拓荆科技研究报告：国产薄膜沉积设备龙头有望进入设备放量期

拓荆科技研究报告：国产薄膜沉积设备龙头，有望进入设备放量期1.国内半导体薄膜沉积设备龙头1.1.专注半导体薄膜沉积设备拓荆科技专注的薄膜沉积设备领域系半导体晶圆制造三大核心设备种类之一，主要产品包括等离子体增强化学气相沉积（PECVD）设备、原子层沉积（ALD）设备和次常压化学气相沉积（SACVD）设备三个产品系列，已广泛应用于国内晶圆厂14nm及以上制程集成电路制造产线，并已展开10nm及以下制程产品验证测试。公司成立于2010年；2011年首台12英寸PECVD到中芯国际验证，于2013年通过产品线测试，2014年获得其首台量产机台PF-300T订单，2015年PF-300T在中芯国际产线突破一万片；2016年ALD设备、8寸PECVD出厂到客户端，2017年首台ALD通过客户端14nm产业化验证；2019年SACVD研制成功并出厂到客户端；2022年4月20日于科创板上市。目前，公司是国内唯一一家产业化应用的集成电路PECVD、SACVD设备厂商，产品已成功应用于中芯国际、华虹集团、长江存储、厦门联芯、燕东微电子等行业领先集成电路制造企业产线，打破国际厂商对国内市场的垄断，与国际寡头直接竞争，产品技术参数已达到国际同类设备水平。公司在研产品已发往某国际领先晶圆厂参与其先进制程工艺研发。1.2.2021年已实现盈利，产品有望放量PECVD设备销量逐渐增加，2021年实现盈利。公司营收稳健增长，盈利能力逐年向好，2021年已实现盈利。我们认为主要受益于半导体设备行业的快速发展，以及公司实力不断受到认可有关。随着规模效应逐渐显现，公司毛利率已高于行业平均水平。2018-2020年，公司处于收入增长期，规模效应尚不明显；且在开拓新业务时，部分商务谈判中接受了优惠的报价，因此毛利率水平相比同行业可比公司平均水平较低。随着公司技术水平和市场地位的提升，议价能力、产品先进性逐渐提高，规模效应逐渐显现，2021年及2022Q1，公司的毛利率高于同行业可比公司平均水平。1.3.管理团队技术背景出身，员工持股激发活力截至2022年4月20日，公司无控股股东和实际控制人，第一大股东为国家集成电路基金，持股19.86%。公司董事会由9名董事组成，6名非独立董事中，国家集成电路基金有权提名2名，国投上海、中微公司分别有权提名1名，姜谦及其一致行动人有权提名2名。尽管无实际控制人，但该体系可使公司在重大决策和日常工作中稳健经营。公司建有员工持股平台，八名外籍专家直接持股或通过员工持股平台间接持股，激发活力。吕光泉等七名外籍专家直接持股并通过员工持股平台间接持股，姜谦及其余员工通过员工持股平台间接持有发行人激励股份，11个员工持股平台合计持有发行人11,481,700股股份，占发行前股份的12.10%；合计持有发行人15.19%的股份

（发行前）。公司全员持股的激励制度，吸引了大量具有丰富经验的国内外半导体设备行业专家加入公司，强化专家团队的技术能力、领导力和执行力。同时，公司大胆提拔国内中层干部，并在基层增补新鲜血液，为公司发展储备人才。2.薄膜沉积设备是半导体设备中的优质赛道薄膜沉积设备具有空间大、增速高、竞争格局好的特点，是半导体设备行业的优质赛道：

1、空间大：薄膜沉积设备占前道设备投资的25%，仅次于刻蚀设备，需求量大，2020年国内薄膜沉积设备市场规模约为300亿人民币，且在快速增加；

2、增速高：过去十年，化学薄膜沉积设备2011-2021年复合增速为13.41%，仅次于干法刻蚀设备；“扩产持续+先进工艺+先进制程”

将持续推动半导体薄膜沉积设备行业成长；

3、竞争格局较好：半导体薄膜沉积设备技术门槛高，国内沉积设备互为补充，竞争对手主要在海外，有望充分授予于国产替代进程。2.1.半导体及半导体设备行业飞速发展半导体产业链可按照主要生产过程进行划分，整体可分为上游半导体支撑产业、中游晶圆制造产业、下游半导体应用产业。上游半导体材料、设备产业为中游晶圆制造产业提供必要的原材料与生产设备。半导体产品下游应用广泛，涉及通讯技术、消费电子、工业电子、汽车电子、人工智能、物联网、医疗、新能源、大数据等多个领域。下游应用行业的需求增长是中游晶圆制造产业快速发展的核心驱动力。全球半导体行业处于景气周期。由于前几年全球芯片产业制程布局与市场需求错配，加之新冠疫情干扰供应链，多国出现了缺”芯”现象，下游需求增加，半导体产业处于景气周期。5G、新能源汽车等景气行业持续驱动半导体需求。据ASMPacific公司2021年Q2财报中援引Gartner数据，全球半导体销售收入仍将强劲增长，智能手机对半导体的需求有望在5G推动下恢复成长，新能源汽车也将拉动需求。未来，随着5G通讯网络、人工智能、汽车电子、智能移动终端、物联网的需求和技术不断发展，市场需求不断扩大，为国内封装企业提供良好的发展机会，带动半导体产业的发展，推动先进封装的需求，成为封装领域新的增长动能。2022年全球半导体市场规模将达到6760亿美元。根据Gartner的统计结果，全球半导体行业销售收入2016年至2018年一直保持增长趋势，复合增长率达17.34%。2019年受全球宏观经济低迷影响，半导体行业景气度有所下降。2020年全球半导体收入恢复增长至4,498.0亿美元，比2019年增长7.3%；2021年同比增长32.38%。据Gartner预测，2022年全球半导体市场规模将达到6760亿美元。中国大陆集成电路销售收入近年来稳健成长，2021年实现10458亿元人民币，同比增长18.2%，占全球的比重约为27%。半导体设备是半导体行业的基础支撑，光刻设备、刻蚀设备、薄膜沉积设备是集成电路前道生产工艺中的三大核心设备。半导体产业的发展衍生出巨大的半导体设备市场，主要包括光刻机、刻蚀机、薄膜沉积设备、离子注入机、测试机、分选机、探针台等设备，属于半导体行业产业链的技术先导者。应用于集成电路领域的设备通常可分为前道工艺设备（晶圆制造）和后道工艺设备（封装测试）两大类。其中，晶圆制造设备的市场规模占集成电路设备整体市场规模的80%以上。在前道晶圆制造中，共有七大工艺步骤，分别为氧化/扩散、光刻、刻蚀、薄膜生长、离子注入、清洗与抛光、金属化，所对应的设备主要包括氧化/扩散设备、光刻设备、刻蚀设备、薄膜沉积设备、离子注入设备、清洗设备、机械抛光设备等，其中光刻设备、刻蚀设备、薄膜沉积设备是集成电路前道生产工艺中的三大核心设备。2.2.薄膜沉积直接影响芯片性能，该类设备系三大前道核心设备之一晶圆前道制造可以简单看作是一个表面加工的过程，薄膜沉积包含其中。在硅片表面按照一定顺序，生长出半导体、绝缘介质和导电层等不同成分的膜层的工艺，称之为薄膜沉积。有多种技术可以将需要的膜层沉积到晶圆的表面，其中比较重要的有化学气相沉积(CVD)、物理气相沉积(PVD)和原子层沉积(ALD)。薄膜沉积设备主要负责各个步骤当中的介质层与金属层的沉积，在芯片完成制造、封测等工序后会留存在芯片中，薄膜的技术参数直接影响芯片性能。CVD开始时间最早，其次为PVD、ALD。1880年用化学气相沉积（CVD）碳补强白炽灯中的钨灯丝开创了CVD的历史，1950年代CVD开始工业化应用，1960年代CVD法不仅应用于宇航工业的特殊复合材料、原子反应堆材料、刀具、耐热耐腐蚀涂层等领域，还被应用于半导体工业领域。1963年，PVD－真空离子镀膜（VACIONPLATING）技术研制成功，主要用于人造卫星需要的耐磨零部件。原子层沉积(ALD)制程技术则于1970年代开始发展，至1990年代末期，由于半导体工业开始导入ALD制程，ALD制程技术迅速成长。在2007年Intel利用ALD制程技术成长二氧化铪(HfO2)闸极氧化层，应用于45nm微处理器上的金氧半场效晶体管(MOSFET)，进一步奠定ALD制程技术在半导体产业上的重要性。常用CVD设备包括PECVD、SACVD、APCVD、LPCVD等，适用于不同工艺节点对膜质量、厚度以及孔隙沟槽填充能力等的不同要求。常压化学气相沉积

（APCVD）是最早的CVD设备，结构简单、沉积速率高，至今仍广泛应用于工业生产中。低压化学气相沉积（LPCVD）是在APCVD的基础上发展起来的，由于其工作压力大大降低，薄膜的均匀性和沟槽覆盖填充能力有所改善，相比APCVD的应用更为广泛。等离子体增强化学气相沉积设备（PECVD）在从亚微米发展到90nm的IC制造技术过程中，扮演了重要的角色，由于等离子体的作用，化学反应温度明显降低，薄膜纯度得到提高，致密度得以加强，不伤害芯片已完成的电路。次常压化学气相沉积（SACVD）主要应用于沟槽填充工艺。集成电路结构中，沟槽孔洞的深宽比越来越大，SACVD反应腔环境具有特有的高温（400-550℃）、高压（30-600Torr）环境，具有快速填空（Gapfill）能力。原子层沉积（ALD）可精确控制薄膜的厚度，台阶覆盖率高，特别适合深槽结构中的薄膜生长。原子层沉积可以将物质以单原子膜形式一层一层地镀在基底表面的方法。因为某些CVD工艺涉及的温度高于当今先进半导体中使用的材料所能承受的温度，且CVD工艺是“糊状的”——前体、等离子体、副产物和其他分子碎片和物质都在腔室中漂浮，因此难以将薄膜沉积控制到原子级。相对于传统的沉积工艺而言，ALD工艺具有自限制生长的特点，可精确控制薄膜的厚度，制备的薄膜具有均匀的厚度和优异的一致性，台阶覆盖率高，特别适合深槽结构中的薄膜生长。ALD设备沉积的薄膜具有非常精确的膜厚控制和非常优越的台阶覆盖率，在28nm以下关键尺寸缩小的双曝光工艺方面取得了越来越广泛的应用。目前，28nm以下先进制程的FinFET制造工艺中，难点在于形成Fin的形状，Fin的有源区并不是通过光刻直接形成的，而是通过自对准双重成像技术（SADP，Self-AlignedDoublePatterning）工艺形成。2.3.薄膜沉积设备价值量高、增速快，预计到2025年全球340亿美元市场空间我国已成为全球第一大半导体设备市场，2021年市场空间约296亿美元。据SEMI统计，2014年全球半导体设备销售规模为375亿美元，2021年全球半导体设备销售额达1026亿美元，年均复合增长率达15.46%。我国已成为全球半导体产业市场规模最大的地区，半导体设备行业在下游快速发展的推动下，保持快速增长。根据SEMI统计，2021年中国大陆地区半导体设备销售规模达296.2亿美元，同比增长58%，为全球第一大半导体设备市场。我国集成电路设备国内自给率仅有5%左右，在全球市场仅占1-2%，进口替代空间巨大。我国半导体设备整体仍依赖进口。根据中国电子专用设备工业协会数据统计，2020年国产半导体设备销售额约为213亿元，自给率约为17.5%。如仅考虑集成电路设备，国内自给率仅有5%左右，在全球市场仅占1-2%，技术含量最高的集成电路前道设备则自给率更低。半导体设备严重依赖进口不仅影响我国半导体产业的发展，更对我国信息产业安全造成重大隐患。半导体制造国产化势必带动设备国产化，国产设备进口替代趋势明显，替代空间巨大。薄膜沉积设备需求大、增速快。新建晶圆厂设备投资中，晶圆制造相关设备投资额占比约为总体设备投资的80%，薄膜沉积设备作为晶圆制造的三大主设备之一，其投资规模占设备总投资的20%，晶圆制造设备总投资的25%，在半导体设备中价值量仅次于刻蚀机。2.4.全球来看，行业基本由AMAT、ASMI、Lam、TEL等国际巨头垄断薄膜沉积设备为海外巨头垄断。从全球市场份额来看，薄膜沉积设备行业呈现出高度垄断的竞争局面，行业基本由应用材料（AMAT）、ASMI、泛林半导体（Lam）、东京电子（TEL）等国际巨头垄断。2019年，ALD设备龙头东京电子（TEL）和先晶半导体（ASMI）分别占据了31%和29%的市场份额，剩下40%的份额由其他厂商占据；而应用材料（AMAT）则基本垄断了PVD市场，占85%的比重，处于绝对龙头地位；在CVD市场中，应用材料（AMAT）全球占比约为30%，连同泛林半导体（Lam）的21%和TEL的19%，三大厂商占据了全球70%的市场份额。应用材料公司

AppliedMaterials，简称应材AMAT，是全球最大的半导体制造设备和服务供应商。主要产品为芯片制造相关类产品，例如原子层沉积、物理气相沉积、化学气相沉积、电镀、侵蚀、离子注入、快速热处理、化学机械抛光、测量学和硅片检测等，并包含配套的服务提供给营运工厂的半导体客户。应材在PVD设备处于垄断地位，享有85%的市场份额，ENDURAPVD®平台是半导体行业历史上最成功的金属化系统之一，其沉积能力涵盖前端金属化，能够容纳多达九个工艺腔室，可以灵活地混合和匹配腔室，以创建集成的多步骤工艺序列。过去20年中制造的绝大多数微芯片都是使用Endura系统创建的。AXCELA™PVD系统在过去10年中表现出工艺优越性和稳定性，小批量集群架构使这款高度可靠的PVD工具成为大多数金属化应用的绝佳选择。东京电子TokyoElectronLimited，简称TEL，是日本最大的半导体制造设备提供商，也是世界第四大半导体制造设备提供商。主要从事半导体制造设备和平板显示器制造设备的研发和生产，全球拥有1.1万名员工。TEL在全球CVD设备领域占有19%的市场份额，其TELINDY™系列是业界首屈一指的用于氧化、退火和LPCVD沉积的设备，至今出机超4600套。TEL在全球ALD设备领域占有31%的市场份额，主要产品是NT333™系列，与单晶圆或双晶圆加工技术相比，NT333™具有较大的晶圆容量，具备2个腔室，每个腔室可以有6/12个300mm晶圆片。它提供原子级的薄膜厚度控制，同时由于采用空间原子层沉积方法可以达到卓越的薄膜质量和高生产率。拉姆研究

LamResearch，又称泛林半导体，成立于1980年是全球第三大的半导体制造设备和服务供应商。可提供的工艺与产品包括薄膜沉积、刻蚀、去胶和清洗、量测，其中拉姆研究在薄膜沉积和刻蚀设备占有主导地位。拉姆研究主要通过自研和兼并购的方法双管齐下，不断开发新的产品与技术，稳定市场地位。拉姆研究ALTUS®系统处于ALD设备市场领先水平，其结合化学气相沉积和原子层沉积技术，改善接触填充效果并降低接触电阻，使沉积的阻挡层薄膜具有良好的台阶覆盖率、较低的电阻率和相比物理气相沉积与传统化学沉积方法得到的更小的薄膜厚度。拉姆研究ALTUSMaxE系列采用的业界首款低氟钨（LFW）ALD工艺，可使检测到的氟减100倍、内应力降低10倍、薄膜电阻率降低30%，这一技术已连续领先行业

15年，且被视作钨原子层沉积的行业标杆。先晶科技ASMInternational，简称ASMI，成立于1964年，是一家荷兰的晶圆加工半导体工艺设备的领先供应商。公司开创了许多工业中使用的晶圆加工技术的重要方面，包括光刻，沉积，离子注入和单晶圆外延。近年来，公司将R＆D的原子层沉积（ALD）和等离子体增强原子层沉积（PEALD）直接引入先进制造商的主流生产，是ALD工艺的领先者之一。ASMI的EMERALD®XPALD反应器室使用淋浴喷头工艺气体分布方法，可以确保气体均匀地输送到晶圆表面。它还具有远程等离子室清洁功能，能有效延长设备正常运行时间；PULSAR®XPALD是业界领先的ALD设备，是业界首位用于大批量生产高k金属栅极晶体管ALD系统；Synergis®是一款高生产率的300mm刀具，适用于各种热原子层沉积应用。SYNERGIS®ALD系统可以配置多达四个双腔室模块（DCM），占比空间较小但却仍有八个大批量生产的腔室。3.公司具有稀缺性：在多个环节为国产唯一供应商应用于半导体晶圆前道工艺的薄膜沉积设备壁垒较高，公司凭借国家级重大项目的参与经验，持续较高比例的研发投入，优秀的人才团队及完备的激励机制，形成覆盖二十余种工艺型号的薄膜沉积设备，性能已达国际先进水平。在晶圆厂的招标中，公司与国际巨头直接竞争，受到中芯国际、华虹集团、长江存储等客户的认可，成为唯一进入相关产线的国产设备供应商，稀缺性值得重视。3.1.国家级重大项目经验+研发投入+人才+优质产品构筑护城河承担多项国家重大科技项目，具备八项核心技术，关键性能指标达国际先进水平。公司自成立以来，始终专注于半导体薄膜沉积设备的研发。公司先后承担“90-65nm等离子体增强化学气相沉积设备研发与应用”、“1xnm3DNANDPECVD研发及产业化”等四项国家重大科技专项/课题。公司的先进薄膜工艺设备设计技术、反应模块架构布局技术等核心技术，解决了半导体制造中纳米级厚度薄膜均匀一致性、薄膜表面颗粒数量少、快速成膜、设备产能稳定高速等关键难题，在保证实现薄膜工艺性能的同时，提升客户产线的产能，减少客户产线的生产成本。研发投入力度较大，均费用化；研发人员占比74%。公司保持着较高的研发投入水平，2021年及2022Q1维持在35%左右，且研发投入均费用化，持续投入保证了公司产品的竞争力。从员工构成来看，员工中74%为研发人员，32%的员工学历为硕士及以上，显示公司研究驱动型的特点。3.2.产品线较为完备，性能已达国际同类设备水平公司已形成三大类薄膜沉积设备，在多个工序段、多个制程均可使用。主要产品包括等离子体增强化学气相沉积（PECVD）设备、原子层沉积（ALD）设备和次常压化学气相沉积（SACVD）设备三个产品系列，已广泛应用于国内晶圆厂14nm及以上制程集成电路制造产线，并已展开10nm及以下制程产品验证测试。公司的产品已适配国内最先进的28/14nm逻辑芯片、19/17nmDRAM芯片和64/128层3DNANDFLASH晶圆制造产线。其中，PECVD设备已全面覆盖逻辑电路、DRAM存储、FLASH闪存集成电路制造各技术节点产线多种通用介质材料薄膜沉积工序，并研发了LokⅠ、LokⅡ、ACHM、ADCⅠ等先进介质材料工艺，拓宽公司PECVD产品在晶圆制造产线薄膜沉积工序的应用。公司设备性能已达到国际同类水平。公司自主研发形成的核心技术，产品的性能参数系公司经营关键业务指标，已达到国际同类设备水平。公司是国内唯一一家产业化应用的集成电路PECVD设备厂商，已形成16种不同型号的设备，覆盖180-14nm逻辑芯片、19/17nmDRAM及64/128层FLASH制造工艺需求。公司生产的PECVD产品，采用一个平台可扩展多个反应腔的技术方案，通过对反应腔流场、温度场和等离子场的仿真和设计、射频系统回路及精度的优化、高产能，低颗粒的晶圆传动系统的设计、反应腔中的关键零部件的设计选型，满足工艺需求的同时能够有效降低客户综合使用成本。公司针对下游对于不同材料薄膜PECVD设备的需求，已研发并生产16种不同工艺型号的PECVD设备，适配180-14nm逻辑芯片、19/17nmDRAM及64/128层FLASH制造工艺需求，产品能够兼容SiO2、SiN、SiON、BPSG、PSG、TEOS、LokⅠ、LokⅡ、ACHM、ADCⅠ等多种反应材料。公司已于2018年向某国际领先晶圆厂发货一台PECVD设备用于其先进逻辑芯片制造研发产线，2020年某国际领先晶圆厂向公司增订了一台PECVD设备用于其上述先进制程试产线。公司ALD设备厂商已适配55-14nm逻辑芯片制造工艺需求。公司的等离子体增强原子层沉积设备（PE-ALD），在公司PECVD设备核心技术的基础上，根据ALD反应原理，结合理论分析及仿真计算，对反应腔内的气路、关键件、喷淋头等进行创新设计。公司的ALD设备，在实现了薄膜颗粒数量和薄膜厚度的精确控制的同时，有效缩短了成膜反应时间，减少了反应气体的使用量，提高了设备的使用效率。公司的ALD设备可以沉积SiO2和SiN材料薄膜，目前已适配55-14nm逻辑芯片制造工艺需求。随着芯片制程向7纳米及以下延伸，芯片结构日益复杂，产生了新的工艺需求。ALD设备由于其优异的台阶覆盖率和精确薄膜厚度控制能力，在先进制程新工艺如SADP、HKMG中得到了应用。随着半导体先进制程产线数量增加，预计2026年全球ALD设备市场规模约为32亿美元。公司是国内唯一一家产业化应用的集成电路SACVD设备厂商。SACVD设备具有能够填平沟槽孔洞结构至平整的能力和沉积速度快的特点，公司在PECVD设备技术平台的基础上，通过对多腔室负载反应腔系统、精密冷却控制系统及均衡控温陶瓷盘的设计，实现了出色的沟槽填充能力并保证了较快的填充速率。对反应腔底部的抽气设计，减少了颗粒数量，延长了设备维护周期，提高了设备使用效率。公司的SACVD设备可以沉积BPSG、SAF材料薄膜，适配12英寸40/28nm以及8英寸90nm以上的逻辑芯片制造工艺需求。3.3.唯一性：竞争对手主要在海外，公司在多个环节为国产唯一供应商，客户认可度高在中国大陆，拓荆科技与全球巨头正面竞争，在多个环节为唯一能进入产线的国产供应商，具备稀缺性。选用长江存储、华虹无锡、上海华力、上海积塔在中国国际招标网上公布的2019-2020年间各类薄膜沉积设备采购项目的评标结果及中标结果，计算口径为机台数量。（1）公司PECVD产品中标机台数量市场份额占比为16.56%；

（2）2019-2020年，公司未实现ALD设备完整机台销售，因此市场占有率为0%，2021年ALD设备收入为2862万元；

（3）公司SACVD产品中标机台数量市场份额占比为25%。拓荆科技薄膜沉积设备与国内企业工艺不同、面向行业不同，互为补充，不存在重叠和替代关系。公司是国内唯一一家产业化应用的集成电路PECVD、SACVD设备厂商。根据国内主要晶圆厂公开的招标信息显示，公司主要产品的竞争对手为海外厂商，不存在国内其他竞争对手。中微公司的MOCVD设备主要面向LED领域；

北方华创有多款薄膜沉积设备，但与拓荆科技工艺不同、沉积材料类型不同，部分相同工艺的产品面向行业不同（北方华创的PECVD设备是应用于光伏和LED领域），应用领域、技术原理与公司不存在重叠和替代关系。公司产品应用于国内主流晶圆厂产线，与客户长期合作，具备稳定性。公司产品已广泛用于中芯国际、华虹集团、长江存储、长鑫存储、厦门联芯、燕东微电子等国内主流晶圆厂产线，打破国际厂商对国内市场的垄断，与国际寡头直接竞争。根据2019-2020年中国国际招标网披露的长江存储、华虹无锡、上海华力、上海积塔的中标信息，PECVD、SACVD设备在各晶圆厂占有一席之地。4.公司成长具有确定性：国内需求持续增长+渗透率提升公司未来成长的确定性来源于国产替代及稀缺性优势下份额逐步提升，以及国内薄膜沉积设备需求的快速增长：

（1）公司的PECVD、ALD、SACVD三类产品在中国大陆市场空间约150亿元人民币（2020年），2021年公司国内市场份额仅5.39%。我们认为，在国产替代大背景下，公司凭借稀缺性（在多个环节为国产唯一供应商）优势，市占率有望逐步提升；

（2）下游资本开支快速增长、芯片工艺进步及结构复杂化提高薄膜设备需求、先进制程产线对薄膜设备需求量陡增，是驱动薄膜沉积设备持续快速增长的几大要素。4.1.公司三类产品对应国内市场空间约150亿人民币，市占率有望持续提升拓荆科技PECVD、ALD、SACVD三类产品在中国大陆市场空间约150亿元人民币（2020年）。公司现有PECVD、ALD、SACVD三类产品，根据国内半导体设备市场占全球市场26.29%的比例和2020年全球薄膜沉积设备172亿美元市场规模测算，2020年国内薄膜沉积设备市场规模约为45.22亿美元。PECVD和ALD分别占薄膜沉积设备市场比例为33%和11%，2020年国内市场PECVD市场规模约为14.92亿美元，ALD市场规模约为4.97亿美元，SACVD约1.35亿美元（假设“其他”中SACVD占据50%），合计约150亿元人民币，且在快速增长。看好国产替代及稀缺性优势下公司份额逐步提升。公司2021年国内市占率约5.39%，渗透率有望快速提升。从收入端来看，公司除PECVD设备已成一定体量，市占率6.96%；ALD设备、SACVD设备目前市占率分别为1.27%、3.25%；2021年合计市占率5.39%。我们认为，在国产替代大背景下，公司凭借稀缺性（在多个环节为国产唯一供应商）优势，市占率有望逐步提升。4.2.国内晶圆厂资本开支在未来几年持续景气国内晶圆制造资本开支旺盛。中国大陆晶圆厂新建产能进程加快，2020年以来，国内包括长江存储、广州粤芯、上海积塔、中芯南方、士兰微（厦门）、广东海芯项目等产线也取得新进展。半导体行业整体快速增长，终端半导体产品的不断迭代推动晶圆厂开发新的工艺，为设备行业提供广阔的市场空间。据SEMI统计，自2020年开始到2024年为止，将有60座12寸晶圆厂新建或扩建，其中中国大陆有15座。据测算，大陆内资晶圆厂12寸和8英寸潜在扩产产能约分别为120万片/月及42万片/月，对应半导体薄膜沉积设备需求旺盛。4.3.先进工艺&先进制程增加薄膜沉积的材料和环节芯片工艺进步及结构复杂化提高薄膜设备需求。随着集成电路制造不断向更先进工艺发展，单位面积集成的电路规模不断扩大，芯片内部立体结构日趋复杂，所需要的薄膜层数越来越多，对绝缘介质薄膜、导电金属薄膜的材料种类和性能参数不断提出新的要求。在90nmCMOS工艺，大约需要40道薄膜沉积工序。在3nmFinFET工艺产线，超过100道薄膜沉积工序，涉及的薄膜材料由6种增加到近20种，对于薄膜颗粒的要求也由微米级提高到纳米级。薄膜设备的发展支撑了集成电路制造工艺向更小制程发展。公司产品可以满足下游集成电路制造客户产线对于不同材料、不同芯片结构薄膜沉积工序的设备需求。在FLASH存储芯片领域，随着主流制造工艺已由2DN