微电子封装技术-模拟题2及答案

微电子封装技术习题练习2及答案-.填空题1、TAE按其结构和形状分为、、、四种。2、芯片凸点下多层金属化是指在A1焊区上形成的多层金属化系统。3、封装是气密性封装，是非气密性封装。4、常用铅一锡焊丝作为焊料，其含铅量越高，焊丝的熔点温度也就越,片式元器TOC\o"1-5"\h\z件最常用的焊接方法是。5、金刚石是一种理想的基板材料，是具有、、、、、、的材料。6、EGA的焊球分布有和两种方法。7、IC小外形封装结构的引脚有两种不同的形式，分别是型和型。二、名词解脣1、PGA：2、QFP：3、C4技术:4、WB：三、简答题1、焊球连接缺陷有哪几种？分别由什么原因引起的？2、2、简述SMD元器件与通孔元器件相比，有哪些优势？3、EGA封装的特点有哪些？4、CSP封装的特点有哪些？5、A1N陶瓷材料具有哪些特点？四、综合题1、画出PQFP封装工艺流程2、根据器件外形写出其相应対装类型44、・：：・:::,：:：：：:•丿•••••・•・,2222299••••••.•.«••・.••••.•.••A・：：・:::,：:：：：:•丿•••••・•・,2222299••••••.•.«••・.••••.•.••A・.•《••、••.••・•・AWAMAM"""W貝•・3、C4技术倒装焊的特点是什么？习题答案一、填空题标准答案：]、Cu箔单层带、Cu—PI双层带、Cu—粘接剂一PI三层带和Cu—P[—Cu双金属带。粘附层一一阻挡层一一导电层。金属和陶瓷、塑料。高、再流焊接。高热导率、化学稳定性最好、低的介电常数、高的热辐射值、优良的钝化性能、M全阵列、部分阵列。7丄，_Jo二、名称解释1、PGA：针栅阵列2、QFP：四边引脚扁平封装3、C4技术：可控塌陷芯片连接4、WB：引线键合三、简答题标准答案：1、（1）桥连；原因：焊料过量，邻近焊球之间形成桥连。（2）连接不充分；原因：焊料太少，不能在焊球和基板之间形成牢固的连接，导致早期失效。（3）断开；原因：基板过分翘曲，又没有足够的焊料使断开的空隙连接起来。（4）空洞；原因：沾污及焊膏问题造成空洞。（5）浸润性差；原因：焊区或焊球的浸润性差，造成连接断开。（6）形成焊料小球；原因：小的焊料球由再流焊接时溅出的焊料形成，是潜在短路缺陷的隐患。（7）误对准；原因：焊球重心不在焊区中心。2、（1）SMD体积小，重量轻，所占基板面积小，因而组装密度高（2）具有更优异的电性能（3）适合自动化生产（4）降低生产成本（5）能提高可靠性（6）更有利于环境保护3、（1）失效率低（2）焊点节距短（3）対装密度高（4）EGA引脚牢固（5）改善了电性能（6）EGA有利于散热（1）体积小（2）可容纳的引脚数最多（3）电性能良好（4）散热性能优良5、（1）热导率高（2）热膨胀系数与硅接近（3）各种电性能优良（4）机械性能好（5）无毒性（6）成本相对较低四、综合题1、IC芯片粘接、固化一\VE或TAB-装模具一预热塑料一塑料加热加压一固化后开模一切筋、打弯、去溢、引线电镀〜老化筛选〜测试、分选〜打印包装2、BGAPGAQFPSOTDIPSIPTO3、（1