太阳能电池组件发展史课件

地面用晶体硅光伏组件封装技术地面用晶体硅光伏组件封装技术

太阳能光伏发电简史：1839年法国物理学家A.E.贝克勒尔意外的发现：将两片金属侵入溶液构成的伏打电池，当受到太阳光照射时会产生额外的伏打电动势。他把这种现象称为“光生伏打效应”（Photovoltaiceffict),简称“光伏效应”。1883年有人在硒和金属接触处发现了固体光伏效应，此后人们把能够产生光伏效应的器件称为“光伏器件”，半导体P-N结器件在太阳光照射下光电转换效率最高，故而把这类器件称为“太阳能电池”（Solarcell)。1954年恰宾（Charbin)等人在美国贝尔电话实验室第一次作出了光电转换效率为6%的试验用的单晶硅太阳能电池，开创了太阳能电池研究的新纪元。太阳能光伏发电简史：1839年法国物理学1839法国科学家贝克勒尔（Becqurel）发现“光生伏打效应”1931朗格首次提出用“光伏效应”制造“太阳能电池”实现光能变成电能1954皮尔松和恰宾在美国贝尔实验室首次制成实用的单晶硅太阳能电池1958太阳能电池首次在太空应用，装备于美国先锋1号卫星1960硅太阳能电池首次实现并网运行1978美国建成100KW地面太阳能光伏电站1983美国建成1MW光伏电站1986美国建成6.5MW光伏电站1990德国提出“2000光伏屋顶计划”，每个家庭屋顶安装3-5KW光伏电站1997美国提出“克林顿总统拜望太阳能屋顶计划”，日本43亿瓦“新阳光计划”1998荷兰政府提出“百万光伏屋顶计划”1999日本太阳能电池总产量首次超过美国居世界第一位2000世界光伏电池总产量287KW，欧盟计划2010年生产60亿瓦光伏电池1839法国科学家贝克勒尔（Becqurel）发现“光生伏打太阳能光伏行业著名厂商SharpBPSolarKyoceraShellSolarGE-solarSanyoQ-cellMitsubishiMotechSuntechPhotowatt太阳能光伏行业著名厂商Sharp太阳能电池的分类：按基材分类晶体硅太阳能电池非晶硅太阳能电池微晶硅薄膜太阳能电池纳米晶硅薄膜太阳能电池硒光电池化合物太阳能电池有机半导体太阳能电池单晶硅太阳能电池多晶硅太阳能电池PIN单结非晶硅薄膜太阳能电池双结非晶硅薄膜太阳能电池三结非晶硅薄膜太阳能电池砷化镓太阳能电池太阳能电池的分类：按基材分类晶体硅太阳能电池非晶硅太阳能电池太阳能电池的分类：按用途分类空间太阳能电池地面用太阳能电池光伏传感器按工作方式分类平板太阳能电池分光太阳能电池聚光太阳能电池太阳能电池的分类：按用途分类空间太阳能电池地面用太阳能电池光太阳能电池发电原理太阳能电池发电原理P型半导体的形成：

如左图，正电荷表示硅原子，负电荷表示围绕在硅原子旁边的四个电子。

当硅晶体中掺入硼时，负电荷表示围绕在硅原子旁边的四个电子。而黄色的表示掺入的硼原子，因为硼原子周围只有三个电子，所以就会产生入图所示的蓝色的空穴，这个空穴因为没有电子而变得很不稳定容易吸收电子而中和，形成P型半导体。P型半导体的形成：如左图，正电荷表示硅原子，负N型半导体的形成：

如左图，正电荷表示硅原子，负电荷表示围绕在硅原子旁边的四个电子。

掺入磷原子以后，因为磷原子有五个电子，所以就会有一个电子变得非常活跃，形成N型半导体。黄色N型半导体的形成：如左图，正电荷表示硅原子，负P-N结的形成：

将一块P型半导体和N型半导体紧密连接在一起，这种紧密连接不能有缝隙，是一种原子半径尺度上的紧密连接。此时将在N型半导体和P型半导体的结合面上形成如下物理过程。

图中兰色小圆为多子电子；红色小圆为多子空穴。

N型半导体中的多子电子的浓度远大于P型半导体中少子电子的浓度；P型半导体中多子空穴的浓度远大于N型半导体中少子空穴的浓度。于是在两种半导体的界面上会因载流子的浓度差发生了扩散运动，见左图。扩散电流P-N结的形成：将一块P型半导体和N型半导体紧密P-N结的形成：

随着扩散运动的进行，在界面N区的一侧，随着电子向P区的扩散，杂质变成正离子；在界面P区的一侧，随着空穴向N区的扩散，杂质变成负离子。杂质在晶格中是不能移动的，所以在N型和P型半导体界面的N型区一侧会形成正离子薄层；在P型区一侧会形成负离子薄层。这种离子薄层会形成一个电场，方向是从N区指向P区，称为内电场，见左上图。

内电场的出现及内电场的方向会对扩散运动产生阻碍作用，限制了扩散运动的进一步发展。在半导体中还存在少子，内电场的电场力会对少子产生作用，促使少数载流子产生漂移运动。内电场内电场漂移电流P-N结的形成：随着扩散运动的进行，在界面N区P-N结的形成：

我们称从N区指向P区的内电场为PN结，简单的描述为：N型半导体中含有较多的空穴，而P型半导体中含有较多的电子，这样，当P型和N型半导体结合在一起时，就会在接触面形成电势差，这就是PN结。P-N结的形成：我们称从N区指向P区的内电场为晶体硅太阳能电池一、晶体硅太阳电池：单晶硅太阳能电池多晶硅太阳能电池常规几何尺寸:103*103mm125*125mm150*150mm156*156mm厚度：≥

200μm

目前常见晶体硅太阳电池的基体材料多为P型半导体参杂磷原子制结经过加工处理成为电池片；N型半导体做基材的也有，但较少。晶体硅太阳能电池一、晶体硅太阳电池：单晶硅太阳能电池多晶硅太晶体硅太阳能电池结构晶体硅太阳能电池结构太阳能电池测试I-V曲线图如下：太阳能电池测试I-V曲线图如下：晶体硅太阳能电池等效电路：晶体硅太阳能电池等效电路：晶体硅太阳能电池电性能输出：I=IL-ID-IRsh=IL-I0(e-1)-q(U-IRs)/AkT

I(Rs+RL)

RshU=IRLP=UI=[IL-I0(e-1)-]Uq(U-IRs)/AkT

I(Rs+RL)

Rsh=[IL-I0(e-1)-]RLq(U-IRs)/AkT

I(Rs+RL)

Rsh2晶体硅太阳能电池电性能输出：I=IL-ID-IRsh=IL-晶体硅太阳能电池最佳工作点：

当RL从0变化至无穷大时曲线上的任意一点都称为工作点，工作点和原点的连线称为负载线，调节RL到某一值Rm时，在曲线上得到最大点M，对应的Im和Um之积最大。即：

Pm=ImUm

一般称M点为太阳电池组件的最佳工作点（或者最大功率点）；Im为最佳工作电流；Um为最佳工作电压；Rm为最佳负载电阻；Pm为最大输出功率。晶体硅太阳能电池最佳工作点：当RL从0变化至无穷晶体硅太阳能电池组件填充因子：

最大输出功率Pm和（Isc*Uoc）之比称为填充因子，这是用以衡量电池组件输出特性好坏的重要标志之一。FF==

填充因子表明电池组件的优劣，当光谱辐照度一定，FF愈大曲线愈方，输出功率也愈高。其与入射光谱辐照度、反向饱和电流、A因子、串联或并联电阻密切相关。晶体硅太阳能电池组件填充因子：最大输出功率Pm晶体硅太阳能电池组件转换效率：eff==

电池组件受照射时，输出电功率与入射光功率之比称为电池组件的效率也称光电转换效率。At——电池组件的有效受光面积Pin——单位面积的入射光功率晶体硅太阳能电池组件转换效率：eff=单晶硅太阳电池转换效率发展过程单晶硅太阳电池转换效率发展过程晶体硅太阳能电池组件

当今世界实用的太阳能电池组件主要有单晶硅电池组件、多晶硅太阳能电池组件、刚性衬底薄膜太阳能电池组件（非晶硅太阳能电池组件和碲化镉薄膜太阳能电池组件）以及柔性薄膜太阳能电池组件。

单晶硅太阳能电池和多晶硅太阳能电池统称晶体硅太阳能电池。由于单体晶体硅太阳电池的面积较小，且输出电压低，人们为了满足工作需要，将单体电池用导线进行串（并）联成所需要的电池方阵，通过封装材料将其封装在经过钢化处理的浮法玻璃上，引出电极，安装上外框就形成了晶体硅太阳能电池组件。组件的封装结构、材料、工艺影响组件寿命和可靠性。晶体硅太阳能电池组件当今世界实用的太阳能电池晶体硅太阳能电池组件的特点：一、结构简单，造型美观；

二、节能环保；

三、成本较高；

四、安装、运输简变；

五、可靠性高，使用寿命长；

六、应用领域广泛。晶体硅太阳能电池组件的特点：一、结构简单，造型美观；

二、晶体硅太阳能电池组件一晶体硅太阳能电池组件一晶体硅太阳能电池组件的结构：晶体硅太阳能电池组件的结构：晶体硅太阳能电池组件的结构：晶体硅太阳能电池组件的结构：晶体硅太阳能电池组件的结构：晶体硅太阳能电池组件的结构：晶体硅太阳能电池组件I-V曲线：晶体硅太阳能电池组件I-V曲线：晶体硅太阳能电池组件电性能输出指标：Voc

开路电压Isc

短路电流

Vmp

最佳工作电压Imp

最佳工作电流

Pmax

最大功率eff

转换效率

FF

填充因数晶体硅太阳能电池组件电性能输出指标：Voc开路电压国际标准测试条件：光谱：AM1.5温度：25℃光强（辐照度）：1000W/m2低辐照度下的测试条件：

依据IEC60904-1的规定，在25℃和辐照度为200w·m-2（用适当的标准电池测定）的自然阳光或符合IEC60904-9要求的B类或更好模拟器下，确定组件随负荷变化的电性能。国际标准测试条件：光谱：AM1.5低辐照度下的测试条件：晶体硅太阳能电池组件温度特性：最大功率温度系数P:-(0.5±0.05)%/℃短路电流温度系数

I：(0.065±0.015)%/℃

开路电压温度系数

V:-2mV最佳工作温度

NOCT:47±2℃晶体硅太阳能电池组件温度特性：最大功率温度系数一个常规单晶硅组件铭牌参数如型号为BP4175和BP4165单晶硅组件参数如下:Pmax175W165WVoc44.5V43.7VIsc5.5A5.4AVmp35.4V34.3VImp4.9A4.8A短路电流温度系数：(0.065±0.015)%/℃开路电压温度系数：-(160±10)mV最大功率温度系数：-(0.5±0.05)%/℃NOCT：47±2℃最大系统电压：600V（美国NEC参数）1000V（德国莱茵TV参数）最大串保险丝参数：15A

一个常规单晶硅组件铭牌参数如型号为BP4175和BP4165一个常规多晶硅组件铭牌参数如型号为BP3170和BP3165单晶硅组件参数如下:Pmax170W165WVoc44.4V44.2VIsc5.27A5.1AVpm35.3V35.2VIpm4.79A4.7A短路电流温度系数：(0.065±0.015)%/℃开路电压温度系数：-(160±10)mV最大功率温度系数：-(0.5±0.05)%/℃NOCT：47±2℃最大系统电压：600V(美国NEC参数)1000V(德国莱茵TÜV参数

)最大串保险丝参数：15A

一个常规多晶硅组件铭牌参数如型号为BP3170和BP3165晶体硅太阳能电池组件负载特性曲线：晶体硅太阳能电池组件负载特性曲线：晶体硅制造工艺流程可用硅制造工艺流程：硅沙焦炭电炉冶金硅盐酸三氯氢硅CH4硅烷多晶硅+H2多晶硅制造：杜邦法（SiCl4还原法）三氯氢硅法（西门子法）硅烷法单晶硅制造：切克劳斯基法(CZ法)区熔法(FZ法)晶体硅制造工艺流程可用硅制造工艺流程：硅沙焦炭电炉冶金硅盐酸国外10个主要多晶硅制造厂商的生产能力及发展预测2005年末用途2006年末用途2007年2008年产能产量半导体太阳能产能预产量半导体太阳能能力预产量能力日本德山曹达52005200410011005400540041001300540054005400三菱材料160016001400200160016001400200160016001600住友钛80080080009009008000900900900美国黑姆洛克770077004800290010000950060003500145001400018000ASiMi3000300028002003300330020001300360036003600SGS22002200022002200220002100220022004400MEMC27001500150002700150015000270017006700三菱多晶硅120011001000100120011001000100150014001500德国Wacker55005000320018006000600035002500800079009000意大利MEMC10001000100001000100010000100010001000总计309002910020600850034300325002130011100414003950052100国外10个主要多晶硅制造厂商的生产能力及发展预测2005年末单晶硅棒：单晶硅棒：单晶硅太阳电池对硅材料的要求：①

Resistivity:0.5Ω·cm~3Ω·cm

电阻率：0.5Ω·cm~3Ω·cm②CarrierLifetimeinmonocrystallinesiliconwafer≥10ms

单晶硅片少子寿命：≥10ms（体寿命）；③Conductivitytype:P

导电类型：P型④Monocrystallineorientation:<100>±1.5°

单晶晶向：<100>±1.5°。⑤Oxygenconten：＜1×1018/cm3

氧含量：＜1×1018/cm3

⑥Carbonconten：＜5×1016/cm3

碳含量：＜5×1016/cm3⑦Crystaldislocationdensity:＜3×103个/cm2

位错密度：＜3×103个/cm2单晶硅太阳电池对硅材料的要求：①Resistivity:多晶硅太阳电池对硅材料的要求：①Resistivity:0.5Ω·cm~3Ω·cm

电阻率：0.5Ω·cm~3Ω·cm②CarrierLifetime≥2ms

载流子寿命：≥2ms（体寿命）；③Conductivitytype:P

导电类型：P型④Oxygenconten：＜1×1018/cm3

氧含量：＜1×1018/cm3

⑤Carbonconten：＜5×1016/cm3

碳含量：＜5×1016/cm3

⑥Totalareaofmicrocrystal(crystaltransversedimensionlessthan0.1mm)largethan2cm2.

微晶体（晶粒横向线径小于0.1mm）的总面积大于2cm2（雪花片）。⑦硅材料的纯度：≥99.9999%（6个9）多晶硅太阳电池对硅材料的要求：①Resistivit晶体硅太阳能电池的制造工艺流程：清洗腐蚀表面制绒扩散制结去磷硅玻璃制减反射膜（PECVD）丝网印刷栅线铝背场烧结检测等离子刻蚀晶体硅太阳能电池的制造工艺流程：清洗腐蚀表面制绒扩散制结去磷单体太阳能电池电性能指标：

目前行业制造标准单体太阳能电池片的开路电压（Voc）约为0.61V，最大工作电压Vmp约为0.49～0.50V，不同厂略有微差,即：

Voc≈

0.61VVm≈

0.49V

短路电流（Isc)和最佳工作电流的大小取决于电池片的单片功率，单片功率大小取决于电池片的有效面积，即电池片的单片功率和有效面积、最佳工作电流、短路电流成正比。单体太阳能电池电性能指标：目前行业制造标准单体晶体硅光伏组件的制造工艺流程划片选片安装接线盒单片焊接安装边框单片串接自动焊接拼接叠层层压高压（绝缘）测试电性能测试清理包装玻璃清洗EVA/TPT/汇流条准备中间检测互连条准备晶体硅光伏组件的制造工艺流程划片选片安装接线盒单片焊接安装边划片机划片机在做小组件时使用，将大的电池片割成小片。

划片时注意电池片的正极向上，激光切割深度为电池片的厚度的2/3，然后用手掰开。如果割透，造成电池片正负极短路。划片机划片机在做小组件时使用，将大的电池片割成小片。

划片时互联条和汇流条的准备将整卷或者整盘的互联条和汇流条裁剪成需要的尺寸，方便与焊接和层叠工序使用。互联条和汇流条的准备将整卷或者整盘的互联条和汇流条裁剪成需要材料的裁剪将整卷的EVA、TPT/TPE裁成需要的大小。材料的裁剪将整卷的EVA、TPT/TPE裁成需要的大小。红外加热自动焊接机红外加热自动焊接机手工焊接焊接分为两段：单焊和串焊合理使用加热板对电池片预热可以有效降低破片。选用焊台需要合理，功率越大则焊接温度越稳定。手工焊接焊接分为两段：单焊和串焊层叠测试铺设台将焊接好的电池串和钢化玻璃、EVA、TPT等材料按照顺序叠加在一块，为层压机做准备，并测试电压判断组件是否存在极性错误、焊接不良的缺陷，及时发现改正。层叠测试铺设台将焊接好的电池串和钢化玻璃、EVA、TPT等材中间检验将组件放在上面，下面打灯光，通过镜子反射观察是否有杂物、排列是否整齐、虚焊等问题。及时发现解决，避免层压后的不良上升。中间检验将组件放在上面，下面打灯光，通过镜子反射观察是否有杂全自动层压机全自动层压机半自动层压机

半自动层压机层压机的结构：层压机的结构：层压过程中组件温度的变化趋势：层压过程中组件温度的变化趋势：层压工艺层压工艺装框设备第一种方式：螺钉固定装框设备第一种方式：螺钉固定装框设备第二种方式：45度撞击铆接固定装框设备第二种方式：45度撞击铆接固定太阳能模拟器下打光式太阳能模拟器下打光式太阳能模拟器侧打光式太阳能模拟器侧打光式绝缘电阻测试直流1000V加上两倍系统最大开路电压，持续1min。如果组件面积小于0.1m2，其绝缘电阻不小于400MΩ；在500V或最大系统电压下，如果组件面积大于0.1m2，其绝缘电阻乘以组件面积不小于40MΩ·m2，或许更大。绝缘电阻测试直流1000V加上两倍系统最大开路电压，持续1晶体硅光伏组件封装材料—钢化玻璃

太阳能组件用钢化玻璃按结构分为平板钢化玻璃和绒面钢化玻璃；共同的特点是比较结实，但应力较大，分布于玻璃边沿和角上，因此当边沿和角上遇到外力时易碎。平板钢化玻璃：透光性好，玻璃本身易产生折射，聚光性不好。绒面钢化玻璃：透光性较好；表面呈倒金字塔结构，玻璃层内部对光线进行二次折射，聚光性好。透光率：>90%含铁量：>0.02%主要厂家：澳大利亚皮尔金顿法国圣戈班晶体硅光伏组件封装材料—钢化玻璃太阳能组件用钢晶体硅光伏组件封装材料—EVA

EVA是乙烯——醋酸乙烯脂共聚物,在较宽的温度范围内具有良好的柔软性、耐冲击强度、耐环境应力开裂性和良好的光学性能、耐低温及无毒的特性。

EVA胶膜是一种热固性的膜状热熔胶，常温下不发粘，通过对电池组件热压发生热交联固化，使其粘接增强，冷却后即产生永久性的粘合密封。有快速固化和慢固化两种。德国：EtimexVistasolar485日本三井：Sanvic、Hi-Sheet美国：Str国产：杭州福斯特、诸暨枫华胶膜、浙江化工研究院、深圳斯威克晶体硅光伏组件封装材料—EVAEVA是乙烯——醋酸乙烯脂共晶体硅光伏组件封装材料—TPT背板材料

TPT是由TEDLAR和PET的粘合物，TEDLAR是聚氟乙烯薄膜，其中的碳氟共价键远比其它聚合物中的化学键要强，所以TEDLAR对日照、化学溶剂、酸碱腐蚀、湿气和氧化作用的抵抗力和耐久性提高显著。生产和加工过程中，TEDLAR朝横向和纵向伸展，从而形成分子晶格，大大提高了它的物理性能。TEDLAR的抗磨损能力、防湿气渗透能力和延展能力因而可以提高至一倍。

TEDLAR中不含可塑剂，颜色持久稳定、抗漂白剂、防止粉化和真菌生长。其表面斥力大，可以防止灰尘玷污，容易清洗维护。而且，既便是最强的洗涤剂也不会损坏TEDLAR薄膜。晶体硅光伏组件封装材料—TPT背板材料TPT是晶体硅光伏组件封装材料—TPT背板材料

从零下70度到110度，TEDLAR均可保证优异的性能，瞬间温度峰值最高到200度亦不会对其造成破坏。

TEDLAR只有美国杜邦公司生产。

PET是聚酯薄膜，绝缘性能良好常用的TPT厚度有两种：0.17mm、0.35mm。标准：IEC60664

厂家：奥地利Isovolta

德国Kermpel

意大利美国3MBBF晶体硅光伏组件封装材料—TPT背板材料从晶体硅光伏组件封装材料：互联带、汇流带：

互联带是用来串接电池单片，汇流带是用来串接电池串。它们的材质是铜带上面涂锡，所以又叫涂锡铜带。除过厚度、宽度尺寸不同外其它没有太大的区别；它们的成分有含铅和无铅之别两种。在选择互联带和汇流带时要考虑截面积的大小（电阻）对电池组件输出功率及组件使用寿命的影响，根据实际情况选择合理的规格。晶体硅光伏组件封装材料：互联带、汇流带：互联带

接线盒是组件内部出线和外部连接的中间核心连接部件，其材料由ABS/PPO工程塑料（一般采用美国通用户外工程塑料）制成，具有防老化和抗紫外辐射功能；接线盒一般包括盒体、盒盖、接线端子、旁路二极管、防水接头、光伏连接器、密封圈等部分组成。

接线盒的选择要注意以下问题：

1、防水接头的锁紧密封情况；

2、整个接线盒的密封防水、防潮、防尘情况；

3、导线连接处的锁紧情况；

4、接线盒的制作选材的阻燃等级、耐候性和抗紫外照射情况。晶体硅光伏组件封装材料：接线盒：接线盒是组件内部出线和外部连接的中间核心连接晶体硅光伏组件封装材料晶体硅光伏组件封装材料接线盒的性能晶体硅光伏组件封装材料工作电压DC1000V工作电流20A、30A安全等级ClassⅡ温度范围-40℃～+85℃防护等级IP65连接器防护等级IP68接触电阻﹤5mΩ电缆线径2.5,4,6mm2弹性端子材料铜锌合金表面镀银外毂材料PPO符合最新版本的IEC61215,IEC61646,IEC61730TUV2Pfg1161,1162阻燃等级UL94-V0接线盒的性能晶体硅光伏组件封装材料工作电压DC1000V工1.常见的连接方式有焊接和夹紧式端子两种。焊接的优点是可靠，夹紧式的优点是操作方便，但对夹紧式有以下要求：

端子进行5次操作后，不应出现明显的性能降低现象或损伤，如金属件变形、夹紧力明显降低，端子变形，绝缘损坏等；端子在盒体内有适当的固定方式，避免自由移动现象发生；夹紧方式不能损伤汇流条（如剪刀式、锯齿式等）。

汇流条与接线端子能承受20N以上持续1min的拉力试验而不从连接端子中拉脱。

2.电缆与盒内端子的连接按照相应的应用标准如IEC60998、IEC60999、IEC60947等。对于截面积为4mm2

的电缆，应能承受60N一分钟的拉力。

3.采用标准电缆防水接头（M12，M16）应符合EN50262标准：密封IP54以上；抗拉（M12）100N，25次，每次1秒，位移不能大于2mm；抗转（M12），0.35Nm，1min，没用明显的转动。

试验在松开电缆导体与盒体内端子连接的情况下进行。

电缆在接线盒内能保持正常状态，避免过度的弯曲、拉伸及扭曲。

4.外壳材料的抗紫外线试验，按照ISO4892-2方法A进行，辐射强度500W/m2，波长290～800nm，标准黑板温度65℃，相对湿度65%，每间隔102分钟喷水18分钟，持续500小时。试验结束后，接线盒的各部分不应出现裂痕或龟裂现象。

5.机械强度试验：被试样品置于-40℃的环境中5小时后立即进行冲击试验，冲击锤重量0.25kg，下落高度0.5m。每个样品试验4次。

6.其它试验项目主要有绝缘材料的耐热、耐火以及抗漏电起痕PTI值（大于250V）。晶体硅光伏组件封装材料—接线盒1.常见的连接方式有焊接和夹紧式端子两种。焊接的优

组件安装铝合金边框的目的是为了保护组件，同时方便安装。由于组件的使用寿命较长故而对边框有着很高的要求，目前太阳能组件边框一般多采用建筑铝合金型材，基材牌号6063/6063T。为了适应组件安装环境气候条件的恶劣，铝合金边框的表面需要进行氧极氧化处理，氧化层厚度不宜过薄，且边框要根据组件规格的大小综合考虑抗风压强以及组件散热等因素合理选择边框。

目前国内外多数厂家在加工边框时的割断面没有氧化层，给组件在潮湿以及有盐、酸腐蚀的使用场合下的寿命埋下隐患。

常见的铝合金边框的结构有两种方式，一种是靠螺钉固定，另一种是利用角键连接。晶体硅光伏组件封装材料：铝合金边框：组件安装铝合金边框的目的是为了保护组件，同时晶体硅光伏组件封装材料—铝边框晶体硅光伏组件封装材料—铝边框晶体硅光伏组件封装材料—铝边框晶体硅光伏组件封装材料—铝边框

道康宁7091，732，734

用于密封铝边框、接线盒。

常温下3～30分钟表面固化、拉伸强度＞2.0MPa、延伸率≥200％，耐候性能优越

AB混合胶，固化速度快，生产效率高晶体硅光伏组件封装材料硅橡胶：道康宁7091，732，734

用于密封铝边太阳能电池的应用近年来，太阳能发电在很多行业得到应用：空间应用通讯气象独立的电站并网发电户用系统输油管道阴极保护城市路灯、交通信号灯庭院灯、草坪灯太阳能电池的应用近年来，太阳能发电在很多行业得到应用：控制器交流节能灯蓄电池12Vdc彩色电视机太阳电池方阵逆变器

220Vac典型光伏系统示意图交流节能灯蓄电池12Vdc彩色电视机逆变器220Vac典空间应用空间应用石油管道阴极保护石油管道阴极保护气象应用气象应用太阳能路灯交通信号灯太阳能路灯交通信号灯户用电源系统户用电源系统太阳能灯具太阳能灯具相关的国际、国家标准IEC61215-2005IEC61853IEC61730IEC61646UL1703GB9585-1998相关的国际、国家标准IEC61215-2005IEC61215-2005简介试验项目试验条件10.1外观检查详细检查目录见10.1.210.2最大功率决定见IEC60904-110.3绝缘试验直流1000V加上两倍系统最大开路电压，持续1min。如果组件面积小于0.1m²，其绝缘电阻不小于400MΩ；在500V或最大系统电压下，如果组件面积大于0.1m²，其绝缘电阻乘以组件面积不小于40MΩ·m²，或许更大。10.4温度系数的测量见IEC0904-10导则10.5额定工作温度的测量

太阳总辐照度：800W·m-2环境温度：20℃

风速：1m·s-1

IEC61215-2005简介试验项目试验条件10.1IEC61215-2005简介试验项目试验条件10.6在标准测试条件和额定工作温度下的性能电池温度：25℃和额定工作温度辐照度：1000和800W·m-2标准太阳光谱辐照度分布符合IEC60904-3规定10.7低辐照度下的性能电池温度：25℃辐照度：200W·m-2标准太阳光谱辐照度分布符合IEC60904-3规定10.8室外曝露试验太阳总辐射量：60KW·h·m-210.9温度系数的测量在最坏热斑条件下，1000W·m-2辐照度照射1h共5次10.10紫外预处理试验在波长范围为280nm～385nm，紫外线总辐射量15KW·h·m-2在波长范围为280nm～320nm，紫外线总辐射量5KW·h·m-2IEC61215-2005简介试验项目试验条件10.6IEC61215-2005简介试验项目试验条件10.11热循环试验在标准测试条件、最大功率电流下，从-25℃～+85℃50次和200次10.12湿—冷冻试验从85℃，85%相对湿度-40℃10次

10.13湿—热试验

在85℃，85%相对湿度-40℃1000h

10.14引线端强度试验

同IEC60068-2-21

10.15湿-漏电试验

如果组件面积小于0.1m²，其绝缘电阻不小于400MΩ；在500V或最大系统电压下，如果组件面积大于0.1m²，其绝缘电阻乘以组件面积不小于40MΩ·m²，或许更大。IEC61215-2005简介试验项目试验条件10.1IEC61215-2005简介试验项目试验条件10.16机械载荷试验

2400Pa的均匀载荷依次加到前和后表面1h，循环3次

10.17冰雹试验25mm直径的冰球以23.0m·s-1的速度撞击11个位置10.18旁路二极管热性能试验在Isc和75℃条件下，1h在1.25倍Isc和75℃条件下，1h

IEC61215-2005简介试验项目试验条件10.1冰雹试验撞击位置冰雹试验撞击位置高低温试验箱高低温湿热试验高低温试验箱高低温湿热试验

地面用晶体硅光伏组件封装技术地面用晶体硅光伏组件封装技术

太阳能光伏发电简史：1839年法国物理学家A.E.贝克勒尔意外的发现：将两片金属侵入溶液构成的伏打电池，当受到太阳光照射时会产生额外的伏打电动势。他把这种现象称为“光生伏打效应”（Photovoltaiceffict),简称“光伏效应”。1883年有人在硒和金属接触处发现了固体光伏效应，此后人们把能够产生光伏效应的器件称为“光伏器件”，半导体P-N结器件在太阳光照射下光电转换效率最高，故而把这类器件称为“太阳能电池”（Solarcell)。1954年恰宾（Charbin)等人在美国贝尔电话实验室第一次作出了光电转换效率为6%的试验用的单晶硅太阳能电池，开创了太阳能电池研究的新纪元。太阳能光伏发电简史：1839年法国物理学1839法国科学家贝克勒尔（Becqurel）发现“光生伏打效应”1931朗格首次提出用“光伏效应”制造“太阳能电池”实现光能变成电能1954皮尔松和恰宾在美国贝尔实验室首次制成实用的单晶硅太阳能电池1958太阳能电池首次在太空应用，装备于美国先锋1号卫星1960硅太阳能电池首次实现并网运行1978美国建成100KW地面太阳能光伏电站1983美国建成1MW光伏电站1986美国建成6.5MW光伏电站1990德国提出“2000光伏屋顶计划”，每个家庭屋顶安装3-5KW光伏电站1997美国提出“克林顿总统拜望太阳能屋顶计划”，日本43亿瓦“新阳光计划”1998荷兰政府提出“百万光伏屋顶计划”1999日本太阳能电池总产量首次超过美国居世界第一位2000世界光伏电池总产量287KW，欧盟计划2010年生产60亿瓦光伏电池1839法国科学家贝克勒尔（Becqurel）发现“光生伏打太阳能光伏行业著名厂商SharpBPSolarKyoceraShellSolarGE-solarSanyoQ-cellMitsubishiMotechSuntechPhotowatt太阳能光伏行业著名厂商Sharp太阳能电池的分类：按基材分类晶体硅太阳能电池非晶硅太阳能电池微晶硅薄膜太阳能电池纳米晶硅薄膜太阳能电池硒光电池化合物太阳能电池有机半导体太阳能电池单晶硅太阳能电池多晶硅太阳能电池PIN单结非晶硅薄膜太阳能电池双结非晶硅薄膜太阳能电池三结非晶硅薄膜太阳能电池砷化镓太阳能电池太阳能电池的分类：按基材分类晶体硅太阳能电池非晶硅太阳能电池太阳能电池的分类：按用途分类空间太阳能电池地面用太阳能电池光伏传感器按工作方式分类平板太阳能电池分光太阳能电池聚光太阳能电池太阳能电池的分类：按用途分类空间太阳能电池地面用太阳能电池光太阳能电池发电原理太阳能电池发电原理P型半导体的形成：

如左图，正电荷表示硅原子，负电荷表示围绕在硅原子旁边的四个电子。

当硅晶体中掺入硼时，负电荷表示围绕在硅原子旁边的四个电子。而黄色的表示掺入的硼原子，因为硼原子周围只有三个电子，所以就会产生入图所示的蓝色的空穴，这个空穴因为没有电子而变得很不稳定容易吸收电子而中和，形成P型半导体。P型半导体的形成：如左图，正电荷表示硅原子，负N型半导体的形成：

如左图，正电荷表示硅原子，负电荷表示围绕在硅原子旁边的四个电子。

掺入磷原子以后，因为磷原子有五个电子，所以就会有一个电子变得非常活跃，形成N型半导体。黄色N型半导体的形成：如左图，正电荷表示硅原子，负P-N结的形成：

将一块P型半导体和N型半导体紧密连接在一起，这种紧密连接不能有缝隙，是一种原子半径尺度上的紧密连接。此时将在N型半导体和P型半导体的结合面上形成如下物理过程。

图中兰色小圆为多子电子；红色小圆为多子空穴。

N型半导体中的多子电子的浓度远大于P型半导体中少子电子的浓度；P型半导体中多子空穴的浓度远大于N型半导体中少子空穴的浓度。于是在两种半导体的界面上会因载流子的浓度差发生了扩散运动，见左图。扩散电流P-N结的形成：将一块P型半导体和N型半导体紧密P-N结的形成：

随着扩散运动的进行，在界面N区的一侧，随着电子向P区的扩散，杂质变成正离子；在界面P区的一侧，随着空穴向N区的扩散，杂质变成负离子。杂质在晶格中是不能移动的，所以在N型和P型半导体界面的N型区一侧会形成正离子薄层；在P型区一侧会形成负离子薄层。这种离子薄层会形成一个电场，方向是从N区指向P区，称为内电场，见左上图。

内电场的出现及内电场的方向会对扩散运动产生阻碍作用，限制了扩散运动的进一步发展。在半导体中还存在少子，内电场的电场力会对少子产生作用，促使少数载流子产生漂移运动。内电场内电场漂移电流P-N结的形成：随着扩散运动的进行，在界面N区P-N结的形成：

我们称从N区指向P区的内电场为PN结，简单的描述为：N型半导体中含有较多的空穴，而P型半导体中含有较多的电子，这样，当P型和N型半导体结合在一起时，就会在接触面形成电势差，这就是PN结。P-N结的形成：我们称从N区指向P区的内电场为晶体硅太阳能电池一、晶体硅太阳电池：单晶硅太阳能电池多晶硅太阳能电池常规几何尺寸:103*103mm125*125mm150*150mm156*156mm厚度：≥

200μm

目前常见晶体硅太阳电池的基体材料多为P型半导体参杂磷原子制结经过加工处理成为电池片；N型半导体做基材的也有，但较少。晶体硅太阳能电池一、晶体硅太阳电池：单晶硅太阳能电池多晶硅太晶体硅太阳能电池结构晶体硅太阳能电池结构太阳能电池测试I-V曲线图如下：太阳能电池测试I-V曲线图如下：晶体硅太阳能电池等效电路：晶体硅太阳能电池等效电路：晶体硅太阳能电池电性能输出：I=IL-ID-IRsh=IL-I0(e-1)-q(U-IRs)/AkT

I(Rs+RL)

RshU=IRLP=UI=[IL-I0(e-1)-]Uq(U-IRs)/AkT

I(Rs+RL)

Rsh=[IL-I0(e-1)-]RLq(U-IRs)/AkT

I(Rs+RL)

Rsh2晶体硅太阳能电池电性能输出：I=IL-ID-IRsh=IL-晶体硅太阳能电池最佳工作点：

当RL从0变化至无穷大时曲线上的任意一点都称为工作点，工作点和原点的连线称为负载线，调节RL到某一值Rm时，在曲线上得到最大点M，对应的Im和Um之积最大。即：

Pm=ImUm

一般称M点为太阳电池组件的最佳工作点（或者最大功率点）；Im为最佳工作电流；Um为最佳工作电压；Rm为最佳负载电阻；Pm为最大输出功率。晶体硅太阳能电池最佳工作点：当RL从0变化至无穷晶体硅太阳能电池组件填充因子：

最大输出功率Pm和（Isc*Uoc）之比称为填充因子，这是用以衡量电池组件输出特性好坏的重要标志之一。FF==

填充因子表明电池组件的优劣，当光谱辐照度一定，FF愈大曲线愈方，输出功率也愈高。其与入射光谱辐照度、反向饱和电流、A因子、串联或并联电阻密切相关。晶体硅太阳能电池组件填充因子：最大输出功率Pm晶体硅太阳能电池组件转换效率：eff==

电池组件受照射时，输出电功率与入射光功率之比称为电池组件的效率也称光电转换效率。At——电池组件的有效受光面积Pin——单位面积的入射光功率晶体硅太阳能电池组件转换效率：eff=单晶硅太阳电池转换效率发展过程单晶硅太阳电池转换效率发展过程晶体硅太阳能电池组件

当今世界实用的太阳能电池组件主要有单晶硅电池组件、多晶硅太阳能电池组件、刚性衬底薄膜太阳能电池组件（非晶硅太阳能电池组件和碲化镉薄膜太阳能电池组件）以及柔性薄膜太阳能电池组件。

单晶硅太阳能电池和多晶硅太阳能电池统称晶体硅太阳能电池。由于单体晶体硅太阳电池的面积较小，且输出电压低，人们为了满足工作需要，将单体电池用导线进行串（并）联成所需要的电池方阵，通过封装材料将其封装在经过钢化处理的浮法玻璃上，引出电极，安装上外框就形成了晶体硅太阳能电池组件。组件的封装结构、材料、工艺影响组件寿命和可靠性。晶体硅太阳能电池组件当今世界实用的太阳能电池晶体硅太阳能电池组件的特点：一、结构简单，造型美观；

二、节能环保；

三、成本较高；

四、安装、运输简变；

五、可靠性高，使用寿命长；

六、应用领域广泛。晶体硅太阳能电池组件的特点：一、结构简单，造型美观；

二、晶体硅太阳能电池组件一晶体硅太阳能电池组件一晶体硅太阳能电池组件的结构：晶体硅太阳能电池组件的结构：晶体硅太阳能电池组件的结构：晶体硅太阳能电池组件的结构：晶体硅太阳能电池组件的结构：晶体硅太阳能电池组件的结构：晶体硅太阳能电池组件I-V曲线：晶体硅太阳能电池组件I-V曲线：晶体硅太阳能电池组件电性能输出指标：Voc

开路电压Isc

短路电流

Vmp

最佳工作电压Imp

最佳工作电流

Pmax

最大功率eff

转换效率

FF

填充因数晶体硅太阳能电池组件电性能输出指标：Voc开路电压国际标准测试条件：光谱：AM1.5温度：25℃光强（辐照度）：1000W/m2低辐照度下的测试条件：

依据IEC60904-1的规定，在25℃和辐照度为200w·m-2（用适当的标准电池测定）的自然阳光或符合IEC60904-9要求的B类或更好模拟器下，确定组件随负荷变化的电性能。国际标准测试条件：光谱：AM1.5低辐照度下的测试条件：晶体硅太阳能电池组件温度特性：最大功率温度系数P:-(0.5±0.05)%/℃短路电流温度系数

I：(0.065±0.015)%/℃

开路电压温度系数

V:-2mV最佳工作温度

NOCT:47±2℃晶体硅太阳能电池组件温度特性：最大功率温度系数一个常规单晶硅组件铭牌参数如型号为BP4175和BP4165单晶硅组件参数如下:Pmax175W165WVoc44.5V43.7VIsc5.5A5.4AVmp35.4V34.3VImp4.9A4.8A短路电流温度系数：(0.065±0.015)%/℃开路电压温度系数：-(160±10)mV最大功率温度系数：-(0.5±0.05)%/℃NOCT：47±2℃最大系统电压：600V（美国NEC参数）1000V（德国莱茵TV参数）最大串保险丝参数：15A

一个常规单晶硅组件铭牌参数如型号为BP4175和BP4165一个常规多晶硅组件铭牌参数如型号为BP3170和BP3165单晶硅组件参数如下:Pmax170W165WVoc44.4V44.2VIsc5.27A5.1AVpm35.3V35.2VIpm4.79A4.7A短路电流温度系数：(0.065±0.015)%/℃开路电压温度系数：-(160±10)mV最大功率温度系数：-(0.5±0.05)%/℃NOCT：47±2℃最大系统电压：600V(美国NEC参数)1000V(德国莱茵TÜV参数

)最大串保险丝参数：15A

一个常规多晶硅组件铭牌参数如型号为BP3170和BP3165晶体硅太阳能电池组件负载特性曲线：晶体硅太阳能电池组件负载特性曲线：晶体硅制造工艺流程可用硅制造工艺流程：硅沙焦炭电炉冶金硅盐酸三氯氢硅CH4硅烷多晶硅+H2多晶硅制造：杜邦法（SiCl4还原法）三氯氢硅法（西门子法）硅烷法单晶硅制造：切克劳斯基法(CZ法)区熔法(FZ法)晶体硅制造工艺流程可用硅制造工艺流程：硅沙焦炭电炉冶金硅盐酸国外10个主要多晶硅制造厂商的生产能力及发展预测2005年末用途2006年末用途2007年2008年产能产量半导体太阳能产能预产量半导体太阳能能力预产量能力日本德山曹达52005200410011005400540041001300540054005400三菱材料160016001400200160016001400200160016001600住友钛80080080009009008000900900900美国黑姆洛克770077004800290010000950060003500145001400018000ASiMi3000300028002003300330020001300360036003600SGS22002200022002200220002100220022004400MEMC27001500150002700150015000270017006700三菱多晶硅120011001000100120011001000100150014001500德国Wacker55005000320018006000600035002500800079009000意大利MEMC10001000100001000100010000100010001000总计309002910020600850034300325002130011100414003950052100国外10个主要多晶硅制造厂商的生产能力及发展预测2005年末单晶硅棒：单晶硅棒：单晶硅太阳电池对硅材料的要求：①

Resistivity:0.5Ω·cm~3Ω·cm

电阻率：0.5Ω·cm~3Ω·cm②CarrierLifetimeinmonocrystallinesiliconwafer≥10ms

单晶硅片少子寿命：≥10ms（体寿命）；③Conductivitytype:P

导电类型：P型④Monocrystallineorientation:<100>±1.5°

单晶晶向：<100>±1.5°。⑤Oxygenconten：＜1×1018/cm3

氧含量：＜1×1018/cm3

⑥Carbonconten：＜5×1016/cm3

碳含量：＜5×1016/cm3⑦Crystaldislocationdensity:＜3×103个/cm2

位错密度：＜3×103个/cm2单晶硅太阳电池对硅材料的要求：①Resistivity:多晶硅太阳电池对硅材料的要求：①Resistivity:0.5Ω·cm~3Ω·cm

电阻率：0.5Ω·cm~3Ω·cm②CarrierLifetime≥2ms

载流子寿命：≥2ms（体寿命）；③Conductivitytype:P

导电类型：P型④Oxygenconten：＜1×1018/cm3

氧含量：＜1×1018/cm3

⑤Carbonconten：＜5×1016/cm3

碳含量：＜5×1016/cm3

⑥Totalareaofmicrocrystal(crystaltransversedimensionlessthan0.1mm)largethan2cm2.

微晶体（晶粒横向线径小于0.1mm）的总面积大于2cm2（雪花片）。⑦硅材料的纯度：≥99.9999%（6个9）多晶硅太阳电池对硅材料的要求：①Resistivit晶体硅太阳能电池的制造工艺流程：清洗腐蚀表面制绒扩散制结去磷硅玻璃制减反射膜（PECVD）丝网印刷栅线铝背场烧结检测等离子刻蚀晶体硅太阳能电池的制造工艺流程：清洗腐蚀表面制绒扩散制结去磷单体太阳能电池电性能指标：

目前行业制造标准单体太阳能电池片的开路电压（Voc）约为0.61V，最大工作电压Vmp约为0.49～0.50V，不同厂略有微差,即：

Voc≈

0.61VVm≈

0.49V

短路电流（Isc)和最佳工作电流的大小取决于电池片的单片功率，单片功率大小取决于电池片的有效面积，即电池片的单片功率和有效面积、最佳工作电流、短路电流成正比。单体太阳能电池电性能指标：目前行业制造标准单体晶体硅光伏组件的制造工艺流程划片选片安装接线盒单片焊接安装边框单片串接自动焊接拼接叠层层压高压（绝缘）测试电性能测试清理包装玻璃清洗EVA/TPT/汇流条准备中间检测互连条准备晶体硅光伏组件的制造工艺流程划片选片安装接线盒单片焊接安装边划片机划片机在做小组件时使用，将大的电池片割成小片。

划片时注意电池片的正极向上，激光切割深度为电池片的厚度的2/3，然后用手掰开。如果割透，造成电池片正负极短路。划片机划片机在做小组件时使用，将大的电池片割成小片。

划片时互联条和汇流条的准备将整卷或者整盘的互联条和汇流条裁剪成需要的尺寸，方便与焊接和层叠工序使用。互联条和汇流条的准备将整卷或者整盘的互联条和汇流条裁剪成需要材料的裁剪将整卷的EVA、TPT/TPE裁成需要的大小。材料的裁剪将整卷的EVA、TPT/TPE裁成需要的大小。红外加热自动焊接机红外加热自动焊接机手工焊接焊接分为两段：单焊和串焊合理使用加热板对电池片预热可以有效降低破片。选用焊台需要合理，功率越大则焊接温度越稳定。手工焊接焊接分为两段：单焊和串焊层叠测试铺设台将焊接好的电池串和钢化玻璃、EVA、TPT等材料按照顺序叠加在一块，为层压机做准备，并测试电压判断组件是否存在极性错误、焊接不良的缺陷，及时发现改正。层叠测试铺设台将焊接好的电池串和钢化玻璃、EVA、TPT等材中间检验将组件放在上面，下面打灯光，通过镜子反射观察是否有杂物、排列是否整齐、虚焊等问题。及时发现解决，避免层压后的不良上升。中间检验将组件放在上面，下面打灯光，通过镜子反射观察是否有杂全自动层压机全自动层压机半自动层压机

半自动层压机层压机的结构：层压机的结构：层压过程中组件温度的变化趋势：层压过程中组件温度的变化趋势：层压工艺层压工艺装框设备第一种方式：螺钉固定装框设备第一种方式：螺钉固定装框设备第二种方式：45度撞击铆接固定装框设备第二种方式：45度撞击铆接固定太阳能模拟器下打光式太阳能模拟器下打光式太阳能模拟器侧打光式太阳能模拟器侧打光式绝缘电阻测试直流1000V加上两倍系统最大开路电压，持续1min。如果组件面积小于0.1m2，其绝缘电阻不小于400MΩ；在500V或最大系统电压下，如果组件面积大于0.1m2，其绝缘电阻乘以组件面积不小于40MΩ·m2，或许更大。绝缘电阻测试直流1000V加上两倍系统最大开路电压，持续1晶体硅光伏组件封装材料—钢化玻璃

太阳能组件用钢化玻璃按结构分为平板钢化玻璃和绒面钢化玻璃；共同的特点是比较结实，但应力较大，分布于玻璃边沿和角上，因此当边沿和角上遇到外力时易碎。平板钢化玻璃：透光性好，玻璃本身易产生折射，聚光性不好。绒面钢化玻璃：透光性较好；表面呈倒金字塔结构，玻璃层内部对光线进行二次折射，聚光性好。透光率：>90%含铁量：>0.02%主要厂家：澳大利亚皮尔金顿法国圣戈班晶体硅光伏组件封装材料—钢化玻璃太阳能组件用钢晶体硅光伏组件封装材料—EVA

EVA是乙烯——醋酸乙烯脂共聚物,在较宽的温度范围内具有良好的柔软性、耐冲击强度、耐环境应力开裂性和良好的光学性能、耐低温及无毒的特性。

EVA胶膜是一种热固性的膜状热熔胶，常温下不发粘，通过对电池组件热压发生热交联固化，使其粘接增强，冷却后即产生永久性的粘合密封。有快速固化和慢固化两种。德国：EtimexVistasolar485日本三井：Sanvic、Hi-Sheet美国：Str国产：杭州福斯特、诸暨枫华胶膜、浙江化工研究院、深圳斯威克晶体硅光伏组件封装材料—EVAEVA是乙烯——醋酸乙烯脂共晶体硅光伏组件封装材料—TPT背板材料

TPT是由TEDLAR和PET的粘合物，TEDLAR是聚氟乙烯薄膜，其中的碳氟共价键远比其它聚合物中的化学键要强，所以TEDLAR对日照、化学溶剂、酸碱腐蚀、湿气和氧化作用的抵抗力和耐久性提高显著。生产和加工过程中，TEDLAR朝横向和纵向伸展，从而形成分子晶格，大大提高了它的物理性能。TEDLAR的抗磨损能力、防湿气渗透能力和延展能力因而可以提高至一倍。

TEDLAR中不含可塑剂，颜色持久稳定、抗漂白剂、防止粉化和真菌生长。其表面斥力大，可以防止灰尘玷污，容易清洗维护。而且，既便是最强的洗涤剂也不会损坏TEDLAR薄膜。晶体硅光伏组件封装材料—TPT背板材料TPT是晶体硅光伏组件封装材料—TPT背板材料

从零下70度到110度，TEDLAR均可保证优异的性能，瞬间温度峰值最高到200度亦不会对其造成破坏。

TEDLAR只有美国杜邦公司生产。

PET是聚酯薄膜，绝缘性能良好常用的TPT厚度有两种：0.17mm、0.35mm。标准：IEC60664

厂家：奥地利Isovolta

德国Kermpel

意大利美国3MBBF晶体硅光伏组件封装材料—TPT背板材料从晶体硅光伏组件封装材料：互联带、汇流带：

互联带是用来串接电池单片，汇流带是用来串接电池串。它们的材质是铜带上面涂锡，所以又叫涂锡铜带。除过厚度、宽度尺寸不同外其它没有太大的区别；它们的成分有含铅和无铅之别两种。在选择互联带和汇流带时要考虑截面积的大小（电阻）对电池组件输出功率及组件使用寿命的影响，根据实际情况选择合理的规格。晶体硅光伏组件封装材料：互联带、汇流带：互联带

接线盒是组件内部出线和外部连接的中间核心连接部件，其材料由ABS/PPO工程塑料（一般采用美国通用户外工程塑料）制成，具有防老化和抗紫外辐射功能；接线盒一般包括盒体、盒盖、接线端子、旁路二极管、防水接头、光伏连接器、密封圈等部分组成。

接线盒的选择要注意以下问题：

1、防水接头的锁紧密封情况；

2、整个接线盒的密封防水、防潮、防尘情况；

3、导线连接处的锁紧情况；

4、接线盒的制作选材的阻燃等级、耐候性和抗紫外照射情况。晶体硅光伏组件封装材料：接线盒：接线盒是组件内部出线和外部连接的中间核心连接晶体硅光伏组件封装材料晶体硅光伏组件封装材料