路马达驱动电路127串联单点、并联单点混合接地模拟电路1模拟电路2模拟电路3数字线路板上的地线噪声模拟数字128线路板上的地线噪声模拟数字20长地线的阻抗设备Z0=(L/C)1/2RRLLCCFP1=1/2(LC)1/2ZP=(L)2/RRAC

RDC

串联谐振并联谐振129长地线的阻抗设备Z0=(L/C)1/2RRLLCCFP1多点接地R1R2R3L1L2L3电路1电路2电路3130多点接地R1R2R3L1L2L3电路1电路2电路322混合接地~Vs地电流Rs~Vs安全接地Rs安全接地地环路电流131混合接地~Vs地电流Rs~Vs安全接地Rs安全接地地环路电流屏蔽屏蔽的概念电屏蔽磁屏蔽电磁屏蔽实际屏蔽体的问题双绞线和金属屏蔽线132屏蔽屏蔽的概念24屏蔽的概念屏蔽就是利用屏蔽体阻止或减少电磁能量传播的一种措施；屏蔽体是为了阻止或减小电磁能传输而对装置进行封闭或遮蔽的一种阻挡层，它可以是导电的、导磁的、介质的或带有非金属吸收填料的。133屏蔽的概念屏蔽就是利用屏蔽体阻止或减少电磁能量传播的一种措施屏蔽效能屏蔽前的场强E1屏蔽后的场强E2屏蔽作用的大小用屏蔽效能度量:SE=20lg(E1/E2)dB134屏蔽效能屏蔽前的场强E1屏蔽后的场强E2屏蔽作用的大小用屏蔽屏蔽效能与场强衰减的关系屏蔽效能越高，每增加２０ｄＢ的难度越大。民用设备的机箱一般仅需要４０ｄＢ左右的屏蔽效能，而军用设备的机箱一般需要６０ｄＢ以上的屏蔽效能。

屏蔽前场强屏蔽后的场强衰减量屏蔽效能(dB)10.10.92010.010.994010.0010.9996010.00010.99998010.000010.9999910010.0000010.999999120135屏蔽效能与场强衰减的关系屏蔽效能越高，每增加２０ｄＢ的难度越电屏蔽具有空腔的金属导体在静电平衡状态下，不仅导体内部场强为零，而且腔内场强也为零，因而置于腔内的物体不受外界电场的影响，这种作用叫静电屏蔽。136电屏蔽具有空腔的金属导体在静电平衡状态下，不仅导体内部场强为电屏蔽静电屏蔽的一般方法是在电容耦合通道上插入一个接地的金属屏蔽导体。由于金属屏蔽导体接地，其中的干扰电压为零，从而隔断了电场干扰的原来耦合通道。C1sC1GC2GV1Vs137电屏蔽静电屏蔽的一般方法是在电容耦合通道上插入一个接地的金属磁屏蔽载流导体或线圈周围都会产生磁场，如果电流是随时间变化的，则磁场也随时间变化，这变化的磁场会对其他元件或电路造成干扰；对于低频磁场的屏蔽，主要依赖高导磁率材料所具有的小磁阻起磁分路作用138磁屏蔽载流导体或线圈周围都会产生磁场，如果电流是随时间变化的高导磁率材料的磁旁路效果H0H1H0RsR0H1R0RsSE=1+R0/RS139高导磁率材料的磁旁路效果H0H1H0RsR0H1R0RsSE怎样屏蔽低频磁场？低频磁场低频磁场吸收损耗小反射损耗小高导电材料高导磁材料高导电材料140怎样屏蔽低频磁场？低频磁场低频磁场吸收损耗小反射损耗小高导电磁屏蔽材料的频率特性151015坡莫合金金属镍钢冷轧钢0.010.11.010100kHzr103141磁屏蔽材料的频率特性151015坡莫合金金属镍钢冷轧钢0电磁屏蔽电磁屏蔽是对于高频电磁场的屏蔽电磁波在通过金属材料或对电磁波有衰减作用的阻挡层时，会受到一定程度的衰减，这就起到了电磁屏蔽的作用。142电磁屏蔽电磁屏蔽是对于高频电磁场的屏蔽34趋肤深度举例143趋肤深度举例35电磁屏蔽与静电屏蔽电磁屏蔽指的是对电磁波的屏蔽，而静电屏蔽指的是对静电场的屏蔽。静电屏蔽要求屏蔽体必须接地。影响屏蔽体电磁屏蔽效能的不是屏蔽体接地与否，而是屏蔽体导电连续性。破坏屏蔽体的导电连续性的因素有屏蔽体上不同部分的接缝、开口等。电磁屏蔽对屏蔽体的导电性要求要比静电屏蔽高得多。

144电磁屏蔽与静电屏蔽电磁屏蔽指的是对电磁波的屏蔽，而静电屏蔽实际屏蔽体的问题通风口显示窗键盘指示灯电缆插座调节旋钮实际机箱上有许多泄漏源：不同部分结合处的缝隙通风口、显示窗、按键、指示灯、电缆线、电源线等电源线缝隙145实际屏蔽体的问题通风口显示窗键盘指示灯电缆插座调节旋钮实际机缝隙的泄漏低频起主要作用高频起主要作用146缝隙的泄漏低频起主要作用高频起主要作用38缝隙的处理电磁密封衬垫缝隙147缝隙的处理电磁密封衬垫缝隙39电磁密封衬垫的种类金属丝网衬垫(带橡胶芯的和空心的)导电橡胶(不同导电填充物的)指形簧片(不同表面涂覆层的)螺旋管衬垫(不锈钢的和镀锡铍铜的)导电布148电磁密封衬垫的种类金属丝网衬垫(带橡胶芯的和空心的)40指形簧片149指形簧片41螺旋管电磁密封衬垫150螺旋管电磁密封衬垫42电磁密封衬垫的主要参数屏蔽效能(关系到总体屏蔽效能)回弹力（关系到盖板的刚度和螺钉间距）最小密封压力（关系到最小压缩量）最大形变量（关系到最大压缩量）压缩永久形变（关系到允许盖板开关次数）电化学相容性（关系到屏蔽效能的稳定性）151电磁密封衬垫的主要参数屏蔽效能(关系到总体屏蔽效能)43各种电磁密封衬垫的特点衬垫种类屏蔽效能弹性永久形变环境密封价格优点不锈钢螺旋管高好小无低价低镀锡铍铜螺旋管很高好小无中屏蔽效能高多重密封螺旋管高好小有较高有环境密封、耐久指形簧片高好小无高压缩最大、允许切向滑动接触空心金属网套低频高高频中等好较小无中需要的压力小橡胶芯金属网套低频高高频中等好小无低价低传统导电橡胶低频低高频高差大有高有环境密封、高频屏蔽好双重导电橡胶低频低高频高好小有低有环境密封、高频屏蔽好、价低定向金属丝导电橡胶低频高高频低好小有低有环境密封、价低152各种电磁密封衬垫的特点衬垫种类屏蔽效能弹性永久形变环境密封价电磁密封衬垫的安装方法绝缘漆环境密封153电磁密封衬垫的安装方法绝缘漆环境密封45显示窗/器件的处理隔离舱滤波器屏蔽窗滤波器154显示窗/器件的处理隔离舱滤波器屏蔽窗滤波器46操作器件的处理屏蔽体上开小孔用隔离舱将操作器件隔离出155操作器件的处理屏蔽体上开小孔用隔离舱将操作器件隔离出47通风口的处理穿孔金属板156通风口的处理穿孔金属板48屏蔽电缆穿过屏蔽机箱的方法在内部可将电缆延伸表面做导电清洁处理，保持360度连接注意防腐屏蔽互套屏蔽体边界屏蔽电缆与电缆套360度搭接157屏蔽电缆穿过屏蔽机箱的方法在内部可将电缆延伸表面做导电清洁处屏蔽壳体上的穿线屏蔽壳体上不允许有任何导线穿过，屏蔽效能再高的屏蔽体，一旦有导线穿过屏蔽体，屏蔽体的屏蔽效能就会大幅度下降。这是因为导线充当了接收干扰和辐射干扰的天线。当有导线要穿过屏蔽体时，必须使用贯通滤波器，如图所示。这样可以将导线接收到的干扰滤除到屏蔽体上，从而避免干扰穿过屏蔽体。158屏蔽壳体上的穿线屏蔽壳体上不允许有任何导线穿过，屏蔽效能再高搭接

电子设备中，金属部件之间的低阻抗连接称为搭接。例如：电缆屏蔽层与机箱之间搭接屏蔽体上不同部分之间的搭接滤波器与机箱之间的搭接不同机箱之间的地线搭接159搭接电子设备中，金属部件之间的低阻抗连接称为搭接。例如：5搭接不良的滤波器滤波器接地阻抗预期干扰电流路径实际干扰电流路径160搭接不良的滤波器滤波器接地阻抗预期干扰电流路径实际干扰电流路搭接不良的机箱VI航天飞行器上的搭接阻抗要小于2.5m!161搭接不良的机箱VI航天飞行器上的搭接阻抗要小于2.5m!5搭接阻抗的测量机柜~搭接阻抗频率寄生电容导线电感并联谐振点VIZ=V/I162搭接阻抗的测量机柜~搭接阻抗频率寄生电容导线电感并联谐振点V不同的搭接条163不同的搭接条55频率不同搭接方式不同164频率不同搭接方式不同56搭接点的保护165搭接点的保护57双绞线和金属屏蔽线抑制静电感应干扰采用金属网的屏蔽线；抑制电磁感应干扰采用双绞线166双绞线和金属屏蔽线抑制静电感应干扰采用金属网的屏蔽线；58金属屏蔽线167金属屏蔽线59双绞线的节距168双绞线的节距60双绞线的接地与传送距离传送距离在5米以下169双绞线的接地与传送距离传送距离在5米以下61双绞线的接地与传送距离传送距离在10米以上170双绞线的接地与传送距离传送距离在10米以上62屏蔽线的抗干扰原理屏蔽层不接地：VN=VS=V1[C1S/(C1S+C2G)]，与无屏蔽相同屏蔽层接地时：VN=VS=0，具有理想的屏蔽效果C1sC1GC2GC1GC2GC1sVsV1V1VsC2S171屏蔽线的抗干扰原理屏蔽层不接地：VN=VS=V1[屏蔽要点静电屏蔽应具有两个基本要点，即完善的屏蔽体和良好的接地。电磁屏蔽不但要求有良好的接地，而且要求屏蔽体具有良好的导电连续性，对屏蔽体的导电性要求要比静电屏蔽高得多。在实际的屏蔽中，电磁屏蔽效能更大程度上依赖于机箱的结构，即导电的连续性。机箱上的接缝、开口等都是电磁波的泄漏源。穿过机箱的电缆也是造成屏蔽效能下降的主要原因。解决机箱缝隙电磁泄漏的方式是在缝隙处用电磁密封衬垫。电磁密封衬垫是一种导电的弹性材料，它能够保持缝隙处的导电连续性。常见的电磁密封衬垫有导电橡胶、双重导电橡胶、金属编织网套、螺旋管衬垫、定向金属导电橡胶等。172屏蔽要点静电屏蔽应具有两个基本要点，即完善的屏蔽体和良滤波滤波器的作用滤波器的种类信号滤波器的安装位置滤波器的正确安装173滤波滤波器的作用65滤波器的概念无源滤波器有源滤波器数字滤波器衰减系数174滤波器的概念无源滤波器66滤波器的作用信号滤波器电源滤波器切断干扰沿信号线或电源线传播的路径，与屏蔽共同构成完善的干扰防护。175滤波器的作用信号滤波器电源滤波器切断干扰沿信号线或电源线传播满足电源线干扰发射和抗扰度要求176满足电源线干扰发射和抗扰度要求68满足抗扰度及设备辐射发射要求信号线滤波器干扰源177满足抗扰度及设备辐射发射要求信号线滤波器干扰源69开关电源噪声

50Hz的奇次谐波（1、3、5、7）

开关频率的基频和谐波（1MHz以下差模为主，1MHz以上共模为主）178开关电源噪声50Hz的奇次谐波（1、3、5、7）滤波器的种类衰减衰减衰减衰减低通带通高通带阻3dB截止频率179滤波器的种类衰减衰减衰减衰减低通带通高通带阻3dB截止频率7低通滤波器类型CTL反180低通滤波器类型CTL反72滤波器的选择根据阻抗选用滤波电路器件参数的确定低通滤波器对脉冲信号的影响181滤波器的选择73根据阻抗选用滤波电路源阻抗电路结构负载阻抗高C、、多级高高

、多级低低反、多级反高低L、多级L低规律：电容对高阻，电感对低阻182根据阻抗选用滤波电路源阻抗电路结构负载器件参数的确定LCRRL=R/2FCC=1/2RFC对于T形（多级T）和形（多级）电路，最外边的电感或电容取L/2和C/2，中间的不变。183器件参数的确定LCRRL=R/2FC实际电容器的特性ZC实际电容理想电容f引线长1.6mm的陶瓷电容器电容量谐振频率(MHZ)1F1.70.1F40.01F12.6

3300pF19.31100pF33680pF42.5330pF601/2LCCL184实际电容器的特性ZC实际电容理想电容f引线长1.6mm的陶瓷陶瓷电容谐振频率1nf1M100k1010.110k1k10010Hz1001k10k100k1M10M100M1G阻抗100pf10nf100nf10f1f10mf100f1m10cm1cm1mm185陶瓷电容谐振频率1nf1M100k1010.110k1k10温度对陶瓷电容容量的影响0.15-0.150-551255-150-55125-10-5COGX7R-6020-3090-300Y5V30%C%C%C186温度对陶瓷电容容量的影响0.15-0.150-551255-电压对陶瓷电容容量的影响COGX7RY5V200-20-40-60-80020406080100

%额定电压（Vdc）%C187电压对陶瓷电容容量的影响COGX7RY5V200-20-40实际电感器的特性ZL理想电感实际电感f电感量（H）谐振频率

(MHZ)3.4458.828685.7

1252.65001.2

绕在铁粉芯上的电感1/2LCLC188实际电感器的特性ZL理想电感实际电感f电感量谐振频率电感寄生电容的来源每圈之间的电容CTT导线与磁芯之间的电容CTC磁芯为导体时，CTC为主要因素，磁芯为非导体时，CTT为主要因素。189电感寄生电容的来源每圈之间的电容CTT磁芯为导体时，CTC克服电容非理想性的方法衰减电容并联LC并联电感并联小电容大电容并联电容频率大容量小容量190克服电容非理想性的方法衰减电容并联LC并联三端电容器的原理引线电感与电容一起构成了一个T形低通滤波器在引线上安装两个磁珠滤波效果更好地线电感起着不良作用三端电容普通电容