ITO薄膜简介与产品介绍课件

ITO薄膜簡介與產品介紹1ITO薄膜簡介與產品介紹ITO薄膜簡介與產品介紹1ITO薄膜簡介與產品介紹大綱透明導電薄膜的介紹與應用ITO薄膜的特性及製程介紹ITO薄膜的結晶性V.S.製程參數公司的簡介與產品介紹2ITO薄膜簡介與產品介紹大綱透明導電薄膜的介紹與應用2ITO薄膜簡介與產品介紹透明導電薄膜的介紹透明導電膜(Transparentconductingoxidesfilms,TCOs)：在可見光的範圍內具有高穿透度：T>85%。低電阻率：＜10-3

W-cm。種類：金屬薄膜金屬氧化物半導體薄膜應用領域片電阻值需求光穿透度需求液晶顯示器≦100W/sq.≧85%觸控面板100W/sq.-1000W/sq.≧85%抗靜電塗層100-109

W/sq.≧85%太陽能電池≦100W/sq.≧80%電致色變元件≦20W/sq.≧80%有機發光二極體≦100W/sq.≧85%3ITO薄膜簡介與產品介紹透明導電薄膜的介紹透明導電膜(Transparentcon電阻式觸控面板透明導電薄膜的應用範圍薄膜電晶體4ITO薄膜簡介與產品介紹電阻式觸控面板透明導電薄膜的應用範圍薄膜電晶體4ITO薄有機發光二極體電致色變元件5ITO薄膜簡介與產品介紹有機發光二極體電致色變元件5ITO薄膜簡介與產品介紹非晶矽可撓太陽電池染料敏化太陽電池6ITO薄膜簡介與產品介紹非晶矽可撓太陽電池染料敏化太陽電池6ITO薄膜簡介與產品介導電特性ITO薄膜的導電性屬於N型半導體，導電機制有兩種，一種雜質摻雜機制，另一種則為氧空位機制。由於Sn4+取代In3+，提供額外的電子。氧空缺提供兩個額外的電子。(O2→2Vo¨+2e-)InOSnAbsentOatomSnsubstitutionalSninterstitiale-e-e-Sn+7ITO薄膜簡介與產品介紹導電特性ITO薄膜的導電性InOSnAbsentOato透光特性ITO薄膜的可見光可穿透能隙寬度約為3.5-4.3eV，可見光波長範圍對應的能量為1.7-3.1eV，不足以讓電子在能帶間躍遷而產生光的吸收，故在可見光的範圍內有很高的穿透度。GlassPETITOfilmTiO2film8ITO薄膜簡介與產品介紹透光特性ITO薄膜的可見光可穿透GlassPETITOfiITO薄膜的製程介紹磁控濺鍍法(Magnetronsputtering)為目前在諸多製程中和積體電路製程技術相容性較高的技術，具有可連續生產高品質薄膜的特性，低製程溫度且適用在大面積的各種基板上，因此磁控濺鍍法是目前使用最普遍用來沉積ITO薄膜的技術。脈衝雷射鍍法(Pulsedlaserdeposition)固定脈衝頻率、能量約為40-300mJ的準分子雷射，將雷射脈衝轟擊在ITO靶材上，並加上垂直方向的磁場。此種製程下之成膜速率低，非常耗時。電弧放電離子鍍(Arcdischargeionplating)電弧離子鍍乃是運用電弧放電電漿，將原料進行蒸發與離子化，藉由基材通以負偏壓吸引離子加速撞擊並還原沉積於基材表面形成鍍膜的工作方式。在沉積過程中會有微粒產生，導致薄膜變粗糙影響鍍膜的品質。9ITO薄膜簡介與產品介紹ITO薄膜的製程介紹磁控濺鍍法(Magnetronsput反應性蒸鍍(Reactiveevaporation)藉著對被蒸鍍物體加熱，利用被蒸鍍物在接近熔點時的高溫所具備的飽和蒸氣壓，來進行薄膜沉積。在真空中通過電流加熱、電子束轟擊加熱和鐳射加熱等方法，使薄膜材料蒸鍍成為原子或分子，它們隨即以較大的自由程作直線運動，碰撞基片表面而凝結，形成一層薄膜。離子束濺鍍法(Ionbeamsputtering)離子束助鍍法(Ionbeamassisteddeposition)10ITO薄膜簡介與產品介紹反應性蒸鍍(Reactiveevaporation)10IITO薄膜的結晶性V.S.製程參數製程溫度對薄膜電阻、載子遷移率、載子濃度有密切之關聯。提高製程溫度時將使薄膜之結晶性得以提昇，而具有結晶性的薄膜之可見光穿透度與導電特性有明顯助益。氧分壓ITO薄膜之應用原理是利用添加之錫及氧形成之空孔來決定載子濃度。另一方面，氧空孔的形成會造成結晶學上之缺陷結構，而使得載子之遷移率下降。在濺鍍過程中，導入之氧分壓若增加，會使得薄膜組織更接近化學計量比之組成、結晶之缺陷減少、載子之遷移率增加、載子之密度降低，因此若要兼顧載子之遷移率及密度，必須得到最佳氧分壓之製程參數。11ITO薄膜簡介與產品介紹ITO薄膜的結晶性V.S.製程參數製程溫度11ITO薄膜沉積具結晶型的ITO薄膜高光學穿透度以及低電阻率。ITO薄膜的光穿透度與低電阻率和薄膜的結晶性息息相關。Light入射Light穿透ITOfilmSubstrate散射反射吸收ElectroncarriertransportElectronscatteringcrystallineamorphousSubstrate12ITO薄膜簡介與產品介紹沉積具結晶型的ITO薄膜高光學穿透度以及低電阻率。Light具結晶型的ITO薄膜之獲得：製程溫度在150oC以上。對ITO薄膜進行200oC退火處理。13ITO薄膜簡介與產品介紹具結晶型的ITO薄膜之獲得：13ITO薄膜簡介與產品介紹初沉積-非結晶結構14ITO薄膜簡介與產品介紹初沉積-非結晶結構14ITO薄膜簡介與產品介紹低程度結晶15ITO薄膜簡介與產品介紹低程度結晶15ITO薄膜簡介與產品介紹高程度結晶16ITO薄膜簡介與產品介紹高程度結晶16ITO薄膜簡介與產品介紹公司簡介2007-12竹科基地正式啟用琦芯科技設於新竹科學園區-竹南基地的廠房，將於2008年1月2日正式啟用。2008-12捲對捲濺鍍設備正式啟用捲對捲濺鍍設備進行ITOFilm的生產。2009/1S開始正式量產。2009-01科專計畫計畫為期1年9個月，開始經濟部科專計畫，開發「彩色軟性顯示器」，從「基材」、「濺鍍」、「阻水氣」三方面著手，將有助我司技術面的卓越提升，以及與他司的技術交流。2009-11後結晶產品問世國內第一家生產後結晶ITOFilm。2010-12設置第二代產線

17ITO薄膜簡介與產品介紹公司簡介2007-12竹科基地正式啟用17ITO薄膜非結晶型-霧面公司的產品-產品型式18ITO薄膜簡介與產品介紹非結晶型-霧面公司的產品-產品型式18ITO薄膜簡介與產品介結晶型19ITO薄膜簡介與產品介紹結晶型19ITO薄膜簡介與產品介紹非結晶型-亮面20ITO薄膜簡介與產品介紹非結晶型-亮面20ITO薄膜簡介與產品介紹公司的產品-產品類別非結晶型霧面KCG-400A-11K2G-400A-13結晶型PCG-400A-21P2G-400A-23PCN-400A-24非晶型亮面VSC-400A-1AT2C-400A-1BT2C-400B-1FKCN-400A-1421ITO薄膜簡介與產品介紹公司的產品-產品類別非結晶型霧面非晶型亮面21ITO薄膜簡介材料驗證項目物性量測HC層的硬度、附著性、耐熱性以及耐化學特性電氣特性電阻值以及電阻均勻性光學特性穿透度、霧度、清晰度以及色調(b*)環境測試恆溫恆濕、高溫測試、低溫測試以及冷熱衝擊耐久性測試畫線與打點測試22ITO薄膜簡介與產品介紹材料驗證項目物性量測22ITO薄膜簡介與產品介紹物性量測HC層的硬度：500g/3H附著性：百格刮刀，符合ASTM-5B等級耐熱性：烘烤條件150oC/60min，R/R0≦1.3，熱縮收率≦1.0%耐化學特性：丙酮、甲苯以及酒精浸置60min。電氣特性阻值規格：400±100sq./ohm。阻值均勻性：U≦10%。光學特性環境測試恆溫恆濕：60oC/90%RH，120h/240h。低溫測試及高溫測試：-20oC與60oC/240h。冷熱衝擊：70oC/-20oC循環100次。23ITO薄膜簡介與產品介紹物性量測23ITO薄膜簡介與產品介紹歡迎聆聽-謝謝指教24ITO薄膜簡介與產品介紹歡迎聆聽-謝謝指教24ITO薄膜簡介與產品介紹演讲完毕，谢谢观看！演讲完毕，谢谢观看！ITO薄膜簡介與產品介紹26ITO薄膜簡介與產品介紹ITO薄膜簡介與產品介紹1ITO薄膜簡介與產品介紹大綱透明導電薄膜的介紹與應用ITO薄膜的特性及製程介紹ITO薄膜的結晶性V.S.製程參數公司的簡介與產品介紹27ITO薄膜簡介與產品介紹大綱透明導電薄膜的介紹與應用2ITO薄膜簡介與產品介紹透明導電薄膜的介紹透明導電膜(Transparentconductingoxidesfilms,TCOs)：在可見光的範圍內具有高穿透度：T>85%。低電阻率：＜10-3

W-cm。種類：金屬薄膜金屬氧化物半導體薄膜應用領域片電阻值需求光穿透度需求液晶顯示器≦100W/sq.≧85%觸控面板100W/sq.-1000W/sq.≧85%抗靜電塗層100-109

W/sq.≧85%太陽能電池≦100W/sq.≧80%電致色變元件≦20W/sq.≧80%有機發光二極體≦100W/sq.≧85%28ITO薄膜簡介與產品介紹透明導電薄膜的介紹透明導電膜(Transparentcon電阻式觸控面板透明導電薄膜的應用範圍薄膜電晶體29ITO薄膜簡介與產品介紹電阻式觸控面板透明導電薄膜的應用範圍薄膜電晶體4ITO薄有機發光二極體電致色變元件30ITO薄膜簡介與產品介紹有機發光二極體電致色變元件5ITO薄膜簡介與產品介紹非晶矽可撓太陽電池染料敏化太陽電池31ITO薄膜簡介與產品介紹非晶矽可撓太陽電池染料敏化太陽電池6ITO薄膜簡介與產品介導電特性ITO薄膜的導電性屬於N型半導體，導電機制有兩種，一種雜質摻雜機制，另一種則為氧空位機制。由於Sn4+取代In3+，提供額外的電子。氧空缺提供兩個額外的電子。(O2→2Vo¨+2e-)InOSnAbsentOatomSnsubstitutionalSninterstitiale-e-e-Sn+32ITO薄膜簡介與產品介紹導電特性ITO薄膜的導電性InOSnAbsentOato透光特性ITO薄膜的可見光可穿透能隙寬度約為3.5-4.3eV，可見光波長範圍對應的能量為1.7-3.1eV，不足以讓電子在能帶間躍遷而產生光的吸收，故在可見光的範圍內有很高的穿透度。GlassPETITOfilmTiO2film33ITO薄膜簡介與產品介紹透光特性ITO薄膜的可見光可穿透GlassPETITOfiITO薄膜的製程介紹磁控濺鍍法(Magnetronsputtering)為目前在諸多製程中和積體電路製程技術相容性較高的技術，具有可連續生產高品質薄膜的特性，低製程溫度且適用在大面積的各種基板上，因此磁控濺鍍法是目前使用最普遍用來沉積ITO薄膜的技術。脈衝雷射鍍法(Pulsedlaserdeposition)固定脈衝頻率、能量約為40-300mJ的準分子雷射，將雷射脈衝轟擊在ITO靶材上，並加上垂直方向的磁場。此種製程下之成膜速率低，非常耗時。電弧放電離子鍍(Arcdischargeionplating)電弧離子鍍乃是運用電弧放電電漿，將原料進行蒸發與離子化，藉由基材通以負偏壓吸引離子加速撞擊並還原沉積於基材表面形成鍍膜的工作方式。在沉積過程中會有微粒產生，導致薄膜變粗糙影響鍍膜的品質。34ITO薄膜簡介與產品介紹ITO薄膜的製程介紹磁控濺鍍法(Magnetronsput反應性蒸鍍(Reactiveevaporation)藉著對被蒸鍍物體加熱，利用被蒸鍍物在接近熔點時的高溫所具備的飽和蒸氣壓，來進行薄膜沉積。在真空中通過電流加熱、電子束轟擊加熱和鐳射加熱等方法，使薄膜材料蒸鍍成為原子或分子，它們隨即以較大的自由程作直線運動，碰撞基片表面而凝結，形成一層薄膜。離子束濺鍍法(Ionbeamsputtering)離子束助鍍法(Ionbeamassisteddeposition)35ITO薄膜簡介與產品介紹反應性蒸鍍(Reactiveevaporation)10IITO薄膜的結晶性V.S.製程參數製程溫度對薄膜電阻、載子遷移率、載子濃度有密切之關聯。提高製程溫度時將使薄膜之結晶性得以提昇，而具有結晶性的薄膜之可見光穿透度與導電特性有明顯助益。氧分壓ITO薄膜之應用原理是利用添加之錫及氧形成之空孔來決定載子濃度。另一方面，氧空孔的形成會造成結晶學上之缺陷結構，而使得載子之遷移率下降。在濺鍍過程中，導入之氧分壓若增加，會使得薄膜組織更接近化學計量比之組成、結晶之缺陷減少、載子之遷移率增加、載子之密度降低，因此若要兼顧載子之遷移率及密度，必須得到最佳氧分壓之製程參數。36ITO薄膜簡介與產品介紹ITO薄膜的結晶性V.S.製程參數製程溫度11ITO薄膜沉積具結晶型的ITO薄膜高光學穿透度以及低電阻率。ITO薄膜的光穿透度與低電阻率和薄膜的結晶性息息相關。Light入射Light穿透ITOfilmSubstrate散射反射吸收ElectroncarriertransportElectronscatteringcrystallineamorphousSubstrate37ITO薄膜簡介與產品介紹沉積具結晶型的ITO薄膜高光學穿透度以及低電阻率。Light具結晶型的ITO薄膜之獲得：製程溫度在150oC以上。對ITO薄膜進行200oC退火處理。38ITO薄膜簡介與產品介紹具結晶型的ITO薄膜之獲得：13ITO薄膜簡介與產品介紹初沉積-非結晶結構39ITO薄膜簡介與產品介紹初沉積-非結晶結構14ITO薄膜簡介與產品介紹低程度結晶40ITO薄膜簡介與產品介紹低程度結晶15ITO薄膜簡介與產品介紹高程度結晶41ITO薄膜簡介與產品介紹高程度結晶16ITO薄膜簡介與產品介紹公司簡介2007-12竹科基地正式啟用琦芯科技設於新竹科學園區-竹南基地的廠房，將於2008年1月2日正式啟用。2008-12捲對捲濺鍍設備正式啟用捲對捲濺鍍設備進行ITOFilm的生產。2009/1S開始正式量產。2009-01科專計畫計畫為期1年9個月，開始經濟部科專計畫，開發「彩色軟性顯示器」，從「基材」、「濺鍍」、「阻水氣」三方面著手，將有助我司技術面的卓越提升，以及與他司的技術交流。2009-11後結晶產品問世國內第一家生產後結晶ITOFilm。2010-12設置第二代產線

42ITO薄膜簡介與產品介紹公司簡介2007-12竹科基地正式啟用17ITO薄膜非結晶型-霧面公司的產品-產品型式43ITO薄膜簡介與產品介紹非結晶型-霧面公司的產品-產品型式18ITO薄膜簡介與產品介結晶型44ITO薄膜簡介與產品介紹結晶型19ITO薄膜簡介與產品介紹