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文档简介
ICS71.040.50CCSL90
T/CSTM00316—2022光电晶体热释电红外探测用钽酸锂晶体Optoelectricsinglecrystals-Lithiumtantalatesinglecrystalsforpyroelectricinfrareddetection2022-11-11发布 2023-02-11实施中关村材料试验技术联盟 发布T/CSTM00316T/CSTM00316—2022II前 言本文件参照GB/T1.1-2020《标准化工作导则第1部分:标准的结构和编写规则》的规定起草。请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。本文件由中国材料与试验团体标准委员会光电材料及产品领域委员会(CSTM/FC60)提出。本文件由中国材料与试验团体标准委员会光电材料及产品领域委员会(CSTM/FC60)归口。T/CSTM00316-2022T/CSTM00316-202211光电晶体热释电红外探测用钽酸锂晶体范围(以。下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅所注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。GB/T1031产品几何技术规范(GPS)表面结构轮廓法表面粗糙度参数及其数值GB/T3389.1铁电压电陶瓷词汇GB/T11297.8GB/T11297.9 tanδGB/T11297.10TCGB/T11297.11热释电材料介电常数的测试方法JC/T2545高性能红外探测器用热释电单晶NB/SH/T0632比热容的测定差示扫描量热法YS/T42-2010钽酸锂单晶GB/T3389.1和JC/T2545界定的以及下列术语和定义适用于本文件。3.1热释电晶体均匀性homogeneityofpyroelectriccrystal用热释电系数p随晶体不同位置的变化量Δp表示热释电晶体的均匀性。标记1T/CSTM00316T/CSTM00316—202222图1 热释电红外探测用钽酸锂晶体的产品标记标记顺序说明:—LT表示热释电钽酸锂晶体;—Z表示晶体切型为Z轴向;—D表示晶体直径,单位为mm;—T表示晶片厚度,单位为μm;—P表示晶体专用于热释电红外探测领域;标记示例:LT-Z-76.2-250-P表示该产品为专用于热释电红外探测领域的Z轴向热释电钽酸锂晶体,晶体直径为76.2mm,厚度为250μm。晶体应为无色。晶体外表面应无明显的划痕、崩边、崩口、肉眼可见的裂纹、色斑或其他外观缺陷。晶体表面应抛光。晶体边缘倒角。晶体尺寸公差应满足以下要求:—直径的尺寸公差不超过±0.5mm;—厚度的尺寸公差不超过±10μm。晶体表面粗糙度不超过50nm。晶体切型沿Z轴,晶片和晶面的定向面角度偏差≤10'。单畴化T/CSTM00316-2022T/CSTM00316-202233晶体应呈单畴结构,且分布均匀,方向一致。晶体居里温度为605℃±3℃。晶体的物理性能应符合表1的要求,也可根据供需双方协商另行确定。表1 物性能序号项目指标要求1热释电系数(p)×10-4C/m2K≥1.52体积比热容(Cv)×106J/m3K2.5~3.531-1000Hz下相对介电常数(εr)42~5041-1000Hz下介电损耗角正切(tanδ)≤0.1%5电流响应优值(Fi)×10-10m/V≥0.56电压响应优值(Fv)m2/C≥0.17探测率优值(Fd)×10-5Pa-1/2≥4.58均匀性(Δp)≤5%在不低于40W的光源下对晶体的外观质量采用目测检验,目测距离不超过0.3m。晶体的直径采用分度值不大于0.02mm的游标、带表或数显卡尺进行检测。晶体的厚度采用分度值不大于0.01mm的千分尺进行检测。(不需要约定量具)晶体的表面粗糙度按GB/T1031(选取标准针对的适用相)的规定进行检测。晶体的定向面偏差按YS/T42-2010的规定,采用X射线衍射仪进行检测。T/CSTM00316T/CSTM00316—202244单畴化晶体的单畴化按YS/T42-2010中附录A的规定进行检测。晶体的居里温度按GB/T11297.10的规定进行检测。晶体的热释电系数按GB/T11297.8的规定检验,在测试温度为25℃的条件下进行检测。晶体的体积比热容按NB/SH/T0632的规定检验,在测试温度为25℃的条件下进行检测。晶体的相对介电常数按按照GB/T11297.11的规定检验,在测试温度为25℃,测试频率为1kHz的条件下进行检测。晶体的介电损耗角正切按照GB/T11297.9的规定检验,在测试温度为25℃,测试频率为1kHz的条件下进行检测。晶体的电流响应优值按JC/T2545的规定进行计算。晶体的电压响应优值按JC/T2545的规定进行计算。晶体的探测率优值按JC/T2545的规定进行计算。均匀性晶体的均匀性测量方法:分别选定晶体中心位置和4个以上的中心对称且离中心位置有一定距离的周围位置进行热释电系数测量,所有测量值的相对平均偏差定义为晶体的均匀性。检验分为出厂检验和型式检验,检验项目见表2。T/CSTM00316-2022T/CSTM00316-202255表2 检项目检验顺序检验项目要求条款号试验方法条款号型式检验出厂检验1外观质量5.16.1√√2直径5.26.2√√3厚度5.26.2√√4粗糙度5.36.2√□5定向面偏差5.46.3√□6单畴化5.56.4√□7居里温度5.66.5√□8热释电系数5.76.6.1√√9体积比热容5.76.6.2√□10相对介电常数5.76.6.3√√11介电损耗角正切5.76.6.4√√12电流响应优值5.76.6.5√□13电压响应优值5.76.6.6√□14探测率优值5.76.6.7√□15均匀性5.76.6.8√□注:表中“√”表示必检项目;“□”表示选检项目。组批每批由同一批原料,在同一条生产线上经相同工艺连续生产的,具有相同规格尺寸的晶体组成。应符合表3的规定。表3 抽方案批量数n0/片样本数n/片1~10n011~10010+(n0-10)×20%101~50030+(n0-100)×10%>50070+(n0-500)×5%应按表3的规定加倍抽样重新检验,仍有一项或一项以上指标未符合规定要求,则应对提交的产品判定为不合格。凡有下列情况之一时,应进行型式检验:T/CSTM00316T/CSTM00316—202266晶体定型鉴定或产品转厂生产时;正式生产后,如设备、原材料、工艺有改变,可能影响晶体的质量时;停产12个月及以上,恢复生产时;批量生产时,每隔12个月进行一次。按表3的抽样方案进行。每个试样的各项检验项目均符合要求,则判型式检验合格;若有一项不符合要求,则判型式检验不合格。标志包装箱上的标志应包括:晶体名称、型号规格、数量、生产企业名称、地址。包装晶体应用带防潮内衬的塑料袋包装。内外包装袋需密封良好,并能对产品提供足够的抗碰撞、抗挤压和抗震动保护。内包装里应附有产品合格证,其内容包括晶体名称、批号、生产日期等。包装
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